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↓在新品中搜索到 5 條關于“EcoGaN”的信息，用時:0.003 sec.

ROHM 攜手 ATX，650V 耐壓 GaN HEMT “GNP2070TD－Z” 量產啟航

同時加快車載GaN器件的開發速度，以盡快投入量產全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優異的電流容量和開關特性，因此在工業設備、車載設備以及需要支持大...
ATXGaN HEMTrohm 2025-02-14

ROHM開發出LiDAR用的120W高輸出功率激光二極管“RLD90QZW8”

波長的溫度影響減少66%，測量距離大大延長！ROHM開發出LiDAR用的120W高輸出功率激光二極管“RLD90QZW8”線寬97%的范圍內實現均勻穩定的發光強度，有助于提高LiDAR的精度全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發出一款高輸出功率半導體激光二極管“RLD90QZW8”，該產品非常適用于搭載測距和...
rohmRLD90QZW8功率激光二極管 2023-10-24

ROHM開發出可更大程度激發GaN器件性能的超高速柵極驅動器IC

~采用業界先進的納秒量級柵極驅動技術，助力LiDAR和數據中心等應用的小型化和進一步節能~全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發出一款超高速驅動GaN器件的柵極驅動器IC“BD2311NVX-LB”。近年來，在服務器系統等領域，由于IoT設備的需求日益增長，電源部分的功率轉換效率提升和設備...
rohm柵極驅動器IC“BD2311NVX－LB” 2023-10-19

ROHM開始量產具有業界超高性能的650V耐壓GaN HEMT！

非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統的效率提升和小型化全球知名半導體制造商ROHM（以下簡稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產，這兩款產品非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統。據悉，電源和電機的用電量占全世界用電...
rohmGNP1070TC－ZGNP1150TCA－Z650V耐壓GaN HEMT 2023-05-17

ROHM確立柵極耐壓高達8V的150V GaN HEMT的量產體制

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列（GNE1040TB）”的量產體制，該系列產品的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）*2高達8V，非常適用于基站、數據中心等工業設備和各種物聯網通信設備的電源電路。一般而言，GaN器件具有優異的低導通電阻和高速開...
GaN HEMTrohm柵極 2022-03-24

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