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Nexperia擴(kuò)展GaN FET產(chǎn)品組合，現(xiàn)可支持更多低壓和高壓應(yīng)用中的功率需求

新增產(chǎn)品確保了Nexperia持續(xù)擁有業(yè)內(nèi)廣泛的GaN FET產(chǎn)品類型 Nexperia今日宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個市場，包括消費(fèi)電子、工業(yè)、服務(wù)器/計(jì)算以及電信，尤其著重于支持高...
NexperiaGaN FET產(chǎn)品組合 2025-03-19

英飛凌推出OptiMOS Linear FET 2 MOSFET，賦能先進(jìn)的熱插拔技術(shù)和電池保護(hù)功能

為了滿足AI服務(wù)器和電信領(lǐng)域的安全熱插拔操作要求，MOSFET必須具有穩(wěn)健的線性工作模式和較低的 RDS(on) 。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出的新型OptiMOS™ 5 Linear FET 2解決了這一難題，這款MOSFET專為實(shí)現(xiàn)溝槽 MOSFET的RDS(on)與經(jīng)典平面 MOSFET 的寬安全工作區(qū)（S...
英飛凌OptiMOS Linear FET 2...熱插拔技術(shù)電池保護(hù) 2024-11-25

Qorvo 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動汽車設(shè)計(jì)性能

全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo®今日宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）場效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實(shí)現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻值最高可達(dá) 60mΩ，非常適合車載充電器、...
QorvoSiC FET電動汽車 2024-01-30

Nexperia針對工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET

結(jié)合銅夾片封裝和寬禁帶半導(dǎo)體的優(yōu)勢基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術(shù)和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供更多選擇。經(jīng)過二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規(guī)模、高質(zhì)量的銅夾片SMD封裝...
NexperiaGaN FET器件SMD封裝 2023-12-11

EPC新推100 V GaN FET助力實(shí)現(xiàn)更小的電機(jī)驅(qū)動器，用于電動自行車、機(jī)器人和無人機(jī)

基于氮化鎵器件的EPC9194逆變器參考設(shè)計(jì)顯著提高了電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)的效率、扭矩而同時使得單位重量功率（比功率）增加了一倍以上。該逆變器非常微型，可集成到電機(jī)外殼中，從而實(shí)現(xiàn)最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出三相BLDC電機(jī)驅(qū)動逆變器參考設(shè)計(jì)(EPC9194)。它的工...
EPCGaN FET電機(jī)驅(qū)動器電動自行車機(jī)器人無人機(jī) 2023-11-09

Transphorm推出TOLL封裝FET，將氮化鎵定位為支持高功率能耗人工智能應(yīng)用的最佳器件

三款新器件為SMD的高功率系統(tǒng)帶來了SuperGaN的常閉型(Normally-Off D-Mode)平臺優(yōu)勢，此類高功率系統(tǒng)需要在高功率密度的情況下實(shí)現(xiàn)更高的可靠性和性能，并產(chǎn)生較低的熱量新世代電力系統(tǒng)的未來、氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款TO...
TransphormTOLL封裝FET人工智能 2023-11-07

Nexperia推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E－mode GAN FET

業(yè)內(nèi)唯一可同時提供級聯(lián)型（cascade）和增強(qiáng)型（e-mode）氮化鎵器件的供應(yīng)商基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode（增強(qiáng)型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功...
NexperiaE－mode GAN FET 2023-05-10

Transphorm推出六款可與e－mode設(shè)備實(shí)現(xiàn)引腳對引腳兼容的SuperGaN FET產(chǎn)品

Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)是一家提供高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的領(lǐng)軍企業(yè)和全球供應(yīng)商。公司宣布推出六款表面貼裝器件（SMD），采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)PQFN 5x6和8x8封裝。這些SMD提供Transphorm專利SuperGaN® d-mode雙開關(guān)常閉式平臺所帶來的可靠性和性能優(yōu)勢，并采用為競品e-mode G...
TransphormSuperGaN FET 2023-05-05

貿(mào)澤開售采用D2PAK－7L 封裝的工業(yè)用UnitedSiC 750V UJ4C／SC SiC FET

提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件™的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo®收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應(yīng)晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項(xiàng)提供低開關(guān)損耗、在...
D2PAK－7L 封裝UJ4C／SC SiC FET 2022-09-23

UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo收購）為功率設(shè)計(jì)擴(kuò)展高性能且高效的750V SiC FET產(chǎn)品組合

移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo®, Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案，Qorvo 的 SiC FET 針對快速增長的車載充電器、軟開關(guān) DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）和 IT/...
UnitedSiCQorvoSiCFET 2022-08-04

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