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應(yīng)用開發(fā)

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意法半導(dǎo)體65W GaN變換器為注重成本的應(yīng)用提供節(jié)省空間的電源方案

目標應(yīng)用鎖定快充、適配器和家電電源意法半導(dǎo)體的 VIPerGaN65D 反激式轉(zhuǎn)換器采用SOIC16封裝，可以用于設(shè)計體積較小的高性價比電源、適配器和 USB-PD (電力輸送) 快速充電器，最大輸出功率可達65W，輸入電壓為通用電網(wǎng)電壓。這款準諧振離線變換器集成一個700V GaN (氮化鎵) 晶體管和優(yōu)化的柵極...
意法半導(dǎo)體65W GaN變換器 2025-03-26

Nexperia擴展GaN FET產(chǎn)品組合，現(xiàn)可支持更多低壓和高壓應(yīng)用中的功率需求

新增產(chǎn)品確保了Nexperia持續(xù)擁有業(yè)內(nèi)廣泛的GaN FET產(chǎn)品類型 Nexperia今日宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個市場，包括消費電子、工業(yè)、服務(wù)器/計算以及電信，尤其著重于支持高...
NexperiaGaN FET產(chǎn)品組合 2025-03-19

ROHM 攜手 ATX，650V 耐壓 GaN HEMT “GNP2070TD－Z” 量產(chǎn)啟航

同時加快車載GaN器件的開發(fā)速度，以盡快投入量產(chǎn) 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產(chǎn)。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優(yōu)異的電流容量和開關(guān)特性，因此在工業(yè)設(shè)備、車載設(shè)備以及需要支持大...
ATXGaN HEMTrohm 2025-02-14

全新MASTERGAN1，讓GaN晶體管更具說服力和直觀性

前不久意法半導(dǎo)體發(fā)布了全新MASTERGAN1產(chǎn)品，它同時集成了半橋驅(qū)動器和兩個增強模式氮化鎵（GaN）晶體管，類似的競爭產(chǎn)品僅僅只包含單個氮化鎵晶體管，這使得ST的MASTERGAN1在半橋拓撲應(yīng)用中優(yōu)勢明顯。例如，常見的 AC-DC系統(tǒng)中 LLC諧振轉(zhuǎn)換器，有源鉗位反激或正激，圖騰柱PFC等等。該款新器件具有...
MASTERGAN1氮化鎵晶體管GaN意法半導(dǎo)體 2024-12-11

CGD新型ICeGaN GaN功率IC使數(shù)據(jù)中心、逆變器和工業(yè)開關(guān)電源的實現(xiàn)超高效率

采用新型熱阻增強封裝的P2系列表現(xiàn)出超高的電氣性能，支持具有挑戰(zhàn)性的高功率應(yīng)用，堅固可靠無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出采用新穎的芯片和封裝設(shè)計的、超低導(dǎo)通電阻(RDS(on)...
CGDGaN功率IC 2024-06-12

CGD為數(shù)據(jù)中心、逆變器等更多應(yīng)用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝

新封裝提供了更高的功率輸出、便于光學檢查、節(jié)省了系統(tǒng)成本，并提高了可靠性無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN™ 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 封裝，它們具有低熱阻并便于...
CGDGaN 功率 IC 封裝 2024-06-05

英諾賽科發(fā)布100V車規(guī)級GaN，持續(xù)推進汽車激光雷達市場

英諾賽科宣布推出100V車規(guī)級氮化鎵器件INN100W135A-Q，該器件已通過AEC-Q101 認證，適用于自動駕駛及其他先進駕駛輔助系統(tǒng)應(yīng)用中的車規(guī)級激光雷達、高功率密度DC-DC變換器、D類音頻。在激光雷達領(lǐng)域，氮化鎵器件的Qg、Qoss等參數(shù)相比硅器件提升1.5~3倍；與早期激光雷達產(chǎn)品相比，采用氮化鎵能夠?qū)㈤_...
英諾賽科GaN汽車激光雷達 2023-12-29

Nexperia針對工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET

結(jié)合銅夾片封裝和寬禁帶半導(dǎo)體的優(yōu)勢基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術(shù)和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計人員提供更多選擇。經(jīng)過二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規(guī)模、高質(zhì)量的銅夾片SMD封裝...
NexperiaGaN FET器件SMD封裝 2023-12-11

EPC新推100 V GaN FET助力實現(xiàn)更小的電機驅(qū)動器，用于電動自行車、機器人和無人機

基于氮化鎵器件的EPC9194逆變器參考設(shè)計顯著提高了電機驅(qū)動系統(tǒng)的效率、扭矩而同時使得單位重量功率（比功率）增加了一倍以上。該逆變器非常微型，可集成到電機外殼中，從而實現(xiàn)最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出三相BLDC電機驅(qū)動逆變器參考設(shè)計(EPC9194)。它的工...
EPCGaN FET電機驅(qū)動器電動自行車機器人無人機 2023-11-09

Cambridge GaN Devices推出獨特的二維條形碼，提高工藝穩(wěn)健性和可靠性

CGD 率先推出獨立的 GaN 芯片二維條形碼，可通過商用讀碼器讀取以識別晶圓上的 IC 制造位置英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 再一次通過領(lǐng)先行業(yè)的創(chuàng)新舉措展示公司的創(chuàng)新決心：在 GaN IC...
Cambridge GaN Device...GaN 芯片二維條形碼 2023-09-25

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