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↓在新品中搜索到 11 條關于“MRAM”的信息，用時:0.002 sec.

恩智浦發布全新一代S32K5微控制器系列，推進SDV區域控制架構發展，擴展CoreRide平臺

• 全新一代MCU可以滿足各種區域控制架構和電氣化系統需求，助力汽車制造商向軟件定義汽車（SDV）過渡 • 將出色的高運算性能與嵌入式MRAM內存相結合，在實現多個ECU整合的同時，不影響低延遲性和高效性 • 恩智浦CoreRide平臺通過生態系統合作伙伴提供預集成的軟件和參考解決方案，加快...
恩智浦S32K5微控制器系列SDV區域控制架構 2025-03-12

TDK成功研發出用于神經形態設備的“自旋憶阻器”，并與CEA及日本東北大學強強聯合，實現神經形態設備在現實中的部署應用，將AI應用的電力消耗降低百倍

• TDK成功研發出免受環境影響且能長期儲存數據的“自旋憶阻器”• 與CEA合作，“自旋憶阻器”已被證明可以作為神經形態設備的基本元件• 為了該技術的實際開發，TDK正與日本東北大學創新集成電子系統研發中心（CIES）通力協作，共同開展半導體流程中的原型設計• 此次研發是TDK與...
TDK神經形態元件自旋憶阻器AI 2024-10-08

Alif Semiconductor宣布推出先進的BLE和Matter無線微控制器，搭載適用于AI／ML工作負載的神經網絡協同處理器

全新Balletto™系列無線MCU基于Alif Semiconductor先進的MCU架構，該架構具有DSP加速和專用NPU，可快速且低功耗地執行AI/ML工作負載先進的安全、互聯、節能的人工智能和機器學習（AI/ML）微控制器（MCU）和融合處理器供應商Alif Semiconductor®今天宣布推出Balletto™系列。該系列是先進...
Alif SemiconductorBLEMatter無線微控制器 2024-04-18

Everspin推出更高容量MRAM產品MR4A16B

磁性隨機存儲器(MRAM)和集成磁（Integrated Magnetic）產品的領導廠商Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM，進一步強化了該公司在MRAM領域的領導地位。現在，所有需要無電數據保持以及SRAM性能的應用都可使用具有非揮發性、高性能、以及高可靠性優勢的MRAM技術。 MR4A16B 是一款3.3V、并行I/O非揮發RA...
EverspinMR4A16BMRAM 2010-05-19

Everspin推出標準封裝串行MRAM MR25H

Everspin推出標準封裝的串行MRAM MR25H，MR25H非易失性串行MRAM存儲器系列包括256KB，512KB和1MB器件。該器件沒有寫入延遲，時鐘速度高達40MHz，本質上具有無限耐用性以及超過20年的數據保存。該IC采用標準SPI接口，工作電壓為2.7~3.6V，典型睡眠電流為3uA。器件采用低高度8引腳DFN標準封裝，工作溫度...
EverspinMR25HMRAM 2010-03-12

Cypress推出2 Mbit和8Mbit nvSRAM CY14B102/8

Cypress推出 2 Mbit 和 8 Mbit 非易失性靜態隨機存取存儲器（nvSRAM），進一步豐富了公司旗下從 16 Kbit 到 8 Mbit 的nvSRAM 產品系列。該新型產品的存取時間短至 20 納秒，支持無限次的讀寫與調用循環，而且數據能保存 20 年之久。nvSRAM 為需要持續高速寫入數據和絕對非易失性數據安全的應用提供了最...
8 Mbit nvSRAMCY14B102/8汽車電子 2008-08-04

Cypress推出0.13微米SONOS生產的4-Mbit nvSRAM

賽普拉斯推出了一款4-Mbit非易失性靜態隨機存儲器（nvSRAM）產品。這款新器件產品的特色包括15 ns的快速存取時間、無限次讀取、寫入和調用循環、以及20年的數據保留期，十分適用于那些要求連續高速數據寫入和絕對非易失性數據安全性的應用，包括RAID應用、嚴苛的環境下的工業控制設備以及汽車、醫療和數...
4-Mbit nvSRAMSONOS 2007-10-19

瑞薩科技研制高速高可靠性的MRAM技術

12月15日訊,瑞薩科技公司宣布研制出一種高速度、高可靠性的MRAM（磁阻式隨機存取存儲器）技術，用于系統級芯片（SoC）.有希望在工作電壓為1.2 V時達到超過143 MHz的高速度, 重復寫入次數超過一千億次的高可靠性. 瑞薩科技采用這項技術，利用130 nm（納米）CMOS工藝制造了存儲容量為1 Mb的MRAM存儲器原...
存儲器 2004-12-22

Motorola的首個4 Mb MRAM芯片

10月27日訊,Motorola公司推出業界首個4Mb的磁阻型隨機存取存儲器(MRAM)芯片,現在可向有選擇的客戶提供樣品. 4Mb MRAM芯片是采用o.18um技術制造.MRAM是一種革命性存儲器技術,它具有難以置信的持久性和速度,能替代今天的半導體存儲器技術.MRAM在單一芯片組合了三種主要存儲器的性能:eDRAM的密度,eSRAM的...
2003-10-28

MRAM解決手提設備上電延時和數據遺失

摩托羅拉半導體事業部和摩托羅拉實驗室合作推出了1M位磁阻隨機存儲器(MRAM)通用存儲芯片。1M位MRAM存儲器能消除電子設備中共同問題，如計算機和手機的上電慢，數據遺失，裝載數據長時間等待，電池壽命短等。MRAM設計成允許所有的程序和數據保持在局部的存儲器，即使在電源關斷時。它也能期望消除手機開...
MRAM手機 2002-07-12

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