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↓在新品中搜索到 76 條關(guān)于“NPN”的信息，用時:0.003 sec.

倍福推出新型 EtherCAT 數(shù)字量輸入和輸出端子模塊

全新的 EL14xx 與 EL24xx 系列 EtherCAT 端子模塊進(jìn)一步豐富了倍?，F(xiàn)有的數(shù)字量輸入與數(shù)字量輸出產(chǎn)品線，并巧妙地將用戶熟悉的功能與經(jīng)過優(yōu)化的電路架構(gòu)融為一體。通用型 EL14xx 和 EL24xx 系列 EtherCAT 端子模塊為倍福的產(chǎn)品線帶來了前所未有的靈活性。這些產(chǎn)品不僅確保了對未來技術(shù)的適應(yīng)性，...
倍福EtherCAT端子模塊 2024-12-20

Nexperia推出采用空間和能源效率較高的DFN2020D－3封裝的熱門功率BJT

滿足行業(yè)對采用更現(xiàn)代封裝的功率雙極結(jié)型晶體管的需求Nexperia今日宣布其廣受歡迎的功率雙極結(jié)型晶體管(BJT)產(chǎn)品組合再次擴(kuò)展，推出采用DFN2020D-3封裝的十款標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品和十款汽車級產(chǎn)品。這些新器件的額定電壓為50 V和80 V，支持NPN和PNP極性的1 A至3 A電流范圍，進(jìn)一步鞏固了Nexperia作為市場領(lǐng)先供應(yīng)商...
NexperiaDFN2020D－3封裝熱門功率BJT 2024-09-02

Diodes公司的雙極晶體管采用 3．3mm x 3．3mm 封裝并提供更高的功率密度

Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 為領(lǐng)先業(yè)界的高質(zhì)量應(yīng)用特定標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品全球制造商與供貨商，產(chǎn)品涵蓋廣泛領(lǐng)域，包括獨立、邏輯、模擬及混合訊號半導(dǎo)體市場。公司推出 NPN 與 PNP 功率雙極晶體管，采用小尺寸封裝 (3.3mm x 3.3mm)，可為需要高達(dá) 100V 與 3A 的應(yīng)用提供更高的功率密度。新款 NPN 與 PNP 晶體管...
SOT223NPN與PNP功率雙極晶體...線性 DC－DC 降壓穩(wěn)壓... 2019-03-12

Diodes推出全球首批采用DFN0606封裝的NPN晶體管MMBT3904FZ和BC847BFZ

Diodes推出全球首批采用DFN0606封裝的NPN晶體管MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP晶體管MMBT3906FZ和BC857BFZ。新產(chǎn)品的電路板面積僅0.36mm2，比采用了DFN1006 (SOT883) 封裝的同類型器件小40%，并能提供相等甚至更佳的電氣性能。這些器件的離板高度只有0.4mm，非常適合智能手表、健康和健身設(shè)備等可穿戴產(chǎn)...
BC847BFZDFN0606封裝DiodesMMBT3904FZNPN晶體管 2015-01-28

Vishay推出新款PIN光敏二極管和NPN平面光敏三極管

Vishay Intertechnology宣布，推出通過AEC-Q101認(rèn)證的新款VEMD25x0X01高速硅PIN光敏二極管和VEMT25x0X01 NPN平面光敏三極管，擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。器件采用1.8mm的鷗翼式和倒鷗翼式表面貼裝封裝，光探測器可檢測到可見光和近紅外輻射，采用2.3mmx2.3mmx2.8mm的緊湊占位。今天發(fā)布的器件針對儀表、...
NPN平面光敏三極管PIN光敏二極管Vishay 2010-07-27

Diodes推出全新20V NPN及PNP雙極晶體管

Diodes公司推出全新20V NPN及PNP雙極晶體管，它們采用超小型DFN1411-3表面貼裝封裝，能大大提升電源管理電路的功率密度和效率。該器件采用了Diodes第五代矩陣射極雙極工藝設(shè)計 (5 matrix emitter Bipolar process)。這對互補性器件ZXTN26020DMF和ZXTP26020DMF的占位面積只有1.1 x 1.4毫米，離版高度為...
DiodesNPNPNP雙極晶體管 2010-07-20

Centralsemi推出低VCE(SAT)晶體管CMBT3904E(NPN)和CMBT3906E(PNP)

兩種小信號晶體管，CMBT3904E(NPN)和CMBT3906E(PNP)，采用節(jié)省空間的SOT-923表面貼裝封裝。兩器件均為40V通用晶體管，最大集成器電流為200mA，典型的低VCE(SAT)規(guī)格為0.057V@10mA和0.1V@50mA。SOT-923表面貼裝封裝最大高度為0.41mm，電路板面積為1.1mmx0.65mm。該封裝器件功耗為100mW，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。C...
CentralsemiCMBT3904E(NPN)CMBT3906E(PNP)VCE(SAT)晶體管 2009-08-28

Linear推出下一代 NPN LDO系列最新成員 LT3085

Linear推出下一代 NPN LDO 系列的最新成員 LT3085，該系列 LDO 可以非常容易地為散熱而并聯(lián)，并可用單個電阻調(diào)節(jié)至"0V"。這個新架構(gòu)穩(wěn)壓器使用電流基準(zhǔn)而不是普通的電壓基準(zhǔn)，以允許通過直接并聯(lián)其引腳而在多個穩(wěn)壓器之間實現(xiàn)共享。電流共享是通過把一小段 PC 走線作為鎮(zhèn)流電阻來設(shè)定，從而在...
NPN LDO系列LT3085電壓基準(zhǔn) 2008-10-10

Vishay 推出PLCC-2 封裝VEMT 系列硅 NPN 光電晶體管

Vishay推出采用可與無鉛 (Pb) 焊接兼容的 PLCC-2 表面貼裝封裝的新系列 VEMT 寬角光電晶體管。VEMT 系列中的器件可作為 Vishay 當(dāng)前的 TEMT 系列光電晶體管的針腳對針腳及功能等同的器件，從而可實現(xiàn)快速輕松的替代，以滿足綠色環(huán)保對無鉛 (Pb) 焊接要求。 Vishay 當(dāng)前的 TEMT 系列光電晶體管為無鉛 ...
PLCC-2 封裝VEMT 系列硅 NPN 光電晶體管 2008-04-14

安森美擴(kuò)展高能效低 Vce(sat) 雙極結(jié)晶體管產(chǎn)品

安森美半導(dǎo)體推出采用先進(jìn)硅技術(shù)的 PNP 與 NPN 器件，豐富了其業(yè)界領(lǐng)先的低 Vce(sat) 雙極結(jié)晶體管 (BJT) 產(chǎn)品系列。這兩種新型晶體管與傳統(tǒng)的 BJT 或平面 MOSFET相比，不僅實現(xiàn)了能效的最大化，而且還延長了電池的使用壽命。最新的低 Vce(sat) BJT 包括WDFN、SOT-23、SOT-223、SOT-563、ChipFET 及 SC...
NPN器件雙極結(jié)晶體管 2007-07-10

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