全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)宣布擴(kuò)展其 CoolSiC™ 650 V G2 系列 MOSFET產(chǎn)品組合,新增 75 mΩ 規(guī)格型號,以滿足市場對更緊湊、更高功率密度系統(tǒng)的需求。該系列器件提供多種封裝選擇,包括... (來源:新品頻道)
英飛凌CoolSiCMOSFET 2025-9-23 09:23
全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日宣布與臺達(dá)電子工業(yè)股份有限公司(Delta Electronics, Inc.)強(qiáng)化既有合作伙伴關(guān)系,共同開發(fā)高功率密度電源模塊,為超大型數(shù)據(jù)中心的AI處理器提供領(lǐng)先的垂直供電解決方案。這是雙方共同推動AI數(shù)據(jù)中心邁向低碳化與數(shù)字化的重要一步。 ... (來源:新品頻道)
英飛凌臺達(dá)電源模塊 2025-8-29 09:16
來自印度的深科技初創(chuàng)公司Reflex Drive選擇英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)的半導(dǎo)體功率器件,用于其下一代無人機(jī)(UAV)電機(jī)控制解決方案。通過集成英飛凌OptiMOS™ 80 V和100 V功率器件,Reflex Drive的電子調(diào)速器(ESC)實(shí)現(xiàn)了更好的熱管理和更高的效率,從而在緊湊的設(shè)... (來源:新品頻道)
英飛凌OptiMOSMOTIX功率器件無人機(jī)電機(jī)控制 2025-6-23 11:07
全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)擴(kuò)展旗下XDP™ 數(shù)字保護(hù)產(chǎn)品系列,推出 XDP711-001。這是一款擁有 48 V 寬輸入電壓范圍的數(shù)字熱插拔控制器,具備可編程安全操作區(qū)域(SOA)控制且專為高功率 AI 服務(wù)器設(shè)計。該控制器擁有出色的輸入及... (來源:新品頻道)
英飛凌AI服務(wù)器48 V熱插拔控制器 2025-3-17 09:25
電子行業(yè)正在向更加緊湊而強(qiáng)大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢并進(jìn)一步推動系統(tǒng)層面的創(chuàng)新,全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正在擴(kuò)展其CoolSiC™ MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合,推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產(chǎn)品系列... (來源:新品頻道)
英飛凌CoolSiC MOSFET 650 V G2 2025-2-20 11:33
為了滿足AI服務(wù)器和電信領(lǐng)域的安全熱插拔操作要求,MOSFET必須具有穩(wěn)健的線性工作模式和較低的 RDS(on) 。英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出的新型OptiMOS™ 5 Linear FET 2解決了這一難題,這款MOSFET專為實(shí)現(xiàn)溝槽 MOSFET的RDS(on)與經(jīng)典平面 MOSFET 的寬安全工作區(qū)(S... (來源:新品頻道)
英飛凌OptiMOS Linear FET 2 MOSFET 熱插拔技術(shù)電池保護(hù) 2024-11-25 15:27
數(shù)據(jù)中心目前占全球能源消耗的2%以上。在人工智能的推動下,預(yù)計到2030年,這一數(shù)字將增長到7%左右,相當(dāng)于整個印度目前的能耗。實(shí)現(xiàn)從電網(wǎng)到核心的高效功率轉(zhuǎn)換對于實(shí)現(xiàn)卓越的功率密度至關(guān)重要,從而在降低總擁有成本(TCO)的同時提高計算性能。因此,英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)將推... (來源:新品頻道)
英飛凌TDM2354xDTDM2354xT雙相電源模塊 2024-11-5 14:35
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正在擴(kuò)大其用于汽車應(yīng)用的下一代OptiMOS™ 7 MOSFET產(chǎn)品組合,在40 V 產(chǎn)品組合中新增了采用穩(wěn)健且無鉛封裝的器件,并且推出了80 V和100 V型號的OptiMOS™ 7 MOSFET。這些MOSFET針對各項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)和未來的48 V汽車應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,包括電動助... (來源:新品頻道)
英飛凌 OptiMOS 7 MOSFET 導(dǎo)通電阻 2024-6-18 14:53
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出其最新先進(jìn)功率MOSFET 技術(shù)—— OptiMOS™ 7 80 V的首款產(chǎn)品IAUCN08S7N013。該產(chǎn)品的特點(diǎn)包括功率密度顯著提高,和采用通用且穩(wěn)健的高電流SSO8 5 x 6 mm² SMD封裝。這款OptiMOS™ 7 80 V產(chǎn)品 非常適合即將推出的 48 V板網(wǎng)應(yīng)用... (來源:新品頻道)
功率MOSFET 技術(shù)導(dǎo)通電阻80 V MOSFET OptiMOS 7 2024-4-15 15:05
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼: IFNNY)推出采用 OptiMOS™ MOSFET技術(shù)的SSO10T TSC 封裝。該封裝采用頂部直接冷卻技術(shù),具有出色的熱性能,可避免熱量傳入或經(jīng)過汽車電子控制單元的印刷電路板(PCB)。該封裝能夠?qū)崿F(xiàn)簡單、緊湊的雙面PCB設(shè)計,并更大程度地降低未來汽車電源設(shè)計... (來源:新品頻道)
英飛凌 功率MOSFET SSO10T TSC頂部冷卻封裝 2024-4-12 11:34