全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,已開始量產TOLL(TO-LeadLess)封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產品。與同等耐壓和導通電阻的以往封裝產品(TO-263-7L)相比,其散熱性提升約39%,雖然體型小且薄,卻能支持大功率。該產品非常適用于功率密度日益提高的服務器電... (來源:新品頻道)
ROHMSiC MOSFET 2025-10-16 17:02
——專訪安森美高級現場應用工程師陳熙 在AI技術飛速發展的當下,數據中心作為算力樞紐,正面臨著日益嚴峻的能耗挑戰。為深入了解行業應對之策,中電網特別專訪了安森美高級現場應用工程師陳熙,圍繞AI數據中心的能耗困境、安森美的技術解決方案、供應鏈保障及未來研發方向展開深入探討。... (來源:新聞頻道)
AI 數據中心硅溝槽功率 MOSFETSiC MOSFET 2025-10-16 09:28
電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇,但碳化硅器件憑借其優異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅,碳化硅具備多項技術優勢(圖1),這使其在電動汽車、數據中心,以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能... (來源:新聞頻道)
碳化硅Cascode JFET碳化硅器件氮化鎵 2025-10-15 13:15
據“芯聯集成”官方微信號消息,近日,芯聯集成與理想汽車隆重舉辦了“理想?&芯聯集成合作伙伴交流會暨BAREDIE晶圓下線儀式”,這標志著雙方在碳化硅產品領域的深度合作取得了重大階段性成果。芯聯集成董事長、總經理趙奇,理想汽車供應鏈高級副總裁孟慶鵬等公司高層共同出席本... (來源:新聞頻道)
芯聯集成理想汽車碳化硅晶圓汽車 2025-10-13 16:16
圣邦微電子推出 SGMNQ12340,一款 40V 耐壓、低導通電阻、輸入電容低、切換速度快、高性能的 N 溝道 MOSFET。該器件可應用于 VBUS 過壓保護開關、AMOLED 顯示控制器、電池充放電開關及 DC/DC 轉換器。 SGMNQ12340 具有低導通電阻的顯著特點,其典型值僅為 13mΩ(VGS = 10V),最大值不... (來源:新品頻道)
圣邦微電子MOSFET SGMNQ12340 2025-10-13 14:08
作者:安森美 斷路器是一種用于保護電路免受過流、過載及短路損害的裝置。它不用于保護人員免受電擊,而用于防范此類電擊的裝置被稱為剩余電流裝置(RCD) 或接地故障斷路器(GFCI) 。該裝置可檢測泄漏電流并切斷電路。 機電式斷路器的設計可追溯至 20 世紀 20 年代,如今仍... (來源:技術文章頻道)
固態斷路器SiC JFET 2025-9-30 13:09
機器人技術正以驚人速度發展,從配送包裹的無人機到與人協作的人形機器人(Humanoids)和協作機器人(Cobots),各類形態的機器人對電源、安全性和效率提出了差異化需求。瑞薩電子電源系統營銷高級經理堀井浩久(Hirohisa Horii)在 PowerUP 播客中指出,不同類型機器人的電源設計邏輯截然不同:電池供... (來源:技術文章頻道)
瑞薩電子機器人電源設計氮化鎵 2025-9-29 11:00
龍騰半導體最新推出650V/40A/99mΩ超結MOSFET,其內置FRD,適應LLC應用,并適合多管應用,具有更快的開關速度,更低的導通損耗;極低的柵極電荷(Qg),大大提高系統效率和優異的EMI性能。 該產品耐壓為650V,導通電阻僅為99mΩ,使得MOS管在導通狀態下實現更小的功率損耗和更高的效率,同... (來源:新品頻道)
龍騰半導體MOSFET 2025-9-28 10:02
9月24日至26日,作為化合物半導體行業的先進企業,三安精彩亮相電力電子盛會PCIM Asia上海展。在N5館-B50展臺,三安集中展示了涵蓋碳化硅全產業鏈的核心產品與解決方案,包括SiC MOSFET/SBD、襯底、外延片、車規級模塊等,覆蓋新能源汽車、光伏儲能、工業控制等關鍵應用場景。展會現場人流如織,三安技... (來源:新聞頻道)
三安 2025-9-26 14:34
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出采用東芝最新一代工藝[1]U-MOS11-H制造的100V N溝道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。該MOSFET主要面向開關電源等應用,適用于數據中心和通信基站使用的工業設備。產品于今日開始正式出貨。 100V U... (來源:新品頻道)
東芝MOSFET開關電源 2025-9-25 15:16