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• TDK成功研發(fā)出免受環(huán)境影響且能長期儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的“自旋憶阻器”• 與CEA合作,“自旋憶阻器”已被證明可以作為神經(jīng)形態(tài)設(shè)備的基本元件• 為了該技術(shù)的實(shí)際開發(fā),TDK正與日本東北大學(xué)創(chuàng)新集成電子系統(tǒng)研發(fā)中心(CIES)通力協(xié)作,共同開展半導(dǎo)體流程中的原型設(shè)計(jì)• 此次研發(fā)是TDK與... (來源:新品頻道)
TDK 神經(jīng)形態(tài)元件 自旋憶阻器 AI 2024-10-8 14:17
· 將在年內(nèi)向客戶供應(yīng)最高性能、最大容量的12層HBM3E· 與上一代相較單一DRAM芯片薄40%,維持相同的整體厚度的同時(shí),其容量卻提高了50%· “將以壓倒性的產(chǎn)品性能和競爭力延續(xù)HBM的成功故事”SK海力士宣布,公司全球率先開始量產(chǎn)12層HBM3E新品,實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)有HBM*產(chǎn)品中最大*的36GB(千兆字節(jié)... (來源:新品頻道)
SK海力士 HBM3E存儲(chǔ)器 2024-9-29 09:40
采用Conformal Coating表面涂層技術(shù)保護(hù)內(nèi)存模塊免受氣候環(huán)境腐蝕,提升數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的可靠性并降低成本隸屬SGH (Nasdaq: SGH) 控股集團(tuán),全球?qū)I(yè)內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者 SMART Modular 世邁科技 (“SMART”) 宣布推出全新具備Conformal Coating表面涂層的DDR5 Registered... (來源:新品頻道)
世邁科技 沉浸式液冷服務(wù)器 DDR5 RDIMM內(nèi)存模塊 2024-8-15 09:30
愛普 UHS PSRAM擁有更強(qiáng)性能、低功耗、少引腳數(shù)特點(diǎn),瞄準(zhǔn)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用場景全球客制化存儲(chǔ)芯片解決方案設(shè)計(jì)公司愛普科技與硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)(SIP)、平臺(tái)與IP設(shè)計(jì)服務(wù)供貨商Mobiveil今日宣布,已成功開發(fā)出專屬愛普的Ultra High Speed (UHS) PSRAM的IP控制器,為SoC業(yè)者提供一個(gè)更高性能、更低功耗的全新選... (來源:新品頻道)
愛普科技 Mobiveil UHS PSRAM控制器 SOC 2024-6-7 09:33
該產(chǎn)品線提供了并行SRAM的低成本替代方案,容量高達(dá) 4 Mb,具有143 MHz SPI/SQI™通信功能為滿足客戶對更大更快的 SRAM 的普遍需求,Microchip Technology(微芯科技公司)擴(kuò)展了旗下串行SRAM產(chǎn)品線,容量最高可達(dá)4 Mb,并將串行外設(shè)接口/串行四通道輸入/輸出接口(SPI/SQI™)的速度提高到1... (來源:新品頻道)
Microchip 串行SRAM產(chǎn)品線 SRAM存儲(chǔ)器 2024-3-29 15:13
在相同封裝尺寸下,容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍,功耗降低10%,且無需硅通孔(TSV)工藝即可生產(chǎn)128GB內(nèi)存模組此次新品為實(shí)現(xiàn)高達(dá)1TB容量的內(nèi)存模組奠定了基礎(chǔ)隨著12納米級(jí)內(nèi)存產(chǎn)品陣容的擴(kuò)展,三星將持續(xù)為AI,下一代計(jì)算等多行業(yè)的各種應(yīng)用提供支持三星宣布采用12納米(nm)級(jí)工藝技術(shù),開發(fā)出其容量最大的... (來源:新品頻道)
三星32Gb DDR5 DRAM 2023-9-1 15:01
Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited宣布推出汽車級(jí)I2C接口512Kbit FeRAM——MB85RC512LY。目前可提供評(píng)估樣品。URL:https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/en/products/feram/device/i2c-512k-mb85rc512ly.htmlMB85RC512LY是一款存儲(chǔ)密度為512Kbit的非易失性存儲(chǔ)器,在1.7V至1.95V的低電源... (來源:新品頻道)
Fujitsu汽車級(jí)I2C接口512Kbit FeRAMMB85RC512LY 2023-8-8 09:45
- 三星電子新款DRAM將于2023年開始量產(chǎn),以優(yōu)異的性能和更高的能效,推動(dòng)下一代計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用的發(fā)展三星電子宣布,已成功開發(fā)出其首款采用12納米(nm)級(jí)工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM,并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評(píng)估。 三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM 三星電子高級(jí)副... (來源:新品頻道)
三星電子 DDR5 DRAM 2022-12-21 10:42
• 業(yè)界最快的DDR5服務(wù)器,實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)8Gbps• 與英特爾、瑞薩電子合作,SK海力士領(lǐng)航MCR DIMM開發(fā)• 努力尋求技術(shù)突破,鞏固在服務(wù)器DRAM市場的領(lǐng)導(dǎo)地位SK海力士(或‘公司’,www.skhynix.com)今日宣布成功開發(fā)出DDR5多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組(MCR DIMM, Multiplexer Com... (來源:新品頻道)
SK海力士 服務(wù)器內(nèi)存模組MCR DIMM 2022-12-8 10:02
近日,英飛凌科技股份公司宣布該公司最新推出的8 Mbit和16 Mbit EXCELON™ F-RAM存儲(chǔ)器(鐵電存取存儲(chǔ)器)開始批量供貨。該系列儲(chǔ)存器是業(yè)界功率密度最高的串行F-RAM存儲(chǔ)器,能夠滿足新一代汽車和工業(yè)系統(tǒng)對非易失性數(shù)據(jù)記錄的需求,防止在惡劣的工作環(huán)境中丟失數(shù)據(jù)。新存儲(chǔ)器的工作電壓范圍為1.7... (來源:新品頻道)
英飛凌 串行F-RAM存儲(chǔ)器 2022-11-23 09:52
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