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ROHM開發出內置SiC二極管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列”

• 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發出650V耐壓、內置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列”（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），且均符合汽車電子產品可靠性標準“AEC-Q101*1”。該產品適用于以電氣化車輛為首的電動汽車（xEV）中的車載充電器和DC/DC...
• rohmIGBTRGWxx65C 2021-07-08