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瀾起科技宣布,推出基于CXL® 3.1 Type 3標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的內(nèi)存擴(kuò)展控制器(MXC)芯片M88MX6852,并已開(kāi)始向主要客戶送樣測(cè)試。該芯片全面支持CXL.mem和CXL.io協(xié)議,致力于為下一代數(shù)據(jù)中心服務(wù)器提供更高帶寬、更低延遲的內(nèi)存擴(kuò)展和池化解決方案。 瀾起科技CXL 3.1內(nèi)存擴(kuò)展控制器(MXC) 瀾起科技... (來(lái)源:新品頻道)
瀾起科技內(nèi)存擴(kuò)展控制器 2025-9-3 09:28
通過(guò)Solidigm™ D7-PS1010 E1.S 9.5mm規(guī)格尺寸和冷板技術(shù)的創(chuàng)新組合,打造業(yè)界創(chuàng)新的零風(fēng)扇 GPU 服務(wù)器 今日,全球領(lǐng)先的企業(yè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案提供商Solidigm在GTC AI 大會(huì)上宣布,推出創(chuàng)新的液冷企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán) (eSSD),助力行業(yè)消除傳統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備所需的風(fēng)扇,并為未來(lái)全液冷人工智... (來(lái)源:新品頻道)
SolidigmSSDAI 2025-3-20 10:01
· 將在年內(nèi)向客戶供應(yīng)最高性能、最大容量的12層HBM3E· 與上一代相較單一DRAM芯片薄40%,維持相同的整體厚度的同時(shí),其容量卻提高了50%· “將以壓倒性的產(chǎn)品性能和競(jìng)爭(zhēng)力延續(xù)HBM的成功故事”SK海力士宣布,公司全球率先開(kāi)始量產(chǎn)12層HBM3E新品,實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)有HBM*產(chǎn)品中最大*的36GB(千兆字節(jié)... (來(lái)源:新品頻道)
SK海力士 HBM3E存儲(chǔ)器 2024-9-29 09:40
• 開(kāi)發(fā)完成支持PCIe5.0 x8接口的‘PCB01’固態(tài)硬盤(pán),將于今年內(nèi)開(kāi)始量產(chǎn)并向市場(chǎng)推出• 面向PC的固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品中實(shí)現(xiàn)行業(yè)最高性能,專為端側(cè)AI應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化• “繼HBM后,也在NAND閃存解決方案領(lǐng)域引領(lǐng)面向AI的存儲(chǔ)器市場(chǎng)”SK海力士(或‘公司’,https://www.skhynix.com)28日宣布,公... (來(lái)源:新品頻道)
SK海力士 固態(tài)硬盤(pán)‘PCB01’ 2024-6-28 09:20
日前,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正式推出LPDDR5系列產(chǎn)品,包括12Gb的LPDDR5顆粒,POP封裝的12GB LPDDR5芯片及DSC封裝的6GB LPDDR5芯片。其中,12GB LPDDR5芯片目前已在國(guó)內(nèi)主流手機(jī)廠商小米、傳音等品牌機(jī)型上完成驗(yàn)證。 據(jù)介紹,LPDDR5是長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)面向中高端移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)推出的產(chǎn)品,它的市場(chǎng)化落地將進(jìn)一步完善長(zhǎng)鑫... (來(lái)源:新品頻道)
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) LPDDR5 2023-12-1 10:02
• 開(kāi)始量產(chǎn)并同時(shí)與全球智能手機(jī)客戶公司進(jìn)行驗(yàn)證• 以業(yè)界最高層、超小型產(chǎn)品,確保最高水平的成本和品質(zhì)競(jìng)爭(zhēng)力• "以NAND技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力為基礎(chǔ),期待下半年業(yè)績(jī)回升"SK海力士(或‘公司’,https://www.skhynix.com)8日宣布,已開(kāi)始量產(chǎn)238層4D NAND閃存,并正在與生產(chǎn)智能手機(jī)的海外客... (來(lái)源:新品頻道)
SK海力士4D NAND閃存 2023-6-8 11:30
• 業(yè)界最快的DDR5服務(wù)器,實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)8Gbps• 與英特爾、瑞薩電子合作,SK海力士領(lǐng)航MCR DIMM開(kāi)發(fā)• 努力尋求技術(shù)突破,鞏固在服務(wù)器DRAM市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位SK海力士(或‘公司’,www.skhynix.com)今日宣布成功開(kāi)發(fā)出DDR5多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組(MCR DIMM, Multiplexer Com... (來(lái)源:新品頻道)
SK海力士 服務(wù)器內(nèi)存模組MCR DIMM 2022-12-8 10:02
· 擁有當(dāng)前業(yè)界最佳性能的 HBM3 DRAM 內(nèi)存芯片,從開(kāi)發(fā)成功到量產(chǎn)僅用七 個(gè)月 · HBM3將與NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配,以實(shí)現(xiàn)加速計(jì)算(accelerated computing) · &nbs... (來(lái)源:新品頻道)
SK海力士HBM3 DRAM 2022-6-10 10:14
瀾起科技今日宣布在業(yè)界率先試產(chǎn)DDR5第二子代寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片M88DR5RCD02。該芯片支持的數(shù)據(jù)速率高達(dá)5600MT/s,特別適用于大數(shù)據(jù)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、邊緣計(jì)算等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用。 M88DR5RCD02符合最新的JEDEC第二子代DDR5寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(RCD02)標(biāo)準(zhǔn),與第一子代產(chǎn)品(M88DR5RCD01)相比,RCD02最... (來(lái)源:新品頻道)
瀾起科技DDR5RCD芯片 2022-5-9 10:40
隨著對(duì)數(shù)據(jù)處理的需求不斷發(fā)展,云基礎(chǔ)設(shè)施需要的解決方案應(yīng)具備:高帶寬、低延遲并且針對(duì)高效利用資源進(jìn)行了優(yōu)化。Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)今日宣布其Flashtec® 控制器系列推出全新產(chǎn)品——NVMe® 4016 固態(tài)硬盤(pán)(SSD)控制器。作為業(yè)界性能最強(qiáng)的PCIe® 第五代NVMe ... (來(lái)源:新品頻道)
MicrochipPCIeNVMe 固態(tài)硬盤(pán)控制器 2022-3-4 16:19
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