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意法半導體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅動器在高壓電力變換和工業(yè)應用中節(jié)省空間，簡化電路設計。 IGBT驅動器STGAP2HD 和SiC MOSFET驅動器STGAP2SICD 利用意法半導體最新的電隔離技術，采用SO-36W 寬體封裝，能夠耐受6kV瞬變電壓。此外，±100V/ns dv/dt 瞬變耐量可防止... （來源：新品頻道）
意法半導體SiCIGBT開關電路STGAP2HD STGAP2SICD 2022-2-15 17:02
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