意法半導體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅動器在高壓電力變換和工業應用中節省空間,簡化電路設計。 IGBT驅動器STGAP2HD 和SiC MOSFET驅動器STGAP2SICD 利用意法半導體最新的電隔離技術,采用SO-36W 寬體封裝,能夠耐受6kV瞬變電壓。此外,±100V/ns dv/dt 瞬變耐量可防止... (來源:新品頻道)
意法半導體SiCIGBT開關電路STGAP2HD STGAP2SICD 2022-2-15 17:02