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Vishay推出采用源極倒裝技術PowerPAK 1212－F封裝的TrenchFET 第五代功率MOSFET

• 器件采用中央柵極結構3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212‑F封裝，提高系統功率密度，改進熱性能日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出多功能新型30V n溝道TrenchFET® 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，進一步提高工業、計算機、消費電子和通...
• VishayTrenchFET第五代功率MOSFETSiSD5300DN 2024-02-21