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Vishay推出新款共漏極雙N溝道60V MOSFET，提高功率密度和效率

• 器件適用于24 V系統雙向開關，最佳RS‑S(ON)典型值低至10 mW，單位面積RS-S(ON)達業內最低水平日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用小型熱增強型PowerPAK® 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是業內最低RS...
• VishayMOSFETSiSF20DN 2019-12-12