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Vishay的新款80 V對稱雙通道 MOSFET的RDS(ON) 達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平，可顯著提高功率密度、能效和熱性能

節(jié)省空間型器件所需PCB空間比PowerPAIR 1212封裝分立器件減少50 %，有助于減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計(jì)日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新型80 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT，將高邊和低邊TrenchFET® Gen IV MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 ...
Vishay80 V對稱雙通道 MOSFE...SiZF4800LDT 2024-03-14

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