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專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿澤電子(Mouser Electronics)即日起開售Skyworks Solutions的高科技陶瓷帶通濾波器。這些超小型的表面貼裝陶瓷濾波器可用于靈活設計一系列通信應用，包括用于軍事無線電通信的便攜式收發器、地球勘探、航空、航空無線電導航和無線電定位應用。 貿... （來源：新品頻道）
貿澤Skyworks Solutions濾波器 2021-11-10 15:02
中國領先的高性能專用SoC芯片供應商上海泰矽微電子有限公司（以下簡稱“泰矽微”）宣布，正式量產業內超高集成度的信號鏈系列SoC芯片-TCAS，該系列芯片具備超低功耗、高性能、高精度、高可靠性等優點。 TCAS系列芯片集成了32位ARM® Cortex®-M0高性能內核，最高工作頻率可達48MHz，內置最... （來源：新品頻道）
上海泰矽微TCAS 2021-5-10 10:12
北卡羅來納州達勒姆 - （BUSINESS WIRE） - 科銳公司（Nasdaq：CREE）首先記錄另一個LED產業具有單顆大功率LED在134流明每瓦（LPW）提供近1600流明的示范與類似的色彩質量作為白熾燈泡。這個結果，Cree公司獲得在每瓦（LPW）以上的在真實世界中發現的操作條件下類似的顏色質量生產的LED的... （來源：新品頻道）
CreeLED照明SmartCast技術SC5平臺 2016-2-29 15:28
北卡羅來納州達勒姆 - （BUSINESS WIRE） - Avid解決方案，國際自動化，工業IT與制造業智能工程公司，選擇了克里（納斯達克：CREE），LED照明與SmartCast®技術為溫斯頓在其最新的美國辦事處提供智能光-Salem，NC該公司的新工廠完全被連接的燈光從克里照明，提供高達節能70％，并提供更好的光那就是... （來源：新品頻道）
CreeLED照明SmartCast技術 2016-2-22 14:08
Cree公司（Nasdaq：CREE）在LED照明引進CreeWaveMax™技術，光學的突破，使下一代光體驗的新時代引座員。今天挑戰的照明可能性，波導平臺功能的控制，均勻性和效率的革命性的組合來提供在那些聰明的在設計和功能的新外形卓越的視覺體驗 - 只有通過Cree®實現了LED技術。“Cree公司LED超越技術的... （來源：新品頻道）
CreeLED照明CreeWaveMax技術 2015-4-30 10:27
Microsemi推出新型750W RF晶體管擴展其基于碳化硅(silicon carbide，SiC)襯底氮化鎵(gallium nitride，GaN)高電子遷移率晶體管(high electron mobility transistor，HEMT)技術的射頻(radio frequency，RF)功率晶體管系列。在全系列空中交通管制和防撞設備中，MDSGN-750ELMV提供了突出的最高功率性能。目... （來源：新品頻道）
Microsemi750W RF晶體管碳化硅 2013-10-8 10:16
高通公司（NASDAQ: QCOM）旗下聯網和連接技術子公司高通創銳訊（Qualcomm Atheros）今日宣布，在臺北國際計算機展上推出Skifta™ Engine軟件應用程序。該軟件解決方案為原始設備制造商(OEM)提供預裝或新增設備，可在家庭內外輕松可靠地通過DLNA Certified®及UPnP設備之間傳送媒體內容。新推出... （來源：新品頻道）
高通創銳訊Skifta Engine 2012-6-8 09:46
高通公司（NASDAQ: QCOM）旗下聯網和連接技術子公司高通創銳訊（Qualcomm Atheros）今日宣布，針對娛樂應用的消費電子產品推出Skifta™ Media Shifting平臺。支持Skifta的設備將建立可相互運作的無線平臺架構，適用于在家庭內訪問及串流數字音樂、照片和視頻。首先推出的組件為Skifta無線音頻適配... （來源：新品頻道）
高通Qualcomm AtherosSkifta Media Shifting平臺 2012-1-13 10:25
高通公司（NASDAQ: QCOM)旗下聯網和連接技術子公司高通創銳訊（Qualcomm Atheros），今日宣布推出用于Android™智能手機和平板電腦的Skifta™ 1.0。Skifta讓所有Android設備變身成為全球媒體遙控器，讓用戶可以在家通過Wi-Fi網絡，或是在外利用3G網絡，輕松訪問和享受他們的音樂、視頻與照片... （來源：新品頻道）
高通Android智能手機平板電腦Skifta 1．0 2011-11-17 17:35
HVVi半導體推出首個高頻高電壓垂直場效應三極管（HVVFET?），HVVi的新構架為雷達和航空電子應用提供頻帶、電壓以及功率級，遠遠超過了目前的雙極性和LDMOS技術的性能。這一具有革命性新的正在申請專利的技術使得HVVi達到了可與非硅芯片技術的性能級別，而其成本水平卻極具吸引力。 作為初始發布的一部分... （來源：新品頻道）
HVVi高頻高電壓垂直場效應三極管HVVFET 2008-5-19 14:03
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