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HVV0405-175 高電壓垂直場(chǎng)效應(yīng)電晶體（HVVFET）適用于 UHF 頻帶的雷達(dá)應(yīng)用。工作頻帶覆蓋 420 至 470 MHz，可為系統(tǒng)設(shè)計(jì)師提供符合要求的 175-W RF 功率電晶體。 該晶體管在性能方面勝過(guò)同具競(jìng)爭(zhēng)性的雙級(jí)和 LDMOS 器件。當(dāng)脈沖寬度為 300 µs，脈沖占空比為 10%，VDD 為 50 以及 IDQ 為 50mA... （來(lái)源：新品頻道）
HVVi雷達(dá)高壓功率晶體管HVV0405-175 2008-12-26 15:19
HVVi Semiconductors日前推出公司首款硅RF功率三極管，用于空運(yùn)距離測(cè)量設(shè)備（DME），工作頻帶為1025——1150 MHz。新款HVV1012-060, HVV1012-100與HVV1012-250 RF三極管基于業(yè)界首款High Voltage Vertical Field Effect Transistor (HVVFET)，與競(jìng)爭(zhēng)性技術(shù)相比以更小的封裝提供更高輸出功率和增益。新... （來(lái)源：新品頻道）
HVVi半導(dǎo)體DME應(yīng)用HVVFET功率三極管 2008-11-24 16:13
HVVi半導(dǎo)體推出首個(gè)高頻高電壓垂直場(chǎng)效應(yīng)三極管（HVVFET?），HVVi的新構(gòu)架為雷達(dá)和航空電子應(yīng)用提供頻帶、電壓以及功率級(jí)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了目前的雙極性和LDMOS技術(shù)的性能。這一具有革命性新的正在申請(qǐng)專利的技術(shù)使得HVVi達(dá)到了可與非硅芯片技術(shù)的性能級(jí)別，而其成本水平卻極具吸引力。 作為初始發(fā)布的一部分... （來(lái)源：新品頻道）
HVVi高頻高電壓垂直場(chǎng)效應(yīng)三極管HVVFET 2008-5-19 14:03
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