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↓在新品中搜索到 31 條關于“eGaN”的信息，用時:0.002 sec.

EPC新推100 V GaN FET助力實現(xiàn)更小的電機驅動器，用于電動自行車、機器人和無人機

基于氮化鎵器件的EPC9194逆變器參考設計顯著提高了電機驅動系統(tǒng)的效率、扭矩而同時使得單位重量功率（比功率）增加了一倍以上。該逆變器非常微型，可集成到電機外殼中，從而實現(xiàn)最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。宜普電源轉換公司宣布推出三相BLDC電機驅動逆變器參考設計(EPC9194)。它的工...
EPCGaN FET電機驅動器電動自行車機器人無人機 2023-11-09

EPC推實現(xiàn)超低導通電阻的200V耐輻射晶體管，用于要求嚴格的航天應用

宜普電源轉換公司(EPC)擴展了其耐輻射氮化鎵產品系列，新推的200 V產品用于要求嚴格的機載和其他高可靠性環(huán)境下的電源轉換解決方案，它具備超低的導通電阻和極小型化等優(yōu)勢。 EPC公司宣布推出200 V、25 mΩ、80 APulsed的耐輻射GaN FET EPC7007。尺寸小至5.76 mm2，其總劑量等級大于1 Mrad...
EPC晶體管EPC7007 2022-08-15

基于eGaN FET的50 W、12 V/60 V升壓轉換器

50 W、12 V/60 V且基于eGaN FET的同步升壓轉換器采用簡單、低成本的拓撲結構，可實現(xiàn) 95.3%的峰值效率和低溫升。宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出雙向降壓或反向升壓轉換器演示板（EPC9162）。該演示板用于同步轉換器時采用100 V的EPC2052器件，以及用于同步自舉FET電路時，采用EPC2038器件。 E...
Digi－KeyGaN宜普電源轉換器 2021-10-22

EPC推出170 V eGaN FET，實現(xiàn)優(yōu)越同步整流，極具成本效益

宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出170 V、6.8 mΩ的EPC2059氮化鎵場效應晶體管(eGaN®FET），與目前用于高性能48 V同步整流的器件相比，EPC為設計工程師提供更小型化、更高效、更可靠且成本更低的器件。宜普電源轉換公司是增強型硅基氮化鎵（eGaN）功率場效應晶體管和集成電路的全球領先...
EPCeGaN 2020-11-13

EPC推出 100 V eGaN FET產品，性能更高成本更低

新一代100 V 氮化鎵場效應晶體管（eGaN FET）是48 VOUT同步整流、D類音頻放大器、汽車信息娛樂及激光雷達系統(tǒng)的理想功率器件。增強型硅基氮化鎵（eGaN）功率場效應晶體管和集成電路的全球領導廠商宜普電源轉換公司（EPC）最新推出的兩款100 V eGaN FET（EPC2218及EPC2204），性能更高并且...
eGaNEPC 2020-09-24

EPC推出低成本高功率密度eGaN FET，用于高頻功率變換

高效的電源轉換公司El Segundo的，CA，USA，這使得增強型氮化鎵上硅（的eGaN）功率場效應晶體管（FET）的電源管理應用程序（EPC），推出了EPC2039高功率密度的eGaN功率晶體管。該EPC2039是一個非常小的1.35毫米x1.35毫米（1.82平方毫米）80VDS，6.8A功率與最大的RDS（on）22MΩ具有5V的施加到柵晶體管...
El Segundo EP03C29高功率密度eGaN功率晶... 2015-08-17

EPC推出eGaN功率IC,具有集成自舉FET

埃爾塞貢多，CA，USA，這使得增強型氮化鎵上硅高效電源轉換公司（EPC）（的eGaN）功率場效應晶體管（FET）電源管理應用，推出了EPC2107（100V）和EPC2108（ 60V）的eGaN單片半橋功率集成電路具有集成自舉場效應管，消除柵極驅動誘導的反向恢復損失以及需要一個高邊鉗位。 EPC說，這是第一次，自舉FET已...
eGaN單片半橋功率集成...EPCEPC2107EPC2108FET功率場效應晶體管 2015-07-17

EPC公司推出5mΩ150V和7MΩ260V FET eGaN功率晶體管

EPC推出了兩個的eGaN場效應晶體管具有最大運行150°C的溫度和最大脈沖漏電流260A為150V EPC2033和140A為200V EPC2034，其中有一個典型的典型導通電阻（RDS（ON））和5mΩ的7MΩ，分別。應用包括DC-DC轉換器，同步整流DC / DC和AC / DC轉換器，電機驅動器，LED照明和工業(yè)自動化。該產品進一步擴大“寬松的間...
eGaN功率晶體管EPCEPC2033EPC2034 2015-05-29

EPC推出寬間距eGaN FET系列（40V，60V和100V版）

EPC（的eGaN）功率場效應晶體管（FET），用于功率管理的應用程序，已經推出設計有wider- 3的eGaN FET的間距連接布局。該產品擴大“寬松的間距”設備配備為1mm球距EPC的家人。更寬的間距允許額外的和更大的通孔的設備下的位置，以使高電流承載能力，盡管非常小2.6毫米x4.6毫米足跡。具體而言，新的eGaN功...
EPC寬間距eGaN FET系列 2015-05-25

Efficient Power Conversion Corporation推出新型eGaN功率晶體管

Efficient Power Conversion Corporation （EPC）宣布60 V EPC2035和100伏EPC2036的eGaN功率晶體管設計在價格上競爭，而跑贏硅。這些產品表明，氮化鎵可以取代硅半導體和帶動行業(yè)放回摩爾定律的增長曲線。通過今天的發(fā)布，有一個非硅技術，同時具有卓越的性能和價格與硅的第一次60年相比。價格，最后障...
Efficient Power Conv...eGaN功率晶體管 2015-05-04

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