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↓在 技術文章 中搜索到 574 條關于“Gan”的信息，用時:0.003 sec.

開關模式電源開始采用GaN開關

作者：Frederik Dostal，電源管理專家摘要在開關模式電源中使用GaN開關是一種相對較新的技術。這種技術有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術的準備情況，提到了所面臨的挑戰，并展望了GaN作為硅的替代方案在開關模式電源中的未來前景。如今，電源管理設計工程師常常會問...
開關模式電源GaN開關 2025-03-19

大聯大友尚集團推出基于Diodes產品的140W PD3.1 GaN充電器方案

致力于亞太地區市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布，其旗下友尚推出基于達爾科技（Diodes）AP3306、APR3401和AP43771H控制器的140W PD3.1 GaN充電器方案。圖示1-大聯大友尚基于Diodes產品的140W PD3.1 GaN充電器方案的展示板圖如今，智能設備的高功率快充技術已成為消費者普...
大聯大友尚集團140W PD3．1 GaN充電器... 2025-03-19

硅基功率開關已經轉向GaN開關了嗎？

在開關模式電源中使用GaN開關是一種相對較新的技術。這種技術有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術的準備情況，提到了所面臨的挑戰，并展望了GaN作為硅的替代方案在開關模式電源中的未來前景。如今，電源管理設計工程師常常會問道：現在應該從硅基功率開關轉向GaN開關了嗎？氮化...
硅基功率開關GaN開關 2025-02-28

邁向更綠色的未來：GaN技術的變革性影響

作者：Nihit Bajaj 英飛凌科技 GaN產品高級總監校對：宋清亮英飛凌科技消費、計算與通訊業務大中華區高級首席工程師過去幾十年間，人口和經濟活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩步增長，并且預計這一趨勢還將持續。這種增長是線下與線上活動共同作用的結果。因此，數據中心的快速擴張顯著增加了全球...
GaN技術可再生能源 2024-12-23

無輔助繞組 GaN 反激式轉換器如何解決交流/直流適配器設計難題

人們對更小、更高效電源的需求不斷增長，進而推動著基于氮化鎵 (GaN) 的功率級快速普及。在交流/直流適配器市場中，制造商正在迅速利用 GaN 反激式轉換器，通過功能越來越強大但尺寸越來越小的適配器，幫助擴大 USB Type-C® 接口的市場規模。雖然這令人振奮，但與此同時，電源設計人員必須降低...
無輔助繞組GaN 反激式轉換器交流／直流適配器設計 2024-12-12

想提高高壓LED照明中的效率和功率密度？上GaN技術！

作者：George Hempt文章概述本文介紹了寬帶隙（GaN）技術在高壓LED照明中的應用，以及如何解決效率和功率密度挑戰。文章重點討論了利用GaN技術的LED驅動器架構的降壓部分，展示了如何通過寬帶隙技術提高效率和功率密度。文中還介紹了STMicroelectronics的MasterGaN系列，該系列將高電壓智能...
LED照明GaNGaN晶體管 2024-12-05

面對電動汽車和數據中心兩大主力應用市場，SiC和GaN該如何發力？

氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）是寬禁帶（WBG）半導體材料，由于其獨特性，使其在提高電子設備的效率和性能方面起著至關重要的作用，特別是在DC/DC轉換器和DC/AC逆變器領域。對于GaN而言，與硅相比，它具有優異的電子遷移率和更高的擊穿電壓，能在高溫、高電和高頻下工作，其優勢主要體現在三個方面：&#...
電動汽車數據中心SiCGaN 2024-12-02

如何在設計中輕松搭載GaN器件？答案內詳~~

如今，圍繞第三代半導體的研發和應用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導率、更高的電子飽和速度等特點，第三代半導體材料能夠滿足未來電子產品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求，被認為是突破傳統硅（Si）器件性能天花板的必由之路。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）并稱為第三...
GaN器件碳化硅 2024-10-25

通過基于 GaN 的電機系統設計提高家電能效并節省成本

當今的大型家用電器市場與能源效率和“能源之星”認證等相關品牌推廣息息相關。消費者期望這類終端設備（如冰箱或暖通空調 (HVAC) 系統）具備出色的能效和產品可靠性。在本文中，我們將探討氮化鎵 (GaN) 和無刷直流 (BLDC) 電機系統的結合如何幫助提高消費者的生活水平。圖 1 所示為注重能效的典型家用...
GaN電機系統設計德州儀器 2024-08-09

GaN正在加速電機驅動中的應用

無刷直流電機（BLDC）在機器人、電動工具、家電和無人機中的應用越來越多。這些應用要求設備具備輕便、小巧、低轉矩脈動、低噪音和極高的精度控制。為了滿足這些需求，驅動電機的逆變器需要以更高頻率運行，同時需要先進的技術來減少由此產生的更高功率損耗。氮化鎵（GaN）晶體管和集成電路能夠在不顯著...
GaN電機驅動 2024-07-10

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