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↓在 技術文章 中搜索到 11 條關于“SiCMOSFET”的信息，用時:0.002 sec.

為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實現硅到碳化硅的過渡？

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碳化硅Cascode JFET晶體管硅到碳化硅 2025-03-11

SiC MOSFET應用技術在雪崩條件下的魯棒性評估

摘要本文將探討如何在雪崩工作條件下評估SiC MOSFET的魯棒性。MOSFET功率變換器，特別是電動汽車驅動電機功率變換器，需要能夠耐受一定的工作條件。如果器件在續流導通期間出現失效或柵極驅動命令信號錯誤，就會致使變換器功率開關管在雪崩條件下工作。因此，本文通過模擬雪崩事件，進行非鉗位感性負載...
SiC MOSFET應用技術功率變換器魯棒性評估 2024-10-12

淺談碳化硅壽命中的挑戰

引言功率半導體作為電力電子行業的驅動力之一，在過去幾十年里硅(Si)基半導體器件以其不斷優化的技術和成本優勢主導了整個電力電子行業，但它也正在接近其理論極限，難以滿足系統對高效率、高功率密度的需求。而當下碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體以其優異的電學和熱學特性使得功率半導體器件...
碳化硅寬禁帶半導體 2023-01-09

淺談碳化硅壽命中的挑戰

引言功率半導體作為電力電子行業的驅動力之一，在過去幾十年里硅(Si)基半導體器件以其不斷優化的技術和成本優勢主導了整個電力電子行業，但它也正在接近其理論極限，難以滿足系統對高效率、高功率密度的需求。而當下碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體以其優異的電學和熱學特性使得功率半導體器件...
碳化硅功率半導體 2022-12-23

先進碳化硅技術，有效助力儲能系統

人們普遍認識到，碳化硅（SiC）現在作為一種成熟的技術，在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應用中改變了電力行業，覆蓋工業、能源和汽車等眾多領域。這主要是由于它比以前的硅（Si）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的應用具有更多優勢，包括更高的開關頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損...
碳化硅技術儲能系統SiC 2022-10-26

寬帶隙半導體開關：緩慢的開關沿可減少過沖和EMI

作者：Peter Losee 在寬帶隙半導體開關的新時代，器件類型的選擇包括具有自己的特性并聲稱具有最佳性能的SiCMOSFET和GaN HEMT單元。但是，這兩者都不是理想的開關，這兩種器件類型在某些方面都有局限性，特別是在柵極驅動要求和“第三象限”操作方面。SiC FET是替代選擇但是，還有另一種選擇。Uni...
寬帶隙半導體開關Si MOSFET 2022-05-23

SiC功率器件緣何深受熱捧這一點很關鍵

功率器件行業發展到IGBT(絕緣層柵雙極晶體三極管)階段，硅基器件的性能早已貼近極限，邊際效益愈來愈高，而半導體材料器件產業鏈仍對大功率、高頻率轉換、高溫實際操作、高功率等擁有愈來愈多的要求，因而以SiC(碳碳復合材料)、GaN(氮化鎵)等第三代半導體器件為關鍵的寬禁帶功率器件變成了科學研究網絡...
SiC功率器件SiC功率半導體 2021-05-19

從先進器件到系統級方案羅姆傾情助力工業電機設計

引言作為全球能源消耗的重點產品，各類電機消耗了全球一半以上的電力資源，足見電機應用在整個社會運轉中的重要作用，特別是在各種數字化產業升級趨勢的引領下，功能越來越強大的電機系統在工業應用中發揮著越來越重要的作用。因此，如何實現更高效更節能的電機系統對整個工業系統的運行效率和成本...
工業電機羅姆 2020-12-15

儲能系統助推電動汽車快速充電基礎設施建設

作者：Stefano Gallinaro ADI公司戰略營銷經理摘要電動汽車(EV)將獲得越來越多的市場份額，最終取代內燃機汽車。直流快速充電站將取代或整合加油站。太陽能、風能等可再生能源將為它們提供動力。人們將希望能在不到15分鐘的時間內為電動汽車充滿電，他們不愿排隊等候唯一的充電樁。考慮...
儲能系統電動汽車快速充電基礎設施 2020-08-07

為什么超低阻抗SiC FET受歡迎？

簡介功率半導體開關通常在用于電路設計時，能夠在不增加開關損耗的情況下減小電流傳導期間的損耗，這是其一大優勢。在各種電路保護應用中，器件需要連續傳送電流，較低的傳導態損耗有利于使系統保持較高的效率，并將產生的廢熱降至最低。如果在這些應用中需要放心地使用這些功率開關，必須滿足各種類型...
SiC FET功率晶體管 2019-12-10

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