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↓在 技術文章 中搜索到 574 條關于“Gan”的信息，用時:0.005 sec.

具有集成式驅動器和自我保護功能的GaN FET如何實現下一代工業電源設計

氮化鎵(GaN)半導體的物理特性與硅器件不相上下。傳統的電源供應器金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲效率、外形尺寸和散熱的前提下才能提高功率密度。使用GaN則可以更快地處理電源電子器件并更有效地為越來越多的高壓應用提供功率。GaN更優的開關能力意味著它可...
GaN FET絕緣柵極雙極晶體管工業電源設計 2021-01-08

是時候開始生產基于GaN的RF器件了

翻譯自——EEtimes 5G讓射頻技術發生了全新的變化，近日，Qorvo最近發布的QPA2309 c頻段功率放大器(PA)專為國防和航空航天應用而設計，能為5 – 6 GHz射頻設計提供高功率密度和附加功率效率。它采用了Qorvo自研的QGaN25HV晶圓工藝，即GaN-on-SiC。在過去一年左右的時間里，許多技術正滲透到...
GaN5G 2021-01-06

RF GaN：5G性能爆發的突破口

盡管疫情造成了短期影響，SiC設備市場收入依舊繼續增長，預計到2025年將超過30億美元。EV/HEV仍然是SiC器件的殺手級應用。盡管H1-2020年全球增長放緩，但SiC解決方案的設計成果最近成倍增加，2019-2020年期間市場前景一片光明。 Yole development預計到2025年GaN業務將超過6.8億美元。例如，2019年底...
GaNrf 2021-01-04

半導體材料中的法拉利：GaN沖向2021

盡管20年前GaN晶體管以前處于大學研究項目階段，但現在這些器件已在整個行業廣泛采用，尤其是在2020年。由于GaN晶體管具有極高的電子遷移率，所以替代硅基FET只是時間問題。與基于硅的晶體管相比，這也使GaN具有較小的導通電阻和更快的開關速度。 GaN晶體管的驅動方式與傳統MOSFET相同，這使得...
GaN電動車 2020-12-28

Leti介紹了GaN電力電子技術開發進展

法國微/納米技術研發中心CEA-Leti，在第66屆IEEE國際電子器件會議（IEDM 2020）上發表的兩篇補充研究論文證實，其氮化鎵（GaN）技術的方法有望克服種種挑戰。嵌入MOS柵極的先進GaN器件具有更優化的架構和性能，并針對快速增長的全球功率轉換系統市場需求。研究人員描述了基于硅基氮化鎵（GaN-on-Si）的...
GaN 2020-12-23

汽車類GaN FET可實現更高的工作頻率和穩健性

當前的消費者對于續航里程、充電時間和性價比等問題越來越關注，為了加快電動汽車(EV)的采用，全球的汽車制造商都迫切需要增加電池容量、縮短充電時間，同時確保汽車尺寸、重量和器件成本保持不變。電動汽車車載充電器(OBC)正經歷著飛速的發展，它使消費者可以在家中、公共充電樁或商業網點使用交...
GaN FET智能汽車 2020-12-22

具有保護功能的GaN器件，加速下一代工業電源設計

氮化鎵(GaN)半導體的物理特性與硅器件不相上下。傳統的電源供應器金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲效率、外形尺寸和散熱的前提下才能提高功率密度。使用GaN則可以更快地處理電源電子器件并更有效地為越來越多的高壓應用提供功率。GaN更優的開關能力意味...
GaN5G 2020-12-18

具有集成式驅動器和自我保護功能的GaN FET如何實現下一代工業電源設計

氮化鎵(GaN)半導體的物理特性與硅器件不相上下。傳統的電源供應器金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲效率、外形尺寸和散熱的前提下才能提高功率密度。使用GaN則可以更快地處理電源電子器件并更有效地為越來越多的高壓應用提供功率。GaN更優的開關能力意味著它可...
GaN FETGaN器件 2020-12-16

GaN 功率級設計的散熱注意事項

作者: Serkan Dusmez, Yong Xie, Masoud Beheshti, and Paul在任何電力電子轉換器中，熱設計都是一項重要的考慮因素。熱設計經優化后，工程師能夠將 GaN 用于各種功率級別、拓撲和應用中。此應用手冊論述了 TI LMG341XRxxx GaN 功率級系列非常重要的權衡標準和注意事項，包括 ...
GaN散熱器 2020-12-14

如何進行GaN的可靠性測試？

GaN晶體管提高了電源系統性能，同時又降低了組件成本。但是，作為一項相對嶄新的技術，我們將如何評估其質量和可靠性？GaN Systems首席執行官Jim Witham回答了此問題。JEDEC此前所做的以硅晶體管為基礎的測試標準，對于GaN，材料不同，因此失效模式和機理也不同。Witham指出，在JEDEC和AEC-Q下測試GaN的...
GaN硅晶體管 2020-12-09

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