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↓在 技術文章 中搜索到 804 條關于“SiC”的信息，用時:0.003 sec.

SiC MOSFET驅動電壓測試結果離譜的六大原因

作者：泰克科技開關特性是功率半導體開關器件最重要的特性之一，由器件在開關過程中的驅動電壓、端電壓、端電流表示。一般在進行器件評估時可以采用雙脈沖測試，而在電路設計時直接測量在運行中的變換器上的器件波形，為了得到正確的結論，獲得精準的開關過程波形至關重要。SiC MOSFET 相較于 Si MOS 和...
SiC MOSFET驅動電壓測試 2022-05-25

SiC還是IGBT，新能源汽車如何選？

新品介紹2021年，英飛凌推出了一款新的HybridPACK™ Drive CoolSiC™功率模塊。這是一款具有 1200V 阻斷電壓的全橋模塊，針對電動汽車中的牽引逆變器進行了優化。該產品使得具有更長續航里程和更低電池成本的逆變器有了更高的效率，特別是對于配備 800V 電池系統和更大電池容量的車輛。點擊文...
SiCIGBT新能源汽車 2022-05-23

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的區別在哪里？這篇指南送給你

幾十年來，硅一直主導著晶體管世界。但這種情況已在逐漸改變。由兩種或三種材料組成的化合物半導體已被開發出來，提供獨特的優勢和卓越的特性。例如，有了化合物半導體，我們開發出了發光二極管(LED)。一種類型是由砷化鎵(GaAs)和磷砷化鎵(GaAsP)組成。其他的則使用銦和磷。問題是，化合物半導體更難制...
GaNSiC發光二極管 2022-05-23

測的離譜！SiC MOSFET驅動電壓測試結果離譜的六大原因！

測不對SiC MOSFET驅動波形六大原因 (本文轉載自公眾號：功率器件顯微鏡，分享給大家交流學習) 開關特性是功率半導體開關器件最重要的特性之一，由器件在開關過程中的驅動電壓、端電壓、端電流表示。一般在進行器件評估時可以采用雙脈沖測試，而在電路設計時直接測量在運行中的變換器上的器件波...
SiC MOSFET驅動電壓測試 2022-05-19

UnitedSiC SiC FET用戶指南

作者： Mike Zhu 簡介本SiC FET用戶指南介紹了使用含快速開關SiC器件的RC緩沖電路的實用解決方案和指南。該解決方案經過實驗性雙脈沖測試（DPT）結果驗證。緩沖電路損耗得到精確測量，可協助用戶計算緩沖電路電阻的額定功率。本指南還在UnitedSiC_AN0018《開關含緩沖電路的快速SiC FET應用說明》中分析...
SiC器件SiC FETRC緩沖電路 2022-05-09

借助 SiC 技術，實現三大設計自由

作者：Milan Ivkovic盡管 SiC 技術的性能和潛力毋庸置疑，但一些設計人員最初可能仍然會猶豫不決，無法下定決心使用 SiC 技術來處理新項目。沒人喜歡無端冒險。但與其他任何電子設計項目一樣，我們首先需要充分了解可用解決方案的要求和潛力。之后設計人員便會發現，通過 SiC 實現的設計自由能夠降低所...
SiC 技術電動汽車逆變器 2022-04-28

電動汽車都在瘋搶SiC，這是為什么呢？

前不久，雷諾集團和意法半導體宣布，雙方就2026-2030年新能源汽車用SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）產品的供貨，達成合作協議。無獨有偶，今年早些時候，德國緯湃科技（Vitesco Technologies），也獲得了來自現代汽車數億歐元的800V SiC逆變器的訂單；江淮汽車與博世也簽署了有關在SiC逆變器領域開展合作...
電動汽車SiC功率器件 2022-04-27

從Si到SiC：如何邁好功率電子技術升級的這一步？

如果說在2020年，GaN（氮化鎵）憑借著向手機快充市場的滲透火了一把，成為當年寬禁帶（WBG）半導體界的“網紅”，到了2021年，市場的焦點則轉到了另一個寬禁帶半導體“新寵”SiC（碳化硅）身上，這是因為從特斯拉這種新能源汽車的新銳公司到傳統的老牌車企，都不約而同地宣布了將純電動汽車電驅系統從硅...
SiC逆變器Si器件功率電子技術 2022-03-23

使用最新的SiC FET技術提升車載充電器性能

摘要碳化硅FET已經在車載充電器（OBC）電路領域確立了自身地位，尤其是在電池工作電壓超過500V的情況下。這些器件的低功率損耗使得穿孔封裝和表面安裝式封裝都可以用于此應用。我們調查了這些封裝選項的相對熱性能，并證實了TO247-4L和D2PAK-7L選項可用于6.6 kW和22 kW充電器。簡介碳化硅FET已經廣泛應...
SiC FET技術車載充電器碳化硅 2022-03-16

充分挖掘SiC FET的性能

功率轉換器的性能通常歸結到效率和成本上。實際示例證明，在模擬工具的支持下，SiC FET技術能兼顧這兩點。性能是一個主觀術語，它可以用許多你喜歡的方式衡量，但是在功率轉換界，它歸結為兩個相互依賴的主要值，即效率和成本。現在，作為半導體開關材料，硅在導電和動態損耗性能方面已經到達了極限，這...
SiC FET功率轉換器 2022-03-10

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