电影一区二区三区_亚洲激情二区_亚洲欧洲成人av每日更新_91超碰国产在线

設(shè)為首頁網(wǎng)站地圖加入收藏

應(yīng)用開發(fā)

VR/無人機(jī)| 智能照明| 智能家居| 工業(yè)自動化| 測試測量| 人工智能| 碳化硅/氮化鎵| 智能電源及能源| 智能可穿戴| 智能手機(jī)| 智能醫(yī)療及看護(hù)| 通信及物聯(lián)網(wǎng)| 智能交通及汽車

↓在 技術(shù)文章 中搜索到 223 條關(guān)于“800V??”的信息，用時:0.002 sec.

電動汽車都在瘋搶SiC，這是為什么呢？

前不久，雷諾集團(tuán)和意法半導(dǎo)體宣布，雙方就2026-2030年新能源汽車用SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）產(chǎn)品的供貨，達(dá)成合作協(xié)議。無獨有偶，今年早些時候，德國緯湃科技（Vitesco Technologies），也獲得了來自現(xiàn)代汽車數(shù)億歐元的800V SiC逆變器的訂單；江淮汽車與博世也簽署了有關(guān)在SiC逆變器領(lǐng)域開展合作...
電動汽車SiC功率器件 2022-04-27

雙向晶閘管的構(gòu)造原理與萬用表檢測方法

普通晶閘管(VS)實質(zhì)上屬于直流控制器件。要控制交流負(fù)載，必須將兩只晶閘管反極性并聯(lián)，讓每只SCR控制一個半波，為此需兩套獨立的觸發(fā)電路，使用不夠方便。雙向晶閘管是在普通晶閘管的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的晶閘管，而且僅需一個觸發(fā)電路，是目前比較理想的交流開關(guān)器件。其英...
雙向晶閘管直流控制器件 2022-04-19

PI創(chuàng)新集成SiC的開關(guān)電源，簡化電動汽車應(yīng)急電源設(shè)計

“汽車對于我們來說是一個全新的市場，這款全新的集成1700V SiC的InnoSwitch-AQ確實為我們打開了大門，它可以支持 800 V母線電池電壓的電動汽車應(yīng)用。我們擁有高壓方面的專注知識，能夠提供非常小巧、可靠、簡單且低功耗的解決方案，從而確保電池不會自行放電。”PI CEO Balu Balakrishnan在公司2021年...
開關(guān)電源IC電動汽車應(yīng)急電源 2022-04-19

如何實現(xiàn)低成本，小空間的低待機(jī)電流的離線輔助電源

現(xiàn)在，提高能效的需求正在影響自動化的所有領(lǐng)域。這包括家庭中的白色家電，這是在家庭自動化與現(xiàn)在的意義完全不同的時候構(gòu)思出來的。幾十年前，當(dāng)我們開始依賴這些設(shè)備時，能源的財務(wù)和環(huán)境成本就沒有為消費(fèi)者帶來的便利那么重要，但是這種不平衡最近已經(jīng)改變，現(xiàn)在正在解決。盡管盡了很大的努力，許多...
離線輔助電源離線功率轉(zhuǎn)換 2022-04-08

展望下一代整車配電電源設(shè)計

在之前看整車EE架構(gòu)變革過程：隨著Body Computer、座艙和自動駕駛核心計算平臺的導(dǎo)入，高速通信的問題可以由PCI-e或者以太網(wǎng)解決；但是如何在HEV、PHEV和BEV三種長期存在的動力架構(gòu)下，滿足計算平臺的功率需求，滿足驅(qū)動車輛線控電動化的轉(zhuǎn)向、制動的電源安全和冗余，特別是在較高的功率下，降低整個配...
模塊化電源電源配電 2022-03-22

不用第三代半導(dǎo)體，如何實現(xiàn)更高的功率密度？

寬禁帶（第三代）半導(dǎo)體已被廣泛認(rèn)可為提高電源功率密度和效率的重要途徑之一，傳統(tǒng)MOSFET真的就沒有發(fā)展空間了么？是不是所有新設(shè)計都需要轉(zhuǎn)向GaN或SiC？Vicor公司全球銷售及市場營銷業(yè)務(wù)副總裁Phil Davies在IEEE Power Electronics撰文，解釋了Vicor是如何通過改善拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，實現(xiàn)硅(Si) MOSFET的不斷...
寬禁帶半導(dǎo)體MOSFETSiCGaN 2022-03-09

IGBT和MOSFET該用誰？你選對了嗎？

作者 Doctor M半導(dǎo)體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件，具有開關(guān)速度快、易于驅(qū)動、損耗低等優(yōu)勢。IGBT全稱是絕緣柵極型功率管，是由雙極型三極管 (BJT) 和MOSFET組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式半導(dǎo)體功率器件，兼有MOSFET的高輸...
IGBTMOSFET功率器件 2022-03-08

使用SiC MOSFET時如何盡量降低電磁干擾和開關(guān)損耗

對于一直在設(shè)法提高效率和功率密度并同時維持系統(tǒng)簡單性的功率設(shè)計師而言，碳化硅（SiC）MOSFET的高開關(guān)速度、高額定電壓和小RDS(on)使得它們具有十分高的吸引力。然而，由于高開關(guān)速度會導(dǎo)致高漏源電壓（VDS）峰值和長振鈴期，它們會產(chǎn)生電磁干擾，尤其是在電流大時。本文提供了一個較好的解決方案來優(yōu)...
碳化硅電磁干擾SiC MOSFET 2022-02-28

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)晶體管之間的差異

幾十年來，硅一直主導(dǎo)著晶體管世界。但這種情況已在逐漸改變。由兩種或三種材料組成的化合物半導(dǎo)體已被開發(fā)出來，提供獨特的優(yōu)勢和卓越的特性。例如，有了化合物半導(dǎo)體，我們開發(fā)出了發(fā)光二極管（LED）。一種類型是由砷化鎵（GaAs）和磷砷化鎵（GaAsP）組成。其他的則使用銦和磷。問題是，化合物半導(dǎo)體...
氮化鎵(GaN)碳化硅(SiC)晶體管寬禁帶半導(dǎo)體 2022-02-24

從硅過渡到碳化硅，MOSFET的結(jié)構(gòu)及性能優(yōu)劣勢對比

近年來，因為新能源汽車、光伏及儲能、各種電源應(yīng)用等下游市場的驅(qū)動，碳化硅功率器件取得了長足發(fā)展。更快的開關(guān)速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現(xiàn)變換器的高效高功率密度化。但是，像碳化硅這樣的寬帶隙（WBG）器件也給應(yīng)用研發(fā)帶來了設(shè)計挑戰(zhàn)，因而業(yè)界對于碳...
碳化硅功率器件MOSFETSiC器件 2022-02-23

1... 上一頁 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 下一頁 23

關(guān)鍵字搜索分類查看

新聞(153)

新品(86)

技術(shù)文章(223)

解決方案(25)

論壇帖子(91)

博客日志(78)

主站蜘蛛池模板：兴海县| 高平市| 宁陕县| 青海省| 资中县| 大竹县| 民县| 嘉峪关市| 福安市| 宁都县| 泽库县| 广州市| 信阳市| 宜川县| 玉田县| 塔河县| 探索| 鹿邑县| 泰安市| 岳西县| 郎溪县| 尚志市| 揭阳市| 安顺市| 安阳县| 游戏| 延长县| 普兰县| 凤山市| 扶风县| 罗甸县| 隆德县| 黑水县| 乐都县| 宣汉县| 十堰市| 水城县| 宁德市| 绥阳县| 吴旗县| 类乌齐县|