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↓在 技術文章 中搜索到 574 條關于“Gan”的信息，用時:0.003 sec.

氮化鎵的十大關鍵要點

沒有時間？那就從這里開始吧！這個快速列表概述了這本書的要點。閱讀本章節要點，如果有您感興趣的內容，可在之前章節中查看完整的闡述說明。» 氮化鎵 (GaN) 是一種高性能化合物半導體。GaN 是一種 III-V 直接帶隙化合物半導體，就像砷化鎵 (GaAs) 一樣。化合物半導體可在許多微波射頻 (RF) 應用...
氮化鎵GaN 技術 2022-05-17

如何贏得一半以上的碳化硅MOSFET市場份額，并將其持續擴大？

✦ 本文轉載自：21ic✦ 作者：劉巖軒ST獲得了全球50%以上的SiC MOSFET市場份額；并且在寬禁帶半導體領域進行了襯底技術收購、產能投資，擁有了全生產鏈條的掌控力。本文分享了ST在SiC領域獲得成功的原因，如何排名市場前列的未來戰略規劃，以及對于整個寬禁帶器件行業的前景解讀...
碳化硅MOSFET寬禁帶器件SiCGaN 2022-04-20

氮化鎵集成方案如何提高功率密度

氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業的熱門話題，因為它可以使得80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動汽車(EV)車載充電器和電動汽車(EV)充電站等設計得以實施。在許多具體應用中，由于GaN 能夠驅動更高的功率密度和具有更高的效率，因此它取代了傳統的MOSFET晶體管。但由于GaN的電氣特性和它所能實現的性能，使得使用Ga...
氮化鎵 (GaN)功率密度 2022-03-30

在消費中爆發，在汽車中升華——氮化鎵邁向新里程

根據Yole的一篇市場調研報告顯示，第三代半導體（寬禁帶）半導體將受益于新能源車的火熱，在汽車市場中迅速提升。Yole預計，2025年，SiC在新能源車市場將超過15億美元，成為最大的SiC應用市場，具體應用包括主逆變器、OBC及DC/DC轉換器。而GaN在電動汽車中市場總容量將達到1.55億美元，主要應用包括OBC...
DC／DC轉換器GaNOBC氮化鎵 2022-03-17

不用第三代半導體，如何實現更高的功率密度？

寬禁帶（第三代）半導體已被廣泛認可為提高電源功率密度和效率的重要途徑之一，傳統MOSFET真的就沒有發展空間了么？是不是所有新設計都需要轉向GaN或SiC？Vicor公司全球銷售及市場營銷業務副總裁Phil Davies在IEEE Power Electronics撰文，解釋了Vicor是如何通過改善拓撲結構，實現硅(Si) MOSFET的不斷...
寬禁帶半導體MOSFETSiCGaN 2022-03-09

透過意法半導體，淺析寬禁帶布局的關鍵

2020年底，意法半導體（ST）宣布到2027年實現碳中和目標和100%采用可再生能源，是目前已知消息中，有望最早實現這個目標的半導體公司。ST此前曾表示，此舉是踐行公司的可持續發展之路的重要舉措。而除了開源可再生能源之外，通過節能，可進一步實現減排目標。ST汽車和分立器件產品部(ADG) 執行副總裁，...
寬禁帶半導體碳化硅氮化鎵SiCGaNst 2022-03-02

【技術大咖測試筆記系列】之十：在當今高壓半導體器件上執行擊穿電壓和漏流測量

作者：泰克科技技術大咖在經過多年研究和設計之后，碳化硅(SiC)和氮化鎵 (GaN)功率器件正變得越來越實用。這些器件盡管性能很高，但它們也帶來了許多挑戰，包括柵極驅動要求。SiC要求的柵極電壓(Vgs)要高得多，在負偏置電壓時會關閉。GaN的閾值電壓(Vth)則低得多，要求嚴格的柵極驅動設計。寬帶隙(WBG)...
高壓IC擊穿電壓測量碳化硅(SiC)氮化鎵 (GaN)功率器件 2021-12-17

利用氮化鎵芯片組實現高效率、超緊湊的反激式電源

作者：Chris Lee，Power IntegraTIons產品營銷總監目前市面上出現了一個新的芯片組，它由具有耐用的750V氮化鎵（GaN）初級側開關的反激式IC方案與創新的高頻有源鉗位方案組合而成，能夠為手機、平板電腦和筆記本電腦設計出額定功率高達110W的新型超緊湊充電器。此芯片組來自Power IntegraTIons，包含內...
750V氮化鎵（GaN）反激式電源氮化鎵芯片 2021-11-15

第三代半導體熱潮“帶貨”沉積設備需求，供應鏈與服務本地化成關鍵考量

隨著中國“十四五”規劃的提出、以及全球科技產業對于“碳達峰、碳中和”的目標達成共識，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體新材料憑借高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率以及抗強輻射能力等優異特性，成為了支撐5G基建、新能源產業、特高壓、軌道交通等領域的核心技術。數據表明...
碳化硅（SiC）第三代半導體新材料GaN功率器件 2021-09-01

快充僅是第三代半導體應用“磨刀石”，落地這一領域可每年省電40億度

眾所周知，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體，相較傳統的硅材料半導體，具備許多非常優異的特性，如高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率以及抗強輻射能力等。前一個十年，第三代半導體材料已經在基站射頻、功放等通信領域嶄露頭角；2021年，隨著“十四五”規劃的提出，中國將加速...
碳化硅（SiC）氮化鎵（GaN）功率半導體半導體材料 2021-07-27

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