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應(yīng)用開發(fā)

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SiC MOSFET 有助于提高 HVAC 的能效

本文編譯自EETimes，作者深圳市鵬源電子有限公司2030年前實(shí)現(xiàn)碳峰值、2060年前實(shí)現(xiàn)碳中和，是中國政府深思熟慮后作出的重要戰(zhàn)略決策，也是構(gòu)建人類命運(yùn)共同體的必然選擇。節(jié)能減排、低碳發(fā)展已成為行業(yè)的新趨勢(shì)。在暖通空調(diào)（HVAC）行業(yè)，新能效標(biāo)準(zhǔn)已于2020年7月1日正式執(zhí)行。從新舊標(biāo)準(zhǔn)對(duì)比可以看出，...
HVACSiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體 2022-01-20

SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn－on／Turn－off動(dòng)作

本文將針對(duì)上一篇文章中介紹過的SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路及其導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動(dòng)作進(jìn)行解說。SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路LS（低邊）側(cè)SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時(shí)的VDS和ID的變化方式不同。在探討SiC MOSFET的這種變化對(duì)Gate-Source電壓（VGS）帶來的影響時(shí),需要在包括...
SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路 2022-01-18

SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)

在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí)，本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個(gè)主題的前提。SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時(shí)最簡(jiǎn)單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導(dǎo)通的，為了...
SiC MOSFET橋式電路 2022-01-17

SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作

從本文開始，我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識(shí)應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”。前言MOSFET和IGBT等電源開關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。另外，所使用的電路方式也多種多樣，除單獨(dú)使用外，還有串聯(lián)連接、并聯(lián)連接等多種使用方法。其中，在將開關(guān)元件...
SiC MOSFET功率元器件 2022-01-14

使用雙柵極配置的 SiC FET 進(jìn)行電路保護(hù)

近年來，人們對(duì)固態(tài)斷路器和固態(tài)功率控制器的興趣越來越濃厚。鑒于SiC JFET在高額定電壓下具有低開態(tài)電阻而且它在需要時(shí)進(jìn)行限流的能力毫不遜色，它們一直被視為此應(yīng)用的理想器件。我們調(diào)查了常關(guān)型SiC FET在雙柵極結(jié)構(gòu)中的使用情況，以簡(jiǎn)化大電流直流斷路器和交流斷路器的開發(fā)。有許多研究對(duì)固態(tài)斷路器...
雙柵極配置SiC FET電路保護(hù) 2022-01-13

用SiC FET固態(tài)斷路器取代機(jī)械斷路器可行嗎？

機(jī)械斷路器損耗低，但是速度慢而且會(huì)磨損。采用SiC FET的固態(tài)斷路器可以解決這些問題且其損耗開始降低。工程界有一句諺語：“會(huì)動(dòng)的就會(huì)斷?！蔽覀兌贾?，機(jī)械部件通常是第一個(gè)出故障的，比如風(fēng)扇或繼電器，而在電路系統(tǒng)中，您需要一套進(jìn)行前瞻性維護(hù)和更換這些部件的程序來“以防萬一”。當(dāng)機(jī)械部件在...
SiC FET固態(tài)斷路器機(jī)械斷路器 2022-01-11

日本開發(fā)出GaN和SiC混合晶體管

禁帶寬度是半導(dǎo)體的一個(gè)重要特性參數(shù)，根據(jù)半導(dǎo)體材料的能帶結(jié)構(gòu)不同，可將半導(dǎo)體材料分成兩種類型：寬禁帶和窄禁帶。若半導(dǎo)體材料的帶隙寬度小于2.3eV，則稱為窄帶隙半導(dǎo)體，代表性材料有GaAs、Si、Ge 和InP ；若半導(dǎo)體材料的帶隙寬度大于或等于2.3eV，則稱為寬帶隙半導(dǎo)體，代表性材料有GaN、SiC、AlN...
寬禁帶半導(dǎo)體材料GaNSiC混合晶體管 2021-12-23

SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時(shí)如何實(shí)現(xiàn)負(fù)壓？

現(xiàn)代工業(yè)對(duì)電力電子設(shè)備提出了很多要求：體積小、重量輕、功率大、發(fā)熱少。面對(duì)這些要求，Si MOSFET因Si材料自身的限制而一籌莫展。SiC MOSFET因SiC材料的先天優(yōu)勢(shì)開始大顯神通。SiC MOSFET大規(guī)模商用唯一的缺點(diǎn)就是價(jià)格。但隨著良率的提升和采用更大尺寸的晶圓，SiC與Si之間的成本差距正在收窄，在整車...
單電源正電壓SiC MOSFET新能源汽車 2021-12-07

GaN 和 SiC 器件相似和差異

幾十年來，硅一直主導(dǎo)著晶體管世界，但這種情況正在逐漸發(fā)生變化。已經(jīng)開發(fā)出由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體，并具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和卓越的特性。例如，化合物半導(dǎo)體為我們提供了 LED：一種是由砷化鎵 (GaAs) 和砷化鎵和磷 (GaAsP) 的混合物組成；其他人使用銦和磷。雖然化合物半導(dǎo)體更難制造且...
GaNSiC 器件 2021-11-25

盤點(diǎn)GaN與SiC在汽車中的成功應(yīng)用

在過去的幾十年中，SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）技術(shù)都呈現(xiàn)快速發(fā)展，并且正在被各行業(yè)所接受，有著廣闊的市場(chǎng)前景。第一個(gè)商用 SiC 器件是德國英飛凌公司2001年推出的肖特基二極管。預(yù)計(jì)到2026 年，工業(yè)市場(chǎng)相關(guān)需求有望超過 40 億美元。GaN 則是相對(duì)較新，2010 年首次亮相，當(dāng)時(shí)美國 EPC 推出了其超...
GaNSiC車載充電器 2021-11-19

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