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↓在 技術文章 中搜索到 804 條關于“SiC”的信息，用時:0.003 sec.

SiC功率器件篇之SiC功率模塊

1.SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾電流和FRD的恢復電流引起的較大的開關損耗，通過改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開關損耗的降低，可以帶來電源效...
IGBT模塊SiC功率器件 2021-05-21

SiC功率器件篇之SiC SBD

1.器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結二極管（FRD:快速恢復二極管），能夠明顯減少恢復損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅動實現電感等無...
SiC功率器件SiC SBD 2021-05-19

SiC功率器件緣何深受熱捧這一點很關鍵

功率器件行業發展到IGBT(絕緣層柵雙極晶體三極管)階段，硅基器件的性能早已貼近極限，邊際效益愈來愈高，而半導體材料器件產業鏈仍對大功率、高頻率轉換、高溫實際操作、高功率等擁有愈來愈多的要求，因而以SiC(碳碳復合材料)、GaN(氮化鎵)等第三代半導體器件為關鍵的寬禁帶功率器件變成了科學研究網絡...
SiC功率器件SiC功率半導體 2021-05-19

SiC功率器件篇之SiC－MOSFET

1.器件結構和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。 IGBT通過電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在...
SiC功率器件SiC－MOSFET 2021-05-18

安森美650V SiC滿足高可靠性的應用

隨著寬帶隙技術在傳統和新興電力電子應用中的不斷普及，半導體公司正以驚人的速度開發其產品。 2021年，安森美半導體發布了650 V碳化硅（SiC）MOSFET技術，以支持從數百瓦到數十千瓦的直流電源需求，包括汽車牽引逆變器，電動汽車（EV）充電，太陽能逆變器等應用，服務器電源單元（PSU）和不間斷電源（...
650V SiC安森美SiC MOSFET 2021-05-11

領先的SiC／GaN功率轉換器的驅動

面向新一代功率轉換器的ADI隔離式柵極驅動器、電源控制器和處理器Stefano GallinaroADI公司簡介目前，功率轉換器市場快速演進，將來也會快速發展，從簡單的高性價比設計模式走向更為廣泛、更具持續性的創新模式。新的挑戰不斷涌現，比如，生產能供小型伺服驅動使用或者能集成到分布式存能單元功率轉換器...
SiC／GaN功率轉換器電源控制器處理器 2021-04-12

通過合適的柵極驅動技術最大化SiC的性能

電動汽車革命即將來臨。汽車公司拼命地尋求技術優勢，驅動電動汽車的電力電子設備正在迅速發展。諸如碳化硅(SiC)之類的寬禁帶FET技術有望顯著提高效率，減輕系統重量并減小電池體積。在汽車設計中，SiC兌現了這些承諾，并推動了下一代電動汽車的創新。 SiC和其他寬禁帶器件的基本優勢源于它們的帶...
SiC電動汽車 2021-04-01

智能功率模塊加速邁向基于SiC的電動汽車

當前，新型快速開關的碳化硅（SiC）功率晶體管主要以分立器件或裸芯片的形式被廣泛供應，SiC器件的一系列特性，如高阻斷電壓、低導通電阻、高開關速度和耐高溫性能，使系統工程師能夠在電機驅動控制器和電池充電器的尺寸、重量控制和效率提升等方面取得顯著進展，同時推動SiC器件的價格持續下降。 ...
SiC智能功率模塊 2021-03-08

如何利用SiC高效驅動電動車

摘要：反激變換器/隔離柵-驅動器組合降低了在電動汽車系統中實現SiC FET設計的成本和復雜性。電動汽車正在推動今天的能量轉換技術的極限，而大功率SiC FET的出現推動了這一技術。SiC FET有許多優點：允許更高的開關速度和更高的電壓，從而產生更小的磁性、更輕的電纜和更高的效率...
SiC電動車柵驅動技術 2021-03-04

通過合適的柵極驅動技術最大化SiC的性能

電動汽車革命即將來臨。汽車公司拼命地尋求技術優勢，驅動電動汽車的電力電子設備正在迅速發展。諸如碳化硅（SiC）之類的寬禁帶FET技術有望顯著提高效率，減輕系統重量并減小電池體積。在汽車設計中，SiC兌現了這些承諾，并推動了下一代電動汽車的創新。SiC和其他寬禁帶器件的基本優勢源于它們的帶隙，...
SiC柵極驅動技術 2021-02-18

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