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電磁兼容簡明教程（1）

電磁兼容是一門新興的綜合性學科。電磁兼容學科主要研究的是如何使在同一電磁環境下工作的各種電氣電子設備和元器件都能正常工作，互不干擾，達到兼容狀態。我公司的電磁兼容研究主要針對電氣電子設備，同時也涉及到如生產中的靜電放電、電磁輻射對人體的影響等方面。1、電磁騷擾與電磁干擾電磁騷擾是指...
電磁兼容電磁干擾 2022-06-15

DC－DC升壓穩壓器外圍元器件的選擇與優化

作者：硬之城Allchips在便攜和可穿戴設備等電池供電的低電壓應用中，常有一些功能需要較高的電壓才能工作，例如射頻收發器、精密模擬電路、白光LED背光驅動、雪崩光電二極管(APD)的偏置電路等。這就需要采用DC-DC升壓轉換器來向上轉換到所需的電壓，讓設備既節能又高效的工作。升壓穩壓器特點為滿足低壓...
DC－DC升壓穩壓器電容器功率MOSFET 2022-06-14

MEMS 壓力傳感器解決人機界面新痛點

作者：冀凱2021 年 5 月，Qorvo 宣布了收購 NextInput 公司，作為其傳感器融合產品線的首次收購，Qorvo 對于 NextInput 在改善人機交互（HMI）市場的創新給予了厚望。同時，也意味著 Qorvo 除了在 RF MEMS 之外，也擁有了 MEMS 壓力傳感器的技術積累。 NextInput 創始人兼 CEO Ali Foughi 在收購時就...
壓力傳感器人機界面 2022-06-14

如何管理高密 HDI 過孔

本文要點:· 高密互連 PCB 設計案例· 用于 HDI 設計的過孔· 使用設計規則進行有效過孔管理正如五金店里需要管理并陳列各種類型、公制、材質、長度、寬度和螺距等的釘子、螺絲類安裝件，PCB 設計領域中也需要管理過孔這樣的設計對象，尤其在高密設計中更是如此。傳統的PCB設計可能只使用幾...
PCB設計過孔 2022-06-14

橋式結構中的柵極－源極間電壓的行為：導通時

本文的關鍵要點：具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。要想正確實施SiC MOSFET柵-源電壓的浪涌對策，需要逐一了解SiC MOSFET電壓的行為。在功率開關器件最常見的應用中，包括與上一篇文章...
功率開關器件浪涌抑制 2022-06-13

保護IGBT和MOSFET免受ESD損壞

摘要功率MOSFET用戶都非常熟悉“靜電敏感器件”警告標志。然而，越熟悉越容易大意。從統計的角度來看，單個MOSFET不太可能被靜電放電（ESD)損壞。然而，在處理成千上萬個MOSFET時，極小的故障都可能帶來極大的影響。一個有效的ESD防控方案必定是詳盡而具體的。但它的基本概念可概括為下列10條：1. ...
IGBTMOSFETESD 2022-06-10

哪些晶體、諧振器和振蕩器可旋轉180°使用？一招兒教你快速識別

問：晶體、諧振器、振蕩器；這些可以旋轉嗎？雙引線晶體或諧振器可以在電路中旋轉，因為它沒有極性。具有兩條以上引線的晶體和諧振器有時可以旋轉180°，但有時不能。查看數據表中的示意圖是找到答案的唯一方法。可旋轉 180 °的晶體請注意——晶體的兩根引線將以0°和180°的角度落在相同的焊盤上，另...
諧振器振蕩器晶體 2022-06-10

PIM模塊中整流橋的損耗計算

作者：周利偉在通用變頻器或伺服驅動器的設計中，經常會用到英飛凌的PIM模塊（即集成了二極管整流橋+剎車單元+IGBT逆變單元的模塊）。一般情況下PIM模塊中的整流二極管都是根據后面逆變IGBT的電流等級來合理配置的，且由于其多數都是連接電網工作于工頻50或60Hz工況，芯片結溫波動很小，因此其通常不會...
PIM模塊整流二極管 2022-06-09

左藍微電子5G濾波器取得突破進展

2022年是5G規模化應用的關鍵之年，隨著5G技術的廣泛應用，對n41/n77/n78/n79等新增頻段的需求受到市場關注。左藍微電子自主研發的5G n78 PEBAWTM濾波器取得突破進展！該濾波器既適用于5G小基站，又可應用于高品質的5G移動智能終端。 n78 PEBAWTM濾波器樣品正反面圖在密集區域和室內（如辦公樓、購物...
5G濾波器5G小基站 2022-06-08

SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討

作者：富昌電子 David An校稿：富昌電子 Iven Xiao隨著制備技術的進步，在需求的不斷拉動下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關產品的研發與應用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車，可再生能源及儲能等應用領域的發展，更是不容小覷。富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業的...
SiC設計SiC MOSFET驅動電壓 2022-06-08

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