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↓在 技術文章 中搜索到 804 條關于“SiC”的信息，用時:0.003 sec.

如何減少SiC MOSFET的EMI和開關損耗

碳化硅（SiC）MOSFET的快速開關速度，高額定電壓和低RDSon使其對于不斷尋求在提高效率和功率密度的同時保持系統簡單性的電源設計人員具有很高的吸引力。但是，由于它們的快速開關速度會產生高振鈴持續時間的高漏源電壓（VDS）尖峰，因此會引入EMI，尤其是在高電流水平下。了解VDS尖峰和振鈴寄生電感是S...
EMISiC MOSFET 2021-02-02

采用具有驅動器源極引腳的低電感表貼封裝的SiC MOSFET

引言人們普遍認為，SiC MOSFET可以實現非?？斓拈_關速度，有助于顯著降低電力電子領域功率轉換過程中的能量損耗。然而，由于傳統功率半導體封裝的限制，在實際應用中并不總是能發揮SiC元器件的全部潛力。在本文中，我們首先討論傳統封裝的一些局限性，然后介紹采用更好的封裝形式所帶來的好處。最后，展...
SiC MOSFET功率元器件傳統封裝 2021-01-27

智能功率模塊助力業界加速邁向基于碳化硅（SiC）的電動汽車

當前，新型快速開關的碳化硅（SiC）功率晶體管主要以分立器件或裸芯片的形式被廣泛供應，SiC器件的一系列特性，如高阻斷電壓、低導通電阻、高開關速度和耐高溫性能，使系統工程師能夠在電機驅動控制器和電池充電器的尺寸、重量控制和效率提升等方面取得顯著進展，同時推動SiC器件的價格持續下降。然而，...
智能汽車碳化硅（SiC） 2020-12-24

和SiC相比，GaN都有什么優勢？

從廣泛的工業和消費電子產品到快速發展的電動汽車行業，無數的應用市場都在推動著對高效電源轉換解決方案的巨大需求。為了滿足相關電力系統的高質量，高性能要求，并且繼續實現電力轉換技術的重大革新，目前產業界正在引入硅基氮化鎵（GaN-on-Si，以下簡稱GaN）方案。相對于硅（Si）和碳化硅（SiC）而言...
GaNSiC氮化鎵碳化硅 2020-12-07

SiC助力功率半導體器件的應用結溫升高，將大大改變電力系統的設計格局

作者：羅寧勝博士，Cissoid 中國總經理 Yole Development 的市場調查報告表明，自硅功率半導體器件誕生以來，應用的需求一直推動著結溫升高，目前已達到150℃。隨著第三代寬禁帶半導體器件（如SiC）出現以及日趨成熟和全面商業化普及，其獨特的耐高溫性能正在加速推動結溫從目前的150℃邁向175℃，未...
SiC功率半導體器件電力系統 2020-11-16

承繼傳統技術優勢東芝發力SiC功率器件

功率半導體器件作為電力電子設備的關鍵組成部分，直接影響了整個電力電子設備的系統成本和工作效率。特別是伴隨著更多高性能低功耗要求的出現，對功率器件的應用要求也隨之變化。相比于傳統的半導體芯片主要依靠工藝和制程的進展提升性能，功率器件的很多性能指標則直接由材料的性能指標所決定。因此，...
IGBTMOSFETSiC功率器件 2020-10-10

SiC MOSFET應用技術在雪崩條件下的魯棒性評估

作者：Salvatore La Mantia1,Mario Pulvirenti2, Angelo G. Sciacca2，Massimo Nania2，意法半導體摘要本文將探討如何在雪崩工作條件下評估SiC MOSFET的魯棒性。MOSFET功率變換器，特別是電動汽車驅動電機功率變換器，需要能夠耐受一定的工作條件。如果器件在續流導通期間出現失效或柵...
SiC MOSFET應用技術雪崩條件魯棒性 2020-08-04

SiC器件和封裝技術現狀

眾所周知，封裝技術是讓寬帶隙 (WBG) 器件發揮潛力的關鍵所在。碳化硅器件制造商一直在快速改善器件技術的性能表征，如單位面積的導通電阻 (RdsA)，同時同步降低電容以實現快速開關。新的分立封裝即將推出，它能讓用戶更好地利用寬帶隙快速開關性能。可用的標準模塊越來越多，而且有越來越多的新先進技...
SiC器件導通電阻封裝技術 2020-03-02

SiC在電動車功率轉換中的應用

電動車 (EV) 的發貨量正在迅速增長，預計 21 世紀 20 年代還將加速發展。主要汽車制造商都已經推出了電動車或已制定了推出計劃，它們還積極與伙伴合作，研究最佳的動力電子學方案，從而盡量延長單次充電行駛里程和降低成本。SiC 器件的主要應用如圖 1 所示，預測數據表明，到 2030 年，SiC&n...
SiC電動車動力電子學 2020-03-02

超高壓 SiC 與超共源共柵

新應用不斷涌現，這就需要有高壓開關技術，而且與硅 IGBT 和 IGCT 技術相比，該技術的系統平衡成本和運行損耗要顯著降低。該技術的應用范圍非常廣，從固態變壓器、中壓電機驅動器到智能電網應用（FACTS、STATCOM）和高壓直流斷路器均包含在內。SiC MOSFET 被認為是在不久的將來顛覆這一領域的絕佳選擇，...
SiC超共源共柵IGBT 2020-02-21

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