电影一区二区三区_亚洲激情二区_亚洲欧洲成人av每日更新_91超碰国产在线

設為首頁網站地圖加入收藏

首頁
新聞
新品
文庫
方案
視頻
下載
商城
開發板
數據中心
在線座談
培訓
工具
博客
論壇
百科
GEC
活動
主題月
萬花筒

應用開發

VR/無人機| 智能照明| 智能家居| 工業自動化| 測試測量| 人工智能| 碳化硅/氮化鎵| 智能電源及能源| 智能可穿戴| 智能手機| 智能醫療及看護| 通信及物聯網| 智能交通及汽車

↓在 技術文章 中搜索到 33 條關于“DMOS”的信息，用時:0.001 sec.

如何正確理解SiC MOSFET的靜態和動態特性

作者: Peter 翻譯: 趙佳CoolSiC™ MOSFET集高性能、堅固性和易用性于一身。由于開關損耗低，它們的效率很高，因此可以實現高功率密度。但盡管如此，工程師需要了解器件的靜態和動態性能以及關鍵影響參數，以實現他們的設計目標。在下面的文章中，我們將為您提供更多關于這方面的見解。溫度對...
SiC MOSFETIGBT 2022-06-29

反激式控制器能做到多“簡潔”？

傳統的隔離型反激式轉換器的架構中，轉換器的功率等級通常可達60W左右，通過調整變壓器的匝數比，借助原邊開關和可以將電源電壓轉換為輸出電壓。有關輸出電壓的信息會通過反饋路徑傳輸到原邊的PWM發生器，以使該輸出電壓盡可能保持穩定。如果輸出電壓太高或太低，則將調整PWM發生器的占空比。圖1. 傳...
反激式控制器PWM發生器光耦合器 2022-06-16

基于PN結隔離(JI)技術的驅動芯片簡介及設計指導

引言自從1989年國際整流器公司(IR)率先推出首款單片式高壓驅動產品以來，高壓集成電路(HVIC)技術就開始利用獲得專利的單片式結構，集成雙極器件、CMOS及橫向DMOS器件，設計出了擊穿電壓分別高于700V和1400V的產品；這些高壓驅動芯片可以工作在600V和1200V偏置電壓下。2016年英飛凌完全收購IR后，英飛凌...
PN結隔離(JI)技術驅動芯片 2022-04-11

信息物理系統 (CPS) 如何開啟下一個自動化時代?

作者: 意法半導體博客工業發展的驅動力是什么？決策者應該關注哪些趨勢？意法半導體以創新的信息物理系統（Cyber-Physical Systems，簡稱CPS）如何開啟下一個自動化時代為論點，得出了自己的結論。在不久前的2022 年國際固態電路會議 (ISSCC 2022) 上，意法半導體模擬、MEMS 和傳感器產品部總裁 Ma...
物聯網自動化 2022-03-24

利用智能電子技術驅動實現汽車新功能特性的創新應用

現在，汽車行業的創新幾乎完全由智能電子技術驅動，很多情況下這也是唯一可以實現新功能特性的途徑。如今，一個裝備良好的高檔汽車一般帶有40？50個電子控制單元，頂級車型甚至有70個以上。每個控制單元至少有一個微型計算機和幾個模擬元器件。因此，近年來汽車行業已成為半導體行業的一個重要市場。今...
智能電子技術MRAM存儲技術 2022-03-21

MOSFET性能改進：超級結MOSFET（SJ－MOS）

（1）SJ-MOS在N層具有柱狀P層（P柱層）。P層和N層交替排列。（參見圖3-9（b））（2）通過施加VDS，耗盡層在N層中擴展，但其在SJ-MOS中的擴展方式與在一般D-MOS中不同。（關于電場強度，參見圖3-9（a）／（b）。電場強度將表示耗盡層的狀態。（3）如果是D-MOS的情況，電場強度在P／N層接口處最強。當電場...
MOSFET 2021-12-08

高邊開關有哪些操作模式？要注意些什么？

汽車中半導體器件主要是三大類：傳感器，MCU和功率半導體。其中，功率半導體主要運用在動力控制系統、照明系統、燃油噴射、底盤安全等系統當中。并且，隨著汽車電動化、智能化、舒適化趨勢帶來汽車中單機功率半導體價值量提升，共同驅動汽車對功率半導體的需求，未來3~5年增速約為8%。汽車功率半導體涵...
高邊開關傳感器MCU 2021-10-12

功率轉換器中CoolSiC MOSFET技術解析

功率轉換器中越來越多地使用碳化硅（SiC）晶體管，這對尺寸，重量和/或效率提出了很高的要求。與雙極IGBT器件相反，SiC出色的材料性能使它可以設計快速開關的單極器件。因此，現在僅在低壓環境（<600 V）下才可能使用的解決方案現在也可以在更高的電壓下使用。結果是最高的效率，更高的開關頻率，更...
碳化硅（SiC）晶體管功率轉換器CoolSiC MOSFET技術 2021-09-18

絕緣柵雙極晶體管知識： IGBT對比功率MOSFET和BJT的優勢

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是少數載流子器件，具有高輸入阻抗和較大的雙極載流能力。許多設計人員將IGBT視為具有MOS輸入特性和雙極性輸出特性的器件，它是一種壓控雙極性器件。為了利用功率MOSFET和BJT的優點，引入了IGBT。它是單片形式的功率MOSFET和BJT器件的功能集成。它結合了兩者的最佳屬性，以實現...
絕緣柵雙極晶體管IGBTMOSFETBJT 2021-08-13

CS5525／CS5526 A／D轉換器針對熱電偶測量優化設計

作者：Cirrus Logic CS5525 / CS5526 A / D轉換器針對熱電偶的測量進行了優化。它設計為具有單個模擬輸入，但包括四個數字輸出引腳，用于控制模擬開關和多路復用器。由于信號路徑中包含典型的保護電路，因此在熱電偶數字化儀應用中，模擬開關或多路復用器的性能特性非常重要。圖1說明了一個包含輸...
CS5525／CS5526 A／D轉...保護電路 2021-08-13

上一頁 1 2 3 4 下一頁

關鍵字搜索分類查看

新聞(26)

新品(78)

技術文章(33)

解決方案(34)

論壇帖子(68)

博客日志(41)

電子百科(3)

下載(2)

主站蜘蛛池模板：藁城市| 石屏县| 盐亭县| 玉龙| 沙雅县| 伊宁县| 元阳县| 太原市| 扶风县| 伊金霍洛旗| 封丘县| 渝北区| 东山县| 清水河县| 青阳县| 湾仔区| 嘉鱼县| 汝城县| 科技| 江北区| 景泰县| 山东| 东乡族自治县| 卢湾区| 沂南县| 台安县| 赣榆县| 甘南县| 隆林| 南岸区| 五常市| 商丘市| 湖南省| 莱西市| 巴楚县| 慈溪市| 石楼县| 宜宾县| 通山县| 汝阳县| 华阴市|