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應(yīng)用開發(fā)

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Qorvo E1B SiC模塊：成就高效功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的秘密武器

作者：Mike Zhu 來源：Qorvo半導(dǎo)體在功率轉(zhuǎn)換中，效率和功率密度至關(guān)重要。每一個造成能量損失的因素都會產(chǎn)生熱量，并需要通過昂貴且耗能的冷卻系統(tǒng)來去除。軟開關(guān)技術(shù)與碳化硅（SiC）技術(shù)的結(jié)合為提升開關(guān)頻率提供了可能；從而能夠縮減暫存能量和用于平滑開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器輸出無源元件的尺寸及數(shù)量...
功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)碳化硅 2024-06-18

仿真微調(diào)：提高電力電子電路的精度

作者：James Victory，安森美電源方案事業(yè)群 TD 建模和仿真方案研究員在電力電子和電路仿真領(lǐng)域，精度至關(guān)重要。仿真結(jié)果的真實性取決于各個器件所采用模型的準(zhǔn)確性。無論是 IGBT、碳化硅 (SiC) 還是硅 MOSFET，仿真預(yù)測的可靠性與模型的精度密切相關(guān)。老話說得好，“垃圾進(jìn)，垃圾出”，即如果輸入的是...
仿真微調(diào)電力電子電路仿真PLECS 模型 2024-04-29

柵極環(huán)路電感對SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響分析

IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環(huán)路電感（DC−Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對VE‑Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關(guān)特性的影響，本文為第...
柵極環(huán)路電感IGBTSiC 2024-04-02

【泰克應(yīng)用分享】一種新的軟件時序偏差校準(zhǔn)方法加速雙脈沖測試進(jìn)程

雙脈沖測試中一個重要目標(biāo)是，準(zhǔn)確測量能量損耗。在示波器中進(jìn)行準(zhǔn)確的功率、能量測試，關(guān)鍵的一步是在電壓探頭和電流探頭之間進(jìn)行校準(zhǔn)，消除時序偏差。雙脈沖測試軟件（WBG-DPT)在4系、5系和6系示波器上均可使用，該軟件包括一種新的專為雙脈沖測試設(shè)計的消除時序偏差（deskew）的校準(zhǔn)技術(shù)。這種新的方...
校準(zhǔn)方法泰克測試 2023-11-03

如何通過實時可變柵極驅(qū)動強度更大限度地提高 SiC 牽引逆變器的效率

牽引逆變器是電動汽車 (EV) 中消耗電池電量的主要零部件，功率級別可達(dá) 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動汽車單次充電后的行駛里程。因此，為了構(gòu)建下一代牽引逆變器系統(tǒng)，業(yè)界廣泛采用碳化硅 (SiC) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 來實現(xiàn)更高的可靠性、效率和功率密度。圖 1 所示的隔離式柵極驅(qū)...
可變柵極驅(qū)動SiC 牽引逆變器 2023-05-23

雙向雙極結(jié)技術(shù)的力量

B-Tran 等半導(dǎo)體電源開關(guān)是各種高效和清潔能源應(yīng)用的電源轉(zhuǎn)換中的關(guān)鍵組件。這些應(yīng)用包括電動汽車、可再生能源發(fā)電、儲能、固態(tài)斷路器 (SSCB) 和電機驅(qū)動。提高半導(dǎo)體功率開關(guān)元件的效率和性能可以帶來廣泛的好處，提高經(jīng)濟性并加速這些應(yīng)用的部署。B-Tran結(jié)構(gòu)和工作模式要了解 B-Tran 的工作原理...
雙向雙極結(jié)技術(shù)絕緣柵雙極晶體管 2023-04-06

【向?qū)捊麕а葸M(jìn)】：您能跟上寬禁帶測試要求的步伐嗎？

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的新一代寬禁帶(WBG)材料的使用度正變得越來越高。在電氣方面，這些物質(zhì)比硅和其他典型半導(dǎo)體材料更接近絕緣體。這些物質(zhì)的采用旨在克服硅的局限性，而這些局限性源自其是一種窄禁帶材料，所以會引發(fā)不良的導(dǎo)電性泄漏，且會隨著溫度、電壓或頻率的提高而變得更加明顯。這...
寬禁帶測試泰克 2023-03-16

從測試角度看寬禁帶技術(shù)的挑戰(zhàn)，泰克為工程師提供簡化工具

• 氮化鎵和碳化硅如何增強性能？• 測試和測量的進(jìn)步如何幫助應(yīng)對當(dāng)前的挑戰(zhàn)？• 如何為工程師簡化測試過程的技術(shù)和工具？ ……從測試的角度來看寬禁帶技術(shù)帶來的諸多挑戰(zhàn)，例如如何篩選不同廠家的器件及必要性，如何解決目前寬禁帶器件應(yīng)用測試和驅(qū)動測試的難題，如何能充分發(fā)揮...
泰克測試寬禁帶技術(shù) 2022-12-29

UnitedSiC SiC FET用戶指南

作者： Mike Zhu 簡介本SiC FET用戶指南介紹了使用含快速開關(guān)SiC器件的RC緩沖電路的實用解決方案和指南。該解決方案經(jīng)過實驗性雙脈沖測試（DPT）結(jié)果驗證。緩沖電路損耗得到精確測量，可協(xié)助用戶計算緩沖電路電阻的額定功率。本指南還在UnitedSiC_AN0018《開關(guān)含緩沖電路的快速SiC FET應(yīng)用說明》中分析...
SiC器件SiC FETRC緩沖電路 2022-05-09

使用SiC MOSFET時如何盡量降低電磁干擾和開關(guān)損耗

對于一直在設(shè)法提高效率和功率密度并同時維持系統(tǒng)簡單性的功率設(shè)計師而言，碳化硅（SiC）MOSFET的高開關(guān)速度、高額定電壓和小RDS(on)使得它們具有十分高的吸引力。然而，由于高開關(guān)速度會導(dǎo)致高漏源電壓（VDS）峰值和長振鈴期，它們會產(chǎn)生電磁干擾，尤其是在電流大時。本文提供了一個較好的解決方案來優(yōu)...
碳化硅電磁干擾SiC MOSFET 2022-02-28

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