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晶體管的未來：3D堆疊CMOS

在過去的 50 年中，影響最深遠的技術成就可能是晶體管一如既往地穩步向更小邁進，使它們更緊密地結合在一起，并降低了它們的功耗。然而，自從 20 多年前筆者在英特爾開始職業生涯以來，我們就一直在聽到警報——晶體管下降到無窮小的狀態即將結束。然而，年復一年，出色的新創新繼續推動半導體行業進一...
晶體管CMOS 2022-08-12

為了實現更小、更快、更節能，芯片制造經歷了什么？

每隔幾個月就會有更新換代的電子產品問世。它們通常更小、更智能，不僅擁有更快的運行速度與更多帶寬，還更加節能，這一切都要歸功于新一代先進的芯片和處理器。跨入數字化時代，我們如同相信太陽明天一定會升起那樣，確信新設備會不斷地推陳出新。而在幕后，則是工程師們積極研究半導體技術路線圖，以...
芯片制造晶體管處理器3D技術NAND閃存 2022-05-10

如何利用寬帶天線同時滿足傳統和 5G 無線物聯網網絡需求

作者：Bill Schweber除了隨處可見的消費者智能手機之外，基于 5G 的無線鏈路還能滿足多樣化的嵌入式應用需求，例如物聯網 (IoT)、機對機 (MTM) 鏈路、智能電網、自動售貨機、網關、路由器、安全和遠程監控連接等等。然而，向 5G 的這一轉變過程不可能一蹴而就。這就需要在無線通信鏈路的前端使用天...
寬帶天線5G無線物聯網 2022-04-14

摩爾定律的現在及未來

摩爾定律的本質是創新，我們可以自信地說創新將永不止步摘要：• 英特爾不懈推進摩爾定律，在制程工藝基礎創新方面有著深厚底蘊。• 在推進摩爾定律的過程中，先進封裝為架構師和設計師提供了新工具。• 英特爾擁有完備的研究體系，這讓我們有信心延續摩爾定律。• 總而言之，在不...
摩爾定律英特爾芯片 2022-03-29

一文了解相控陣天線中的真時延

本文要點· 真時延是寬頻帶相控陣天線的關鍵元素之一?！?nbsp; 真時延通過在整個信號頻譜上應用可變相移來消除波束斜視現象?！?nbsp; 在相控陣中使用時延單元或電路板，以提供波束控制和相移市場越來越需要更快、更可靠的通信網絡，而寬帶通信系統正在努力滿足這一需求。帶寬越高，通信數據速率就...
相控陣天線天線技術 2022-03-16

一鍵解鎖！晶體管結構工藝發展歷程

從人工智能（AI）到5G、物聯網（IoT）、再到自動駕駛汽車，半導體不知不覺已經成為第四次工業革命時代的核心技術之一。隨著半導體技術的先進化和復雜化，半導體工藝也在快速發展。隨著下一代設備越來越小，半導體也逐漸小型化，集成度越來越高，超微工藝技術變得更加重要。FinEFT，開啟3D晶體管時代 ...
晶體管半導體技術 2022-03-08

一文解讀“集成電路三大發展方向”

作者： Suny Li（李揚）雖然，所有以指數規律增長的曲線在物理意義上均是不可持續的，摩爾定律正是如此。然而，人們卻一直想方設法地去延續摩爾定律，為什么明知不可為而為之？這其實代表了人類的一種理想主義，這種理想或信念往往讓人類超越自身，創造出意想不到的科技和文明。或許正...
集成電路技術芯片晶體管 2022-02-10

Nerissa Draeger博士：全包圍柵極結構將取代FinFET

作者：泛林Nerissa Draeger博士FinFET在22nm節點的首次商業化為晶體管——芯片“大腦”內的微型開關——制造帶來了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成的通道更容易控制。但是，隨著3nm和5nm技術節點面臨的難題不斷累積，FinFET的效用已經趨于極限。晶體管縮放的難題...
FinFET晶體管 2021-01-25

利用虛擬工藝建模贏得全球半導體技術的競爭

半導體工藝的開發絕非易事，每一代器件研發的難度和成本在不斷提升。用傳統的先構建再測試的方法來開發最先進的工藝過于耗時且成本過高，如今已經不再適用。工藝開發的高成本大多數芯片設計師需要基于現有制造工藝來開發新產品，但這些工藝本身也需要工程師來開發。工藝開發，相較于設計新的芯片，對于...
半導體制造工藝晶體管 2020-12-10

歐美已開始研發1nm CPU技術？

據最新消息，在VLSI 2020上，IMEC發表了有關單片CFET的有趣論文，我有機會采訪了其中一位作者Airoura Hiroaki。三星已經宣布，他們將在3nm的時候轉向水平納米片(Horizontal Nanosheets ：HNS)。臺積電(TSMC)保持3nm的FF，但預計將轉移到2nm的新架構。在業界眾所周知，FinFET(FF)即將達到其定標壽命...
CPU處理器工藝芯片 2020-09-17

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