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↓在 技術文章 中搜索到 1799 條關于“MCU+”的信息，用時:0.004 sec.

專為AI邊緣打造的i.MX RT700跨界MCU

作者：Eli Hughes i.MX RT700系列提供了高性能、高集成度、先進功能和高能效的優化組合，為支持智能AI的邊緣端設備賦能，例如可穿戴設備、消費電子醫療設備、智能家居設備和HMI設備。在i.MX RT500和i.MX RT600跨界MCU的成功基礎上，恩智浦宣布推出i.MX RT700，超低功耗、集成多核和eIQ® Neutron...
恩智浦AI邊緣i．MX RT700系列MCU 2024-10-10

MCX C系列簡介：使用高能效、高性價比的MCU提升設計

作者：Will Wang 恩智浦推出MCX C系列，進一步豐富MCX微控制器產品組合。MCX C系列不僅為低成本應用設計，還具有高能效和可靠的性能，進一步豐富整個MCX產品組合。基于Arm® Cortex®，高性價比、高能效秉承在MCU領域深厚的技術積累，并著眼于未來，恩智浦自豪宣布推出MCX C系列——一款高性價...
MCX C系列MCX微控制器MCU 2024-08-28

運用LPWAN和邊緣智能無線MCU革新農業

農業作為文明的基石，正面臨著越來越多的障礙——從不可預測的天氣模式和蟲害，到資源短缺和市場波動。為了克服這些挑戰，農民們正在轉向可持續的智能農業設備。低功耗廣域網（LPWAN）是一種無線技術，可以實現設備之間的遠程、低成本通信，可以極大地優化農業部門。通過將LPWAN與邊緣智能或數據處理集...
LPWANMCU智能農業 2024-07-09

用一個例子說透選擇MCU的幾個關鍵！

作者：Kenton Williston 本文以 STM32H7 系列的功能為例，重點介紹了選擇 MCU 系列時應考慮的標準。此外，還介紹了適用于 STM32H7 MCU 的開發板和工具，并說明了如何使用這些基礎設施啟動項目。隨著人工智能 (AI) 和具有豐富圖形的復雜人機界面 (HMI) 等先進功能在應用中變得越來越普遍，產品設計...
MCUSTM32H7DigiKey 2024-06-14

全新MCX W系列MCU賦能更廣闊連接

作者：Eli Hughes 基于MCX N和MCX A系列微控制器取得的成功，恩智浦發布支持多協議無線連接的MCX W系列。作為MCX廣泛產品組合的重要成員，MCX W系列具有與MCX產品其他系列相同的Arm® Cortex®-M33內核，并與MCX產品其他系列共享外設平臺。MCX W系列的亮點在于其支持多種無線標準，包括Matter...
MCUMCU恩智浦 2024-05-07

為什么 MCU 用戶可以從探索低端 FPGA 的應用范圍中受益

作者：Patrice Brossard，EMEA 垂直細分市場經理（FPGA 和 ASIC），富昌電子在 20 世紀 80 年代，現場可編程門陣列 (FPGA) 的早期，半導體技術的局限性意味著器件小巧簡單。這些早期的 FPGA 僅具有數百個邏輯門，用于將以前在多個分立邏輯組件中實現的功能集成到單個可編程芯片中。隨著設計工程師...
MCUMCU 2024-04-26

使用Renesas RA8M1 MCU快速地部署強大高效的AI和ML功能

作者：Kenton Williston人工智能 (AI)、機器學習 (ML) 和其他計算密集型工作負載在物聯網 (IoT) 網絡邊緣的興起，給微控制器 (MCU) 帶來了額外的處理負載。處理這些新的工作負載會增加功耗，盡管要求設計人員盡量降低功耗并加快產品上市時間。設計人員需要一個計算選項，既能保持 MCU 的效率，又能...
renesasRA8M1MCUAIML 2024-04-17

基于航順芯片車規級MCU HK32A040C8T3的汽車撥檔開關解決方案

縱觀全球乘用車發展，自動擋已基本普及，其簡單易學和便利智能的特點為駕駛員帶來更舒適的駕駛體驗，也更加適應城市交通。自動換檔功能的實現其實是采用撥檔開關替代手動操作，撥檔開關會根據汽車不同發動機轉速、汽車速度以及駕駛員的踩油門的意圖來控制撥叉切換和檔位切換。撥檔開關想要實現這些自動...
航順HK32A040C8T3MCU汽車撥檔開關 2024-04-15

使用瑞薩電子 RA8M1 MCU 快速部署強大而高效的機器學習

人工智能 (AI)、機器學習 (ML) 和物聯網 (IoT) 網絡邊緣的其他計算密集型工作負載的興起給微控制器 (MCU) 帶來了額外的處理負載。即使設計人員被要求最大限度地降低功耗并加快上市時間，處理這些新的工作負載也會增加功耗。設計人員需要一種計算選項，既能保持 MCU 的效率，又能添加專門針對低功...
瑞薩RA8M1 MCU機器學習 2024-04-07

MCU 測試芯片嵌入 10．8 Mbit STT－MRAM 存儲器

具有 10.8 Mbit 磁阻隨機存取存儲器 (MRAM) 存儲單元陣列的原型 MCU 測試芯片（采用 22 nm 嵌入式 MRAM 工藝制造）聲稱可以實現超過 200 MHz 的隨機讀取訪問頻率和 10.4 MB 的寫入吞吐量/s，結溫為 125°C。瑞薩電子為這種嵌入式自旋轉移矩 MRAM (STT-MRAM) 測試芯片開發了電路技術，并于 2 月 20 ...
MCU 測試芯片MRAM 存儲器 2024-03-01

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