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↓在 技術文章 中搜索到 613 條關于“MOS”的信息，用時:0.003 sec.

4個方面了解MOS管

01 MOS管種類&結構MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。對于這兩種增強型MOS管...
MOSFET管mos管 2023-05-25

功率放大器電路中的三極管和MOS管，究竟有什么區(qū)別？

學習模擬電子技術基礎，和電子技術相關領域的朋友，在學習構建功率放大器電路時最常見的電子元器件就是三極管和場效應管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪些聯(lián)系和區(qū)別呢？在構建功率放大器電路時我們要怎么選擇呢？首先我們明確一下二者的概念三極管：全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、...
功率放大器放大電路MOS管場效應管電子元器件 2023-05-22

了解短溝道 MOS 晶體管中的漏電流成分

MOS 晶體管正在按比例縮小，以限度地提高集成電路內(nèi)的封裝密度。這導致氧化物厚度的減少，進而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種類型的漏電流至關重要。在我們嘗試了解各種漏電流成分之前，讓我們先回顧一下 MOS 晶...
MOS 晶體管 2023-05-19

功率MOS管損壞的典型

第一種：雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。在介質負載的開關運行斷開時產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區(qū)而導致破壞的模式會...
二極管功率MOS管 2023-05-15

電源工程師必須要了解的MOS管GS波形

對于咱們電源工程師來講，很多時候都在波形，看輸入波形，MOS開關波形，電流波形，輸出二極管波形，芯片波形，MOS管的GS波形，拿開關GS波形為例來聊一下GS的波形。測試MOS管GS波形時，有時會看到下圖中的這種波形，在芯片輸出端是非常好的方波輸出，但一旦到了MOS管的G極就出問題了，有振蕩，這個振蕩小...
mos管GS波形 2023-05-10

MOS管漏電流的6大原因

在討論MOS晶體管時，短溝道器件中基本上有六種漏電流成分：• 反向偏置-pn結漏電流• 亞閾值漏電流• 漏極引起的勢壘降低• V滾降• 工作溫度的影響• 隧道進入和通過柵極氧化物漏電流• 熱載流子從襯底注入柵氧化層引起的漏電流• 由于柵極引起的漏極降低 (G...
MOS管漏電流 2023-04-13

MOS管開通過程的米勒效應及應對措施

在現(xiàn)在使用的MOS和IGBT等開關電源應用中，所需要面對一個常見的問題 — 米勒效應，本文將主要介紹MOS管在開通過程中米勒效應的成因、表現(xiàn)、危害及應對方法。1. 米勒效應的成因在講這個之前需要先回顧下MOS的開通過程。圖一從t1開始時刻，Vgs開始上升的時候，Vds和Id保持不變，這個過程中驅動電流ig...
mos管米勒效應 2023-02-24

三極管和MOS管下拉電阻的作用

簡單講解一下三極管，如果三極管工作在飽和區(qū)（完全導通），Rce≈0，Vce≈0.3V，且這個0.3V，我們就認為它直接接地了。那么就需要讓Ib大于等于1mA，若Ib=1mA, Ic=100mA，它的放大倍數(shù)β=100，三極管完全導通。如下圖，是一個NPN三極管。三極管屬于電流型驅動元器件，因此一般在基極都會...
三極管MOS管 2022-12-29

MOS管自舉電容工作原理

自舉電路自舉電路也叫升壓電路，是利用自舉升壓二極管，自舉升壓電容等電子元件，使電容放電電壓和電源電壓疊加，從而使電壓升高．有的電路升高的電壓能達到數(shù)倍電源電壓。MOS管自舉電路原理舉個簡單的例子：有一個12V的電路，電路中有一個場效應管需要15V的驅動電壓，這個電壓怎么弄出來？就是用自舉。...
mos管自舉電容 2022-12-20

數(shù)字源表如何測試MOS管電性能

MOSFET(金屬—氧化物半導體場效應晶體管)是一種利用電場效應來控制其電流大小的常見半導體器件，可以廣泛應用在模擬電路和數(shù) 字電路當中。 MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳納米管等材料制作，是材料及器件研究的熱點。主要參數(shù)有輸入 / 輸出特性曲線、閾值電壓 VGS...
mos管數(shù)字源表 2022-12-12

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