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↓在 技術文章 中搜索到 804 條關于“SiC”的信息，用時:0.003 sec.

基于 SiC 的三相電機驅動開發和驗證套件

基于 SiC 器件的電機驅動工業電機驅動器涵蓋廣泛的應用，從低壓工業驅動器（例如風扇、泵和傳送帶、熱泵和空調）以及伺服驅動器。據估計，這些通常由交流電源驅動的電動機占工業用電量的 70-80%。因此，人們有強烈的動機來提高這些驅動器的效率。即使該參數的微小改進也能在節省能源和成本方面產生...
SiC三相電機驅動開發 2025-01-20

基于SiC的高電壓電池斷開開關的設計注意事項

Microchip Technology Inc. 碳化硅業務部資深顧問級應用工程師 Ehab Tarmoom 得益于固態電路保護，直流母線電壓為400V或以上的電氣系統（由單相或三相電網電源或儲能系統（ESS）供電）可提升自身的可靠性和彈性。在設計高電壓固態電池斷開開關時，需要考慮幾項基本的設計決策。其中關鍵因素包括...
microchipSiC高電壓電池 2025-01-09

第13講：超小型全SiC DIPIPM

在Si-IGBT的DIPIPM基礎上，三菱電機開發了超小型全SiC DIPIPM，保持相同的封裝及管腳配置。本文帶你一覽超小型全SiC DIPIPM的優勢。三菱電機從1997年開始將DIPIPM產品化，廣泛應用于空調、洗衣機、冰箱等白色家用電器，以及通用變頻器、機器人等工業設備。本公司的DIPIPM功率模塊采用壓注模結構，由...
三菱電機SiC DIPIPM 2025-01-08

柵極驅動器選得好，SiC MOSFET高效又安全

本文作者：Bob Card，安森美營銷經理硅基MOSFET和IGBT過去一直在電力電子應用行業占據主導地位，這些應用包括不間斷電源、工業電機驅動、泵以及電動汽車（EV）等。然而，市場對更小型化產品的需求，以及設計人員面臨的提高電源能效的壓力，使得碳化硅（SiC）MOSFET成為這些應用中受歡迎的替代品。與硅基...
柵極驅動器SiC MOSFET 2025-01-03

為什么超大規模數據中心要選用SiC MOSFET？

如今，數據中心迫切需要能夠高效轉換電能的功率半導體，以降低成本并減少排放。更高的電源轉換效率意味著發熱量減少，從而降低散熱成本。電源系統需要更低的系統總成本和緊湊的尺寸；因此必須提高功率密度，尤其是數據中心的平均功率密度正在迅速攀升。從十年前的每個1U機架通常只有5 kW，增加到現在的...
數據中心SiC MOSFET電源轉換 2024-12-26

SiC MOSFET 利用快速關斷方法實現短路保護

短路原點電源轉換系統中的 SC 事件可能由多種原因引起，包括電纜操作、負載故障、絕緣材料老化、組件故障和設計錯誤。電源應用可以包括不同的保護機制以提高其可靠性。負載引起的高電感 SC 事件通常通過軟件中編程的電流限制和閾值電壓進行管理。另一方面，低電感短路需要柵極驅動板中包含硬件保護。柵...
SiC MOSFET短路保護 2024-12-25

第12講：三菱電機高壓SiC芯片技術

三菱電機開發了高耐壓SiC MOSFET，并將其產品化，率先將其應用于驅動鐵路車輛的變流器中，是一家在市場上擁有良好業績記錄的SiC器件制造商。本篇帶你了解三菱電機高壓SiC芯片技術。通過使用SiC，可實現額定電壓3.3kV以上的高耐壓MOSFET。由于MOSFET是單極性器件，少數載流子不會積聚，所以能夠實現極低...
三菱電機SiC芯片技術 2024-12-20

第11講：三菱電機工業SiC芯片技術

1200V級SiC MOSFET是一種能充分發揮SiC優勢的器件，廣泛應用于工業、汽車等領域。目前，1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產品，本文主要介紹三菱電機1200V級SiC MOSFET的技術開發概要。截至2024年，三菱電機已量產第二代平面柵SiC MOSFET芯片，并配套于各種模塊實現產品化。圖1顯示了第二代平...
三菱電機SiC MOSFETSiC芯片技術 2024-12-10

面對電動汽車和數據中心兩大主力應用市場，SiC和GaN該如何發力？

氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）是寬禁帶（WBG）半導體材料，由于其獨特性，使其在提高電子設備的效率和性能方面起著至關重要的作用，特別是在DC/DC轉換器和DC/AC逆變器領域。對于GaN而言，與硅相比，它具有優異的電子遷移率和更高的擊穿電壓，能在高溫、高電和高頻下工作，其優勢主要體現在三個方面：&#...
電動汽車數據中心SiCGaN 2024-12-02

第10講：SiC的加工工藝（2）柵極絕緣層

柵極氧化層可靠性是SiC器件應用的一個關注點。本節介紹SiC柵極絕緣層加工工藝，重點介紹其與Si的不同之處。SiC可以通過與Si類似的熱氧化過程，在晶圓表面形成優質的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優勢。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實現產品化...
SiC三菱電機 2024-11-28

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