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從實際應(yīng)用中吸取經(jīng)驗：如何驅(qū)動寬帶隙半導體器件的柵極

作者：Riccardo Collura，EMEA 垂直部門經(jīng)理（電源），富昌電子為硅 MOSFET 或 IGBT 設(shè)計柵極驅(qū)動電路時，工程師總是必須對長期的成本/性能權(quán)衡做出精確判斷。設(shè)計人員對所選開關(guān)的特定特性的理解有助于做出決策，例如是使用隔離式驅(qū)動器還是非隔離式驅(qū)動器，以及應(yīng)用中可接受的最...
寬帶隙(WBG)柵極驅(qū)動電路隔離式驅(qū)動器 2022-09-02

英領(lǐng)物聯(lián) 成為“功率器件”的大滿貫選手

憑借高效領(lǐng)先的功率半導體技術(shù)，英飛凌不但在節(jié)能減排方面一直走在全球科技公司的前列，還在積極提出了自己的“2030年碳中和承諾”——即相較于2019年，通過減少和替代的方式，在2025年實現(xiàn)二氧化碳排放量減少70%的目標；到2030年，將主要通過避免排放來實現(xiàn)碳中和。自信的承諾與英飛凌“低碳化和數(shù)字化...
功率器件電機控制微控制器 2022-08-30

隔離型驅(qū)動的新勢力：英飛凌無磁芯變壓器(CT:Coreless Transformer)隔離型驅(qū)動

作者：王丹鄭姿清一提到隔離型驅(qū)動，不少硬件研發(fā)工程師就會先入為主想到光耦?？晒怦钫娴氖俏ㄒ贿x擇嗎？伴隨著全球電氣化和數(shù)字化的趨勢，電力電子技術(shù)的發(fā)展也日新月異：功率器件開關(guān)頻率進一步提高，寬禁帶器件使用方興未艾，終端應(yīng)用環(huán)境更加復雜惡劣，這些都對隔離型驅(qū)動的性能和可靠性提出...
隔離型驅(qū)動無磁芯變壓器寬禁帶器件 2022-04-19

借助高能效GaN轉(zhuǎn)換器，提高充電器和適配器設(shè)計的功率密度

作者: 英飛凌科技首席應(yīng)用工程師Zhong Fang Wang、英飛凌科技高級主任應(yīng)用工程師Matt Yan如今，充電器和適配器應(yīng)用最常用的功率轉(zhuǎn)換器拓撲是準諧振（QR）反激式拓撲，因為它結(jié)構(gòu)簡單、控制簡便、物料（BOM）成本較低，并可通過波谷切換工作實現(xiàn)高能效。然而，與工作頻率密切相關(guān)的開關(guān)損耗和變壓器漏感...
充電器適配器GaN轉(zhuǎn)換器 2022-03-30

功率電子、5G、新能源汽車：三大目標市場中，第三代半導體器件的機會在哪里？

圖源：stock.adobe.com/Grispb 第三代半導體指以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）和金剛石為代表的化合物半導體，該類半導體材料禁帶寬度大于或等于2.2eV，因此也被稱為寬禁帶（WBG）半導體材料。與第一代的Si、Ge和第二代的GaAs、InP相比，GaN和SiC具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、電子...
5G功率電子半導體器件新能源汽車 2022-01-24

為什么 GaN 對5G 基礎(chǔ)設(shè)施至關(guān)重要？

作者：英飛凌科技高級首席應(yīng)用工程師Giuseppe Bernacchia，英飛凌科技應(yīng)用工程總監(jiān)Moshe Domb 在全世界都在對 5G 的技術(shù)進步感到無比興奮的同時，設(shè)計人員現(xiàn)在正忙于如何為基站提供電力供應(yīng)而努力。5G 未來成功的核心是其能否實現(xiàn)三大期望目標：巨大的數(shù)據(jù)吞吐量、超低延...
GaN5G 基礎(chǔ)設(shè)施5G 射頻收發(fā)器 2022-01-04

第三代半導體的技術(shù)價值、產(chǎn)業(yè)發(fā)展和技術(shù)趨勢

日前，英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部大中華區(qū)市場推廣總監(jiān)陳子穎先生和英飛凌科技電源與傳感事業(yè)部大中華區(qū)應(yīng)用市場總監(jiān)程文濤先生在媒體采訪中就第三代半導體技術(shù)價值、產(chǎn)業(yè)發(fā)展和技術(shù)趨勢進行了深入解讀。進入后摩爾時代，一方面，人類社會追求以萬物互聯(lián)、人工智能、大數(shù)據(jù)、智慧城市、智能交通等技術(shù)提...
第三代半導體技術(shù)能源轉(zhuǎn)換 2021-11-05

快充僅是第三代半導體應(yīng)用“磨刀石”，落地這一領(lǐng)域可每年省電40億度

眾所周知，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體，相較傳統(tǒng)的硅材料半導體，具備許多非常優(yōu)異的特性，如高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率以及抗強輻射能力等。前一個十年，第三代半導體材料已經(jīng)在基站射頻、功放等通信領(lǐng)域嶄露頭角；2021年，隨著“十四五”規(guī)劃的提出，中國將加速...
碳化硅（SiC）氮化鎵（GaN）功率半導體半導體材料 2021-07-27

電機驅(qū)動中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景

作者：英飛凌科技AC-DC應(yīng)用資深首席工程師Eric Persson隨著工業(yè)、辦公設(shè)備和家庭自動化等領(lǐng)域的不斷發(fā)展，電機及其驅(qū)動器越來越多地用于從工業(yè)機械臂控制到消費級市場的家用洗衣機等各種應(yīng)用場景。人類應(yīng)用電機已經(jīng)有一個多世紀，但是面對未來應(yīng)用場景中對運動控制更高的靈活性要求，我們需要更加“智能...
電機驅(qū)動控制氮化鎵技術(shù)電壓源逆變器 2021-04-28

功率器件應(yīng)該如何選擇和標定？

作為電源行業(yè)值得信賴的測試專家，泰克為工程師在電源設(shè)計各個階段提供可靠的解決方案，使工程師堅定每一步設(shè)計，優(yōu)化每個階段設(shè)計，從而加速新產(chǎn)品的上市周期。對市場新推出的低功耗 IC 及功率器件特性無法準確把握?是否真正在自己的電源設(shè)計中發(fā)揮最大的作用，缺少一種簡單經(jīng)濟的評價方法。對于電源...
二極管低功耗IC功率器件 2020-10-21

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