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↓在 技術文章 中搜索到 613 條關于“MOS”的信息，用時:0.004 sec.

基于TMC5160 StallGuard2實戰案例分享

當控制環境比較惡劣，周邊可能存在大型的電機對電磁抗干擾能力影響較大時，管道閘中的閥門控制將面臨一定挑戰和障礙，面對這種情況，該如何明確閥門的位置和檢測扭矩？本次技術型授權代理商Excelpoint世健邀請到了他們的客戶——行業資深工程師阮工來分享他的實戰案例。ADI的TMC5160是一款高度緊湊的步...
步進電機力矩檢測絕對值編碼器管道閘控制器ADI世健 2023-03-01

電路保護中的欠壓/過壓閉鎖：使用比較器，實用巧設計

作者：Alan Yang在電子設備的實際應用中，可能會遇到輸入電壓不穩的情況。例如使用電池的便攜式設備應用，輸入電壓Vin可能很難保持非常穩定。為了防止電壓過低或過高影響后續電路，有時有必要增加欠壓/過壓閉鎖設計。欠壓閉鎖(UVLO)/ 過壓閉鎖(OVLO)兩個概念的定義如下：· 欠壓閉鎖(UVLO)，輸入電壓達到...
電路保護欠壓過壓閉鎖比較器 2023-02-28

800V架構，能治好電動汽車用戶的“里程焦慮”嗎？

原來1.5小時，現在只需20分鐘就能將電動汽車（EV）從5%的荷電狀態（SoC）充電至80%，這樣的電動汽車充電方案你喜歡嗎？好消息是，這已經不是“畫大餅”，保時捷Taycan通過采用全新的800V系統，就已經實現了上述這個電動汽車車主們心心念的愿望。對于電動汽車而言，為了縮短充電時間、解決車主的里程焦慮...
電動汽車SiC MOSFET 2023-02-21

大聯大世平集團推出基于NXP產品的3D打印機方案

2023年2月16日，致力于亞太地區市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布，其旗下世平推出基于恩智浦（NXP）LPC5528芯片的3D打印機方案。圖示1-大聯大世平基于NXP產品的3D打印機方案的展示板圖 3D打印是目前最具生命力的快速成型技術之一，憑借著無需機械加工或任何模具就能直接從計算機圖形數...
大聯大世平集團NXP3D打印機 2023-02-17

車規MOSFET技術確保功率開關管的可靠性和強電流處理能力

作者：意法半導體意大利Catania公司，Giusy Gambino如今，出行生態系統不斷地給汽車設計帶來新的挑戰，特別是在電子解決方案的尺寸、安全性和可靠性方面提出新的要求。此外，隨著汽車電控制單元 (ECU) 增加互聯和云計算功能，必須開發新的解決方案來應對這些技術挑戰。高端車輛使用多達數百個ECU，這要...
車規MOSFET技術功率開關管 2023-02-09

兩步走解決開關電源輸入過壓的煩惱！

輸入過壓是由電網負載的巨大波動引起的。例如，在用電高峰期，電壓通常較低，而在設備關閉時，電壓則較高。電網電壓幅值的實際變化范圍隨著電網容量、輸配電設備質量、用電量以及其他因素的變化而變化很大。在擁有完善電源系統的城市和工業區里，變化范圍通常只有 ±15% 左右（最大值不超過 264 VAC）。...
開關電源電源管理電路設計 2023-02-09

把開關電源頻率無限提升，會炸嗎？

引言估計很多新手工程師在設計開關電源計算變壓器時發炸現，把電源的開關頻率提高后變壓器磁芯更加不容易飽和，或者說可以用更小的磁性做出同樣功率的電源，甚至在想把開關頻率無限制提高來無限制縮小變壓器的體積。但實際上一般開關電源的頻率都不會特別高，也不可能使頻率無限提高，其中到底有哪些原...
開關電源開關頻率 2023-01-29

碳化硅MOSFET尖峰的抑制

SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導體具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優勢，在各種各樣的電源應用范圍在迅速地擴大。其中一個主要原因是與以前的功率半導體相比，SiC MOSFET 使得高速開關動作成為可能。但是，由于開關的時候電壓和電流的急劇變化，器件的封裝電感和周邊電路的...
碳化硅MOSFETSiC MOSFET 2023-01-18

如何為汽車智能配電系統選擇功率開關管

作者：意法半導體Giusy Gambino今天，車企正在加快汽車技術創新步伐，開發出了電動汽車、網聯汽車、自動駕駛汽車、共享汽車等全新的汽車概念。汽車電動化和數字化的大趨勢包括區域控制架構、功率芯片驅動數字化、電池管理系統、功率電子和電源/能源管理。電控單元 (ECU)對更大功率、更高安全性的需求日...
汽車智能配電系統功率開關管 2023-01-10

淺談碳化硅壽命中的挑戰

引言功率半導體作為電力電子行業的驅動力之一，在過去幾十年里硅(Si)基半導體器件以其不斷優化的技術和成本優勢主導了整個電力電子行業，但它也正在接近其理論極限，難以滿足系統對高效率、高功率密度的需求。而當下碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體以其優異的電學和熱學特性使得功率半導體器件...
碳化硅寬禁帶半導體 2023-01-09

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