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↓在 技術文章 中搜索到 804 條關于“SiC”的信息，用時:0.003 sec.

針對高壓應用優化寬帶隙半導體器件

自從寬帶隙材料被引入各種制造技術以來，通過使用MOSFET、晶閘管和 SCR等功率半導體器件就可以實現高效率。為了優化可控制造技術，可以使用特定的導通電阻來控制系統中的大部分功率器件。對于功率 MOSFET，導通電阻仍然是優化和摻雜其單元設計的關鍵參數。電導率的主要行業標準是材料技術中的特定導通電...
SiC 功率二極管寬帶隙半導體器件 2023-04-12

800V架構，能治好電動汽車用戶的“里程焦慮”嗎？

原來1.5小時，現在只需20分鐘就能將電動汽車（EV）從5%的荷電狀態（SoC）充電至80%，這樣的電動汽車充電方案你喜歡嗎？好消息是，這已經不是“畫大餅”，保時捷Taycan通過采用全新的800V系統，就已經實現了上述這個電動汽車車主們心心念的愿望。對于電動汽車而言，為了縮短充電時間、解決車主的里程焦慮...
電動汽車SiC MOSFET 2023-02-21

碳化硅MOSFET尖峰的抑制

SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導體具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優勢，在各種各樣的電源應用范圍在迅速地擴大。其中一個主要原因是與以前的功率半導體相比，SiC MOSFET 使得高速開關動作成為可能。但是，由于開關的時候電壓和電流的急劇變化，器件的封裝電感和周邊電路的...
碳化硅MOSFETSiC MOSFET 2023-01-18

先進碳化硅技術，有效助力儲能系統

人們普遍認識到，碳化硅（SiC）現在作為一種成熟的技術，在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應用中改變了電力行業，覆蓋工業、能源和汽車等眾多領域。這主要是由于它比以前的硅（Si）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的應用具有更多優勢，包括更高的開關頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損...
碳化硅技術儲能系統SiC 2022-10-26

寬禁帶半導體：后摩爾時代超車絕佳賽道？

摩爾定律已逼近物理極限?！熬聿贿^”就換賽道，寬禁帶半導體成為后摩爾時代半導體發展的“蹊徑”之一，而在這一領域，國內企業有望實現彎道超車。寬禁帶半導體是指禁帶寬度在2.3eV及以上的半導體材料，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表，也稱“第三代半導體”。采用SiC、GaN材料制備的半導體器件不...
寬禁帶半導體SiC 2022-10-20

新的寬帶隙半導體技術提高了功率轉換效率

如果詢問任何功率電子器件設計師他們追求什么，轉換效率通常都會名列前茅。高效率不僅能節能，還有附帶好處，即打造更小、更輕、更便宜的產品，而釋放的空間還可用于提高可靠性和增加功能。實際上有些應用受益匪淺，如電動車，它的單次充電行駛里程會有所提高，還有數據中心，其中的電子器件和必要空調...
功率轉換SiC－FET 2022-09-30

延時校準、脈沖測試一定要做的事兒！

進行雙脈沖測試的主要目的是獲得功率半導體的開關特性，可以說它伴隨著功率器件從研發制造到應用的整個生命周期?；陔p脈沖測試獲得的器件開關波形可以做很多事情，包括：通過對開關過程的分析驗證器件設計方案并提出改進方向、提取開關特征參數制作器件規格書、計算開關損耗和反向恢復損耗為電源熱設...
延時校準脈沖測試SiC MOSFET 2022-09-01

延時校準，雙脈沖測試一定要做的事兒！

（本文轉載自公眾號：功率器件顯微鏡，分享給大家交流學習）進行雙脈沖測試的主要目的是獲得功率半導體的開關特性，可以說它伴隨著功率器件從研發制造到應用的整個生命周期?；陔p脈沖測試獲得的器件開關波形可以做很多事情，包括：通過對開關過程的分析驗證器件設計方案并提出改進方向、提取開關特征...
雙脈沖測試SiC MOSFET開關 2022-08-26

布局碳化硅十八年安森美如何改變芯片未來

2022年第一季度財報中，全球知名半導體廠商安森美(onsemi)再一次明確了亞洲市場(除日本外)的重要性。亞洲地區對安森美全球市場的貢獻依然過半，僅比2021年底降低了2個百分點。 “中國是安森美最核心的市場之一，貢獻了近一半營業額?！彪婒寗釉普搲希采乐袊鴧^汽車市場技術負責人，吳桐博士強調...
sic芯片大功率器件碳化硅 2022-08-25

碳化硅如何實現助力電動汽車應用

本文將重點介紹碳化硅技術在汽車領域的應用和實現。與傳統的硅基器件相比，碳化硅（SiC）組件具有多項優勢（例如高效率和低損耗），使其成為多種電源解決方案的正確解決方案。介紹過去幾年，電力行業市場受到一些相關趨勢的影響。例如，在 1999 年，我們推動了對模擬功率器件的大量需求的電信熱潮。計...
碳化硅（SiC）電動汽車 2022-08-11

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