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第9講：SiC的加工工藝（1）離子注入

離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實(shí)現(xiàn)對n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂啤１疚暮喴榻B離子注入工藝及其注意事項。SiC的雜質(zhì)原子擴(kuò)散系數(shù)非常小，因此無法利用熱擴(kuò)散工藝制造施主和受主等摻雜原子的器件結(jié)構(gòu)（形成pn結(jié)）。因此，SiC器件的制造采用了基于離子注入工藝的摻雜技術(shù)：在...
SiC三菱電機(jī) 2024-11-14

第8講：SiC外延生長技術(shù)

SiC外延生長技術(shù)是SiC功率器件制備的核心技術(shù)之一，外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應(yīng)用較多的SiC外延生長方法是化學(xué)氣相沉積（CVD），本文簡要介紹其生產(chǎn)過程及注意事項。SiC有多種穩(wěn)定的晶體多型（polytype）。因此，為了使獲得的外延生長層能夠繼承SiC襯底的特定晶體多型，需要將襯底的原子三維...
SiC器件SiC外延生長技術(shù) 2024-11-07

IGBT還是SiC ? 英飛凌新型混合功率器件助力新能源汽車實(shí)現(xiàn)高性價比電驅(qū)

作者：Devin XU，本文轉(zhuǎn)載自：英飛凌汽車電子生態(tài)圈近幾年新能源車發(fā)展迅猛，技術(shù)創(chuàng)新突飛猛進(jìn)。如何設(shè)計更高效的牽引逆變器使整車獲得更長的續(xù)航里程一直是研發(fā)技術(shù)人員探討的最重要話題之一。高效的牽引逆變器需要在功率、效率和材料利用率之間取得適當(dāng)?shù)钠胶狻．?dāng)前新能源汽車牽引逆變器的功率半導(dǎo)體...
IGBTSiC混合功率器件新能源汽車 2024-10-22

第7講：SiC單晶襯底加工技術(shù)

SiC單晶是一種硬而脆的材料，切片加工難度大，磨削精度要求高，因此晶圓制造是一個長時間且難度較高的過程。本文介紹了幾種SiC單晶的切割加工技術(shù)以及近年來新出現(xiàn)的晶圓制備方法。將通過升華法制備的SiC單晶從坩堝中取出，經(jīng)過多個加工工藝制成晶圓。圖1展示了晶圓制造的大致工藝流程。SiC單晶（也稱為...
SiC單晶晶圓制造三菱電機(jī) 2024-10-21

SiC MOSFET應(yīng)用技術(shù)在雪崩條件下的魯棒性評估

摘要本文將探討如何在雪崩工作條件下評估SiC MOSFET的魯棒性。MOSFET功率變換器，特別是電動汽車驅(qū)動電機(jī)功率變換器，需要能夠耐受一定的工作條件。如果器件在續(xù)流導(dǎo)通期間出現(xiàn)失效或柵極驅(qū)動命令信號錯誤，就會致使變換器功率開關(guān)管在雪崩條件下工作。因此，本文通過模擬雪崩事件，進(jìn)行非鉗位感性負(fù)載...
SiC MOSFET應(yīng)用技術(shù)功率變換器魯棒性評估 2024-10-12

電動壓縮機(jī)設(shè)計－SiC模塊篇

作者：安森美公司壓縮機(jī)是汽車空調(diào)的一部分，它通過將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體，再流經(jīng)冷凝器，節(jié)流閥和蒸發(fā)器換熱，實(shí)現(xiàn)車內(nèi)外的冷熱交換。傳統(tǒng)燃油車以發(fā)動機(jī)為動力，通過皮帶帶動壓縮機(jī)轉(zhuǎn)動。而新能源汽車脫離了發(fā)動機(jī)，以電池為動力，通過逆變電路驅(qū)動無刷直流電機(jī)，從而帶動壓縮機(jī)轉(zhuǎn)動，實(shí)現(xiàn)空...
電動壓縮機(jī)SiC模塊電動汽車熱管理 2024-09-25

第6講：SiC單晶生長技術(shù)

高質(zhì)量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵，目前比較主流的生長方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等，本文帶你了解以上三種SiC晶體生長方法及其優(yōu)缺點(diǎn)。在常壓下，不存在Si:C化學(xué)計量比等于1:1的液相SiC。因此，通常用于硅晶體生長的以融液作為原料的方法不能用于SiC塊狀晶體生長，而是采用...
SiC單晶三菱電機(jī)SiC功率半導(dǎo)體器件 2024-09-20

第5講：SiC的晶體缺陷

SiC晶體中存在各種缺陷，對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構(gòu)成和生長機(jī)制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。在SiC晶體中存在各種缺陷，其中一些會影響器件的特性。SiC缺陷的主要類型包括微管、晶界、多型夾雜物、碳夾雜物等大型缺陷、以及堆垛層錯（SF）、以...
SiC晶體三菱電機(jī) 2024-09-09

第4講：SiC的物理特性

與Si材料相比，SiC半導(dǎo)體材料在物理特性上優(yōu)勢明顯，比如擊穿電場強(qiáng)度高、耐高溫、熱傳導(dǎo)性好等，使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細(xì)了解SiC材料的物理特性。SiC作為半導(dǎo)體功率器件材料，具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對比見表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電...
SiC物理特性 2024-08-30

如何“榨干”SiC器件潛能？這幾種封裝技術(shù)提供了參考范例

隨著全球?qū)稍偕茉春颓鍧嶋娏ο到y(tǒng)的需求不斷增長，光儲充一體化市場為實(shí)現(xiàn)能源的高效利用和優(yōu)化配置提供了創(chuàng)新解決方案。在此趨勢引領(lǐng)下，碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)生態(tài)正迅速發(fā)展，逐漸成為替代傳統(tǒng)硅基功率器件的有力市場競爭者。本文將聚焦于SiC材料的卓越屬性，探討安森美（onsemi）系列先進(jìn)的封裝技術(shù)...
SiC封裝技術(shù)安森美碳化硅 2024-08-29

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