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↓在 技術文章 中搜索到 804 條關于“SiC”的信息，用時:0.003 sec.

賀利氏燒結銀在功率模塊中的應用

引言：功率模塊是現代工業和技術領域不可或缺的組件，它們負責高效、可靠地進行電能的轉換和控制。這些模塊直接影響到一個系統的性能、效率和耐用性，是各類電子設備和系統中關鍵的技術基礎。在現代工業和技術領域中，功率模塊主要應用在以下幾個場景：可再生能源：在太陽能和風能等可再生能源...
功率模塊賀利氏 2025-01-09

功率器件熱設計基礎（十）——功率半導體器件的結構函數

作者：陳子穎，來源：英飛凌工業半導體前言功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測...
功率器件熱設計英飛凌 2024-12-31

邁向更綠色的未來：GaN技術的變革性影響

作者：Nihit Bajaj 英飛凌科技 GaN產品高級總監校對：宋清亮英飛凌科技消費、計算與通訊業務大中華區高級首席工程師過去幾十年間，人口和經濟活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩步增長，并且預計這一趨勢還將持續。這種增長是線下與線上活動共同作用的結果。因此，數據中心的快速擴張顯著增加了全球...
GaN技術可再生能源 2024-12-23

功率器件熱設計基礎（九）——功率半導體模塊的熱擴散

作者：陳子穎前言功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。任何導熱材料都有...
功率器件熱設計半導體模塊 2024-12-19

功率器件熱設計基礎（八）——利用瞬態熱阻計算二極管浪涌電流

作者：楊勇前言功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。上一篇講了兩種熱等...
功率器件熱設計二極管浪涌電流 2024-12-16

800V直流快充：高端EV俱樂部的“入場券”，如何能拿到？

如今，電動汽車越來越受歡迎，隨之而來的是對更高效充電解決方案的需求。然而，電動汽車的快速充電與智能手機等小型消費電子產品的快速充電有很大不同。在電動汽車中，快速充電技術需要將車輛電池的充電時間從幾個小時縮短到十幾分鐘甚至更短的時間。直流快速充電是電動汽車目前很高效的快充技術，此時...
直流快充電動汽車 2024-12-12

功率器件熱設計基礎（七）——熱等效模型

作者：陳子穎前言功率半導體熱設計是實現IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。有了熱阻...
功率器件熱設計IGBT 2024-12-06

想提高高壓LED照明中的效率和功率密度？上GaN技術！

作者：George Hempt文章概述本文介紹了寬帶隙（GaN）技術在高壓LED照明中的應用，以及如何解決效率和功率密度挑戰。文章重點討論了利用GaN技術的LED驅動器架構的降壓部分，展示了如何通過寬帶隙技術提高效率和功率密度。文中還介紹了STMicroelectronics的MasterGaN系列，該系列將高電壓智能...
LED照明GaNGaN晶體管 2024-12-05

功率器件熱設計基礎（三）——功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法

前言功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會聯系實際，比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。功率半導體模塊殼溫...
功率器件IGBT英飛凌 2024-12-04

功率器件熱設計基礎（六）——瞬態熱測量

作者：陳子穎前言功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。確定熱阻抗曲線測...
功率器件英飛凌IGBT 2024-12-04

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