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↓在 技術文章 中搜索到 613 條關于“MOS”的信息，用時:0.003 sec.

SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討

作者：富昌電子 David An校稿：富昌電子 Iven Xiao隨著制備技術的進步，在需求的不斷拉動下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關產品的研發與應用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車，可再生能源及儲能等應用領域的發展，更是不容小覷。富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業的...
SiC設計SiC MOSFET驅動電壓 2022-06-08

南芯推出可堆疊2~5串鋰電池保護IC SC5550系列產品

隨著鋰電池技術發展，鋰電池在能量密度、循環壽命、充電速率等方面的優勢愈發明顯，加之鋰電池不含有害重金屬，鋰電池在消費電子、工業、汽車等市場得以廣泛應用。然而由于材料特性，鋰電池雖然很強大但也很“嬌氣”，需要用專門保護電路來保證其安全工作。針對多節鋰電池應用，南芯推出可堆疊的2~5串鋰...
鋰電池技術鋰電池保護IC 2022-05-31

通過新拓撲結構和功率器件提高系統效率和功率密度

隨著功率電源技術和信息技術的發展，用戶對高效率小體積產品的要求越來越高，對電源的性能也相應提出了更為苛刻的規范要求，電源市場迎來巨大的商機，同時也迎來了巨大的挑戰。本次報告包括以下幾項內容：系統效率和功率密度的重要性，行業發展的趨勢以及相應的解決方案，電源設計中面臨的挑戰，需要更...
功率器件拓撲結構 2022-05-30

新型200V預穩壓器可簡化故障容受型電源的設計

討論幾種設計故障容受型電源的方法，其中包括新的預穩壓器拓撲結構，該結構可簡化電路設計及元件選擇。對抗相位故障如果交流電源到電表之間出現錯誤連接故障，或是像空調或電磁爐等采用三相電源工作的大功率負載在兩個相位之間的連接錯誤，電源輸入端很有可能出現極高電壓。為了在這些類型故障條件下生...
200V預穩壓器開關電源 2022-05-26

SiC MOSFET驅動電壓測試結果離譜的六大原因

作者：泰克科技開關特性是功率半導體開關器件最重要的特性之一，由器件在開關過程中的驅動電壓、端電壓、端電流表示。一般在進行器件評估時可以采用雙脈沖測試，而在電路設計時直接測量在運行中的變換器上的器件波形，為了得到正確的結論，獲得精準的開關過程波形至關重要。SiC MOSFET 相較于 Si MOS 和...
SiC MOSFET驅動電壓測試 2022-05-25

一文學會快速開發電動汽車交流充電樁

文章導讀據中國汽車工業協會的數據顯示，今年一季度新能源汽車產銷分別為129.3萬輛和125.7萬輛，同比翻倍。在銷量構成中，純電汽車占比超過70%，中國新能源汽車市場由純電汽車主導。電動汽車的充電問題一直是大家關注的重點，本文帶你了解瑞薩RA6M1單片機在電動汽車交流充電樁的應用及快速開發過程。作...
交流充電樁電動汽車 2022-05-25

基于TNY275PN芯片實現反激式低成本高效率驅動電源電路的設計

作者：胡治偉，郭震寧，楊菲菲隨著開關電源技術的不斷發展和完善，小型輕量、高效率和低成本的開關電源得到了廣泛的應用，以往開關電源的設計通常采用控制電路與功率管相分離的拓撲結構，但這種方案存在成本高、系統可靠性低等問題。美國功率集成公司（Power Integration Inc）開發的TinySwitch-Ⅲ系列...
TNY275PN芯片開關電源技術 2022-05-25

基于CPLD控制的直流固態功控系統的研究與設計

作者：創新點1、引言隨著電子技術和計算機技術的迅猛發展，國內開展先進飛機配電系統研究的技術手段已比國外八十年代好得多，對固態功控系統研究，就是基于目前飛機配電系統的發展應運而生的，目前市場上的均為單開關結構，最近多開關的 SSPC 組已經處于研發之中，SSPC 組共享大規模控制芯片，可進一步...
CPLD控制直流固態功控系統 2022-05-23

測的離譜！SiC MOSFET驅動電壓測試結果離譜的六大原因！

測不對SiC MOSFET驅動波形六大原因 (本文轉載自公眾號：功率器件顯微鏡，分享給大家交流學習) 開關特性是功率半導體開關器件最重要的特性之一，由器件在開關過程中的驅動電壓、端電壓、端電流表示。一般在進行器件評估時可以采用雙脈沖測試，而在電路設計時直接測量在運行中的變換器上的器件波...
SiC MOSFET驅動電壓測試 2022-05-19

寬禁帶生態系統的碳化硅功率MOSFET模型

作者：James Victory現在介紹該模型的幾個元素，如下所示。首先，我們討論關鍵通道區域。這里我們使用著名的伯克利BSIM 3v3模型。只要有可能，我們就盡力不做重復工作。在本例中，我們嘗試建模一個適合BSIM模型的MOSFET通道。該模型以物理為基礎，通過亞閾值、弱反和強反準確地捕捉轉換過程。此外，它具...
碳化硅功率MOSFET器件 2022-05-19

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