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應(yīng)用開(kāi)發(fā)

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用數(shù)據(jù)看TO－247封裝單管開(kāi)爾文管腳的重要性

英飛凌通過(guò)改善IGBT芯片的結(jié)構(gòu)和工藝，大大降低了器件的開(kāi)關(guān)損耗。下圖展示了不同技術(shù)的分立50A IGBT的開(kāi)關(guān)損耗的比較。圖的底部顯示了IGBT和二極管技術(shù)，以及它們進(jìn)入市場(chǎng)的年份。圖中的開(kāi)關(guān)損耗是在一個(gè)開(kāi)關(guān)單元中測(cè)量的，并使用具有相同額定電流的器件作為對(duì)照。芯片關(guān)斷損耗大幅下降，器件開(kāi)通...
TO－247封裝單管IGBT芯片二極管技術(shù) 2022-01-21

如何在ESD發(fā)生源附近配置保護(hù)元件? 靜電可視化助您一臂之力！

將積層貼片壓敏電阻、齊納二極管等ESD保護(hù)元件安裝在ESD發(fā)生源附近可有效地應(yīng)對(duì)ESD。然而，ESD的侵入路徑很難確定，這就導(dǎo)致了所安裝的ESD保護(hù)元件沒(méi)有發(fā)揮其原有實(shí)力的情況時(shí)常發(fā)生。為了發(fā)揮元件的原有實(shí)力，我們必須確定ESD的侵入路徑，并且需要將其安裝在ESD發(fā)生源的附近。因此，我們使用ESD可視化...
ESD可視化系統(tǒng)保護(hù)元件 2022-01-20

有功功率和無(wú)功功率的理解

在交流電路中，由電源供給負(fù)載的電功率有兩種：一種是有功功率，一種是無(wú)功功率。電壓電流同相位，電源向負(fù)載供電，負(fù)載把電能轉(zhuǎn)換成其他能量，叫有功。電壓電流不同相位部分，電源與負(fù)載之間交換電能，這部分(除線路損耗外)電能不轉(zhuǎn)換(電磁以外的)成其他能量，叫無(wú)功。有功功率有功功率是保持用電設(shè)備...
交流電路有功功率無(wú)功功率 2022-01-20

幾張圖告訴你，為什么要一點(diǎn)接地！

本文詳細(xì)介紹了PCB板中模擬電路和數(shù)字電路共地和不共地的區(qū)別。為了大家看的明白...用ORCAD畫(huà)了兩個(gè)電路，一個(gè)是一個(gè)普通的三極管模擬放大電路，另一個(gè)是數(shù)字電路振蕩器。下面是一點(diǎn)接地時(shí)候兩個(gè)電路的電路圖其實(shí)在原理圖中沒(méi)有必要把一點(diǎn)接地畫(huà)成這樣，只是為了大家看的更明白。.大家可以看的出來(lái)...
PCB板模擬電路數(shù)字電路振蕩器 2022-01-18

開(kāi)關(guān)電源，設(shè)計(jì)電路時(shí)該如何選型元器件？

開(kāi)關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開(kāi)關(guān)管開(kāi)通和關(guān)斷的時(shí)間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源。開(kāi)關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制（PWM）控制IC和MOSFET構(gòu)成。隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新，使得開(kāi)關(guān)電源技術(shù)也在不斷地創(chuàng)新。目前，開(kāi)關(guān)電源以小型、輕量和高效率的特點(diǎn)被廣泛應(yīng)用幾乎所有的電子設(shè)備，是當(dāng)...
開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)電路 2022-01-18

SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn－on／Turn－off動(dòng)作

本文將針對(duì)上一篇文章中介紹過(guò)的SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路及其導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動(dòng)作進(jìn)行解說(shuō)。SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路LS（低邊）側(cè)SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時(shí)的VDS和ID的變化方式不同。在探討SiC MOSFET的這種變化對(duì)Gate-Source電壓（VGS）帶來(lái)的影響時(shí),需要在包括...
SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路 2022-01-18

你會(huì)巧妙利用二極管中的“存儲(chǔ)電荷”嗎？

作者：John Dunn二極管的儲(chǔ)存電荷一直被視為「敵人」，但有時(shí)候如果我們想利用它，也是可以「化敵為友」...各類型二極管都會(huì)有一種稱為「儲(chǔ)存電荷」(storage charge)的特性，其效應(yīng)是當(dāng)二極管在正向傳導(dǎo)模式(forward conduction mode)乘載電流時(shí)，會(huì)讓電流發(fā)生并非立即出現(xiàn)的停止流動(dòng)情況，其中各種關(guān)斷...
存儲(chǔ)電荷二極管 2022-01-17

SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)

在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí)，本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個(gè)主題的前提。SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時(shí)最簡(jiǎn)單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導(dǎo)通的，為了...
SiC MOSFET橋式電路 2022-01-17

使用雙柵極配置的 SiC FET 進(jìn)行電路保護(hù)

近年來(lái)，人們對(duì)固態(tài)斷路器和固態(tài)功率控制器的興趣越來(lái)越濃厚。鑒于SiC JFET在高額定電壓下具有低開(kāi)態(tài)電阻而且它在需要時(shí)進(jìn)行限流的能力毫不遜色，它們一直被視為此應(yīng)用的理想器件。我們調(diào)查了常關(guān)型SiC FET在雙柵極結(jié)構(gòu)中的使用情況，以簡(jiǎn)化大電流直流斷路器和交流斷路器的開(kāi)發(fā)。有許多研究對(duì)固態(tài)斷路器...
雙柵極配置SiC FET電路保護(hù) 2022-01-13

深入介紹3種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：降壓、升壓和降壓－升壓

在本篇文章中，我將從不同方面深入介紹降壓、升壓和降壓-升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。 01. 降壓轉(zhuǎn)換器圖1是非同步降壓轉(zhuǎn)換器的原理圖。降壓轉(zhuǎn)換器將其輸入電壓降低為較低的輸出電壓。當(dāng)開(kāi)關(guān)Q1導(dǎo)通時(shí)，能量轉(zhuǎn)移到輸出端。圖1：非同步降壓轉(zhuǎn)換器原理圖公式1計(jì)算占空比：公式2計(jì)算最大金屬氧化物半...
降壓轉(zhuǎn)換器同步整流器 2022-01-10

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