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應(yīng)用開發(fā)

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什么是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）

JFET的操作JFET：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（1）在N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（圖3-3（a））中，當(dāng)在漏極和源極之間施加電壓時(shí)，電子從源極流向漏極。（2）當(dāng)在柵極和源極之間施加反向偏壓時(shí)，耗盡層擴(kuò)大并抑制（1）中的電子流動(dòng)。（使電子流動(dòng)的路徑變窄）（3）如果柵極和源極之間的反向偏壓進(jìn)一步增加，耗盡層就會(huì)...
JFET晶體管 2021-12-03

藍(lán)牙5．3為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備制造商和應(yīng)用開發(fā)人員帶來了哪些新功能？

作為全球最受歡迎的無線物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)之一，藍(lán)牙技術(shù)于2021年7月13日發(fā)布了其最新版本藍(lán)牙5.3（Bluetooth® 5.3）。本文將介紹藍(lán)牙5.3為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備制造商和應(yīng)用開發(fā)人員帶來了哪些新功能。藍(lán)牙5.3是什么?藍(lán)牙 5.3 是藍(lán)牙技術(shù)的最新版本，該技術(shù)是全球部署最廣泛的無線物聯(lián)網(wǎng)連接技術(shù)之一。低功耗藍(lán)牙在...
藍(lán)牙5．3物聯(lián)網(wǎng) 2021-12-01

秒懂晶振以及晶振電路

在單片機(jī)中晶振是普遍存在的，那么晶振為什么這么必要，原因就在于單片機(jī)能否正常工作的必要條件之一就是時(shí)鐘電路，所以單片機(jī)就很需要晶振，打個(gè)比方來說：晶振好比單片機(jī)的心臟，如果沒有心臟起跳，單片機(jī)無法工作，晶振值越大，單片機(jī)運(yùn)行速度越快，有時(shí)并不是速度越快越好，對(duì)于電子電路而言，速度...
晶振晶振電路 2021-12-01

大功率二極管晶閘管知識(shí)連載——保護(hù)

功率二極管晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器，UPS，交流靜態(tài)開關(guān)，SVC和電解氫等場(chǎng)合，但大多數(shù)工程師對(duì)這類雙極性器件的了解不及對(duì)IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動(dòng)態(tài)特性，控制特性，保護(hù)以及損耗與熱特性。內(nèi)容摘來自英飛凌《雙極性半導(dǎo)體技術(shù)信息》。7.保護(hù)晶閘管和二極管必須得到...
功率二極管晶閘管過壓保護(hù) 2021-12-01

EMC抗擾度之慢上升沿信號(hào)

作者：李義君，來源：韜略科技EMC在EMC的設(shè)計(jì)與處理中，工程師們都注重快速變化的信號(hào)，因?yàn)檫@些信號(hào)的上升沿時(shí)間非常短，從頻譜分析的角度來說，信號(hào)中會(huì)有更多的高頻諧波，導(dǎo)致EMC設(shè)計(jì)變得困難。而且，快上升沿信號(hào)使反射、串?dāng)_、電磁輻射、地彈等問題變得更嚴(yán)重，噪聲問題更難于解決。下圖為梯形脈沖...
EMC設(shè)計(jì)高頻諧波 2021-12-01

想找一款幾乎無損的高性能PMIC？這套PPT里有答案～

近年來，5G和IoT市場(chǎng)的快速增長推高了數(shù)據(jù)中心和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的功率密度極限，在這種情況下，布線及印刷電路板中的銅損已達(dá)到不容忽視的水平。為了提高系統(tǒng)效率、降低I2R損耗以合理化功率密度、以及解決母線排和連接器的問題，下一代系統(tǒng)中開始從當(dāng)前的12V總線系統(tǒng)向48V架構(gòu)遷移。從48V到12V的電壓轉(zhuǎn)換（下...
PMICIoT市場(chǎng)DC／DC 2021-12-01

教你幾種電路分析的高效法

對(duì)電路進(jìn)行分析的方法很多，如疊加定理、支路分析法、網(wǎng)孔分析法、結(jié)點(diǎn)分析法、戴維南和諾頓定理等。根據(jù)具體電路及相關(guān)條件靈活運(yùn)用這些方法，對(duì)基本電路的分析有重要的意義。現(xiàn)就具體電路采用不同方法進(jìn)行如下比較。01 支路電流法支路電流法是以支路電流為待求量，利用基爾霍夫兩定律列出電路的方程式...
電路分析 2021-11-30

電源時(shí)序控制的正確方法，你掌握了嗎？

我們常常想當(dāng)然地為印刷電路板上的電路上電，殊不知這可能造成破壞以及有損或無損閂鎖狀況。隨著片上系統(tǒng)(SoC) IC越來越多，對(duì)電源進(jìn)行時(shí)序控制和管理的需求也越來越多……雖然ADI的數(shù)據(jù)手冊(cè)通常會(huì)提供足夠的信息，指導(dǎo)您針對(duì)各IC設(shè)計(jì)正確的上電序列。然而，某些IC明確要求定義恰當(dāng)?shù)纳想娦蛄小Ｔ谑褂枚?..
電源時(shí)序控制片上系統(tǒng)(SoC) IC 2021-11-30

理解尖峰電流與PCB布局時(shí)的去耦電容

尖峰電流的形成：數(shù)字電路輸出高電平時(shí)從電源拉出的電流Ioh和低電平輸出時(shí)灌入的電流Iol的大小一般是不同的，即：Iol＞Ioh。以下圖的TTL與非門為例說明尖峰電流的形成：輸出電壓如右圖（a）所示，理論上電源電流的波形如右圖（b），而實(shí)際的電源電流保險(xiǎn)如右圖（c）。由圖（c）可以看出在輸出由低電...
PCB布局去耦電容尖峰電流 2021-11-30

新半導(dǎo)體技術(shù)將提升功率轉(zhuǎn)換效率

摘要功率轉(zhuǎn)換是幾乎所有電子器件中的常見元素，有多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。新興的應(yīng)用有其獨(dú)特的要求，這就促使工程師們開發(fā)能提供具有最佳性能和效率平衡的交流轉(zhuǎn)直流和直流轉(zhuǎn)直流轉(zhuǎn)換器。然而，這并非總是一個(gè)簡單任務(wù)。選擇正確的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)僅僅是挑戰(zhàn)的開始，還必須仔細(xì)選擇功率組件，而隨著新半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)入市...
功率轉(zhuǎn)換碳化硅新半導(dǎo)體技術(shù) 2021-11-29

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