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應(yīng)用開發(fā)

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在半導(dǎo)體開關(guān)中使用共源共柵拓?fù)湎桌招?yīng)

物理法則無法擊敗。電阻必然消耗電能，并產(chǎn)生熱量和壓降。電容器要消耗時(shí)間存儲電荷，再花時(shí)間釋放電荷。電感器要花時(shí)間制造電磁場并讓其坍塌。我們對此無能為力，因此，自熱離子管誕生之日起，電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)師就學(xué)會了通過開發(fā)巧妙的電路拓?fù)鋪斫鉀Q這些因素。事實(shí)表明，物理就是物理，過去對管適用的規(guī)...
半導(dǎo)體開關(guān)電容器米勒效應(yīng) 2022-02-24

PI創(chuàng)新集成SiC的開關(guān)電源，簡化電動汽車應(yīng)急電源設(shè)計(jì)

“汽車對于我們來說是一個(gè)全新的市場，這款全新的集成1700V SiC的InnoSwitch-AQ確實(shí)為我們打開了大門，它可以支持 800 V母線電池電壓的電動汽車應(yīng)用。我們擁有高壓方面的專業(yè)知識，能夠提供非常小巧、可靠、簡單且低功耗的解決方案，從而確保電池不會自行放電。”PI CEO Balu Balakrishnan在公司2021年...
開關(guān)電源ICSiC電動汽車應(yīng)急電源 2022-02-21

構(gòu)建快速、靈活的電動汽車充電網(wǎng)絡(luò)

作者: HENRIK MANNESSON在我們未來的電動汽車行業(yè)中，半導(dǎo)體技術(shù)將為電網(wǎng)運(yùn)營商提供更大的靈活性，從而更好地管理能源基礎(chǔ)設(shè)施作者：HENRIK MANNESSON 隨著世界各國政府致力于實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展目標(biāo)，汽車行業(yè)計(jì)劃到 2025 年投資逾 3300 億美元來推進(jìn)汽車電氣化，向電動汽車發(fā)展的趨勢已定。但是...
電動汽車充電網(wǎng)絡(luò) 2022-02-21

借助新技術(shù)推進(jìn)微電網(wǎng)建設(shè)

作者: Paul Lee，貿(mào)澤電子專稿圖源：Viktoria Kurpas/shutterstock.com 微電網(wǎng)已經(jīng)以某種形式存在了很長時(shí)間。在20世紀(jì)初，當(dāng)公用事業(yè)供應(yīng)中斷時(shí)，為了保持灌溉水泵和室內(nèi)照明燈的正常運(yùn)行而啟用了柴油發(fā)電機(jī)。盡管那個(gè)時(shí)候可能還沒有微電網(wǎng)的概念，但已經(jīng)初步具備了微電網(wǎng)架構(gòu)，即一組本地互聯(lián)的負(fù)...
MOSFETIGBT半導(dǎo)體寬帶隙 2022-02-16

SiC FET是圖騰象征嗎？

圖騰柱功率因數(shù)校正電路一直停留在想法階段，人們不斷尋找它的有效實(shí)施技術(shù)。現(xiàn)在，人們發(fā)現(xiàn)，SiC FET是能讓該拓?fù)浒l(fā)揮最大優(yōu)勢的理想開關(guān)。博客互聯(lián)網(wǎng)不知道誰首先發(fā)明了“無橋圖騰柱功率因數(shù)校正級”這個(gè)術(shù)語，但是它肯定是在一瞬間的奇思妙想和靈感下發(fā)明和命名的。在交流/直流電源中，該電路會...
SiC FET 2022-02-16

一文解讀“集成電路三大發(fā)展方向”

作者： Suny Li（李揚(yáng)）雖然，所有以指數(shù)規(guī)律增長的曲線在物理意義上均是不可持續(xù)的，摩爾定律正是如此。然而，人們卻一直想方設(shè)法地去延續(xù)摩爾定律，為什么明知不可為而為之？這其實(shí)代表了人類的一種理想主義，這種理想或信念往往讓人類超越自身，創(chuàng)造出意想不到的科技和文明。或許正...
集成電路技術(shù)芯片晶體管 2022-02-10

射頻硅基氮化鎵：兩個(gè)世界的最佳選擇

當(dāng)世界繼續(xù)努力追求更高速的連接，并要求低延遲和高可靠性時(shí)，信息通信技術(shù)的能耗繼續(xù)飆升。這些市場需求不僅將5G帶到許多關(guān)鍵應(yīng)用上，還對能源效率和性能提出了限制。5G網(wǎng)絡(luò)性能目標(biāo)對基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件提出了一系列新的要求，增加了對高度可靠的射頻前端解決方案的需求，提高了能源效率、更大的帶寬、更...
5G網(wǎng)絡(luò)射頻功率放大器硅基氮化鎵 2022-02-08

深度好文：為什么RFSOI技術(shù)更適合波束成形IC？

本文編譯自everythingrf相控陣天線已證明其對毫米波 5G 無線電的重要價(jià)值。波束聚焦的改進(jìn)，波束范圍的增強(qiáng)提高了數(shù)據(jù)吞吐量與定向波束控制提供的空間復(fù)用性。使用具有獨(dú)特幅度和相位設(shè)置的每個(gè)天線的信號來驅(qū)動這些天線陣列，往往需要非常復(fù)雜的電路，分發(fā)模擬波束成形 IC，將它們放置在天線元件陣列內(nèi)...
RFSOI技術(shù)波束成形IC 2022-01-24

功率電子、5G、新能源汽車：三大目標(biāo)市場中，第三代半導(dǎo)體器件的機(jī)會在哪里？

圖源：stock.adobe.com/Grispb 第三代半導(dǎo)體指以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）和金剛石為代表的化合物半導(dǎo)體，該類半導(dǎo)體材料禁帶寬度大于或等于2.2eV，因此也被稱為寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體材料。與第一代的Si、Ge和第二代的GaAs、InP相比，GaN和SiC具有禁帶寬度大、擊穿電場強(qiáng)度高、電子...
5G功率電子半導(dǎo)體器件新能源汽車 2022-01-24

使用雙柵極配置的 SiC FET 進(jìn)行電路保護(hù)

近年來，人們對固態(tài)斷路器和固態(tài)功率控制器的興趣越來越濃厚。鑒于SiC JFET在高額定電壓下具有低開態(tài)電阻而且它在需要時(shí)進(jìn)行限流的能力毫不遜色，它們一直被視為此應(yīng)用的理想器件。我們調(diào)查了常關(guān)型SiC FET在雙柵極結(jié)構(gòu)中的使用情況，以簡化大電流直流斷路器和交流斷路器的開發(fā)。有許多研究對固態(tài)斷路器...
雙柵極配置SiC FET電路保護(hù) 2022-01-13

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