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應(yīng)用開發(fā)

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新半導(dǎo)體技術(shù)將提升功率轉(zhuǎn)換效率

摘要功率轉(zhuǎn)換是幾乎所有電子器件中的常見元素，有多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。新興的應(yīng)用有其獨(dú)特的要求，這就促使工程師們開發(fā)能提供具有最佳性能和效率平衡的交流轉(zhuǎn)直流和直流轉(zhuǎn)直流轉(zhuǎn)換器。然而，這并非總是一個簡單任務(wù)。選擇正確的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)僅僅是挑戰(zhàn)的開始，還必須仔細(xì)選擇功率組件，而隨著新半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)入市...
功率轉(zhuǎn)換碳化硅新半導(dǎo)體技術(shù) 2021-11-29

從P2S到數(shù)字化，英飛凌物聯(lián)網(wǎng)策略詳解

隨著新能源車和雙碳概念的走熱，使IGBT和第三代半導(dǎo)體成為了市場聚焦的風(fēng)口。作為功率及汽車市場的絕對領(lǐng)軍者，英飛凌始終站在浪尖之上。但實際上作為歐洲最大的半導(dǎo)體供應(yīng)商之一，英飛凌不只是關(guān)注電氣化的未來，同時也關(guān)注數(shù)字化的未來。“讓生活更加安全、便利和環(huán)保”是英飛凌的使命，而作為半導(dǎo)體...
英飛凌物聯(lián)網(wǎng)IOTP2S 2021-11-18

電動汽車：從方程式到量產(chǎn)，寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)揮著重要作用

自從十多年前在計劃書上誕生以來，F(xiàn)ormula E 已經(jīng)迅速發(fā)展成為一項具有使命感的賽車運(yùn)動。撇開娛樂不談，這一項電動方程式賽車的創(chuàng)始使命是向世界展示可持續(xù)發(fā)展的能力，如今來看它已經(jīng)做得非常完善。自2014 年在上海舉辦首場比賽以來，它是唯一獲得 ISO 20121 凈零碳足跡認(rèn)證的賽車運(yùn)動。電動方程式賽...
寬禁帶半導(dǎo)體電動汽車 2021-11-02

第四代半導(dǎo)體材料呼之欲出 —— 氧化鎵或?qū)⒄旧螩位

一般來說，半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料，是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。迄今為止，半導(dǎo)體材料主要分為：基于Ⅳ族硅Si、鍺Ge元素的第一代半導(dǎo)體；基于Ⅲ-Ⅴ族砷化鎵、磷化銦的第二代半導(dǎo)體以及基于Ⅲ-Ⅴ族氮化鎵、Ⅳ族碳化硅的第三代半導(dǎo)體等。過去一年里，我們看到隨著市場對半導(dǎo)體性能的要...
半導(dǎo)體材料氧化鎵SiC材料器件 2021-10-28

利用氮化鎵芯片組實現(xiàn)高效率、超緊湊的反激式電源

作者：Chris Lee，Power Integrations產(chǎn)品營銷總監(jiān)目前市面上出現(xiàn)了一個新的芯片組，它由具有耐用的750V氮化鎵(GaN)初級側(cè)開關(guān)的反激式IC方案與創(chuàng)新的高頻有源鉗位方案組合而成，能夠為手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦設(shè)計出額定功率高達(dá)110W的新型超緊湊充電器。此芯片組來自Power Integrations，包含內(nèi)部...
氮化鎵芯片反激式電源 2021-10-27

低功率范圍內(nèi)的MOSFET表征

半導(dǎo)體行業(yè)一直在尋找新型特殊材料、介電解決方案和新型器件形狀，以進(jìn)一步、再進(jìn)一步縮小器件尺寸。例如，2D材料的橫向和縱向異質(zhì)結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了新的顛覆性小型低功率電子器件的產(chǎn)生。在為半導(dǎo)體器件電氣特點編制準(zhǔn)確的BG時，比如特殊的NANO-FETs，業(yè)內(nèi)的科研人員、科學(xué)家和工程師都面臨著一個共同的問題。...
MOSFET表征觸摸屏顯示器控制 2021-10-26

IC集成推動實現(xiàn)平板相控陣天線設(shè)計

作者: ADI公司Jeff Lane，產(chǎn)品營銷工程師摘要半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步推動了相控陣天線在整個行業(yè)的普及。早在幾年前，軍事應(yīng)用中已經(jīng)開始出現(xiàn)從機(jī)械轉(zhuǎn)向天線到有源電子掃描天線(AESA)的轉(zhuǎn)變，但直到最近，才在衛(wèi)星通信和5G通信中取得快速發(fā)展。小型AESA具有多項優(yōu)勢，包括能夠快速轉(zhuǎn)向、生成多種輻射模式、具...
IC集成相控陣技術(shù)天線設(shè)計相控陣天線 2021-10-22

【技術(shù)大咖測試筆記系列】之八：低功率范圍內(nèi)的MOSFET表征

作者: 泰克科技技術(shù)大咖Andrea Vinci半導(dǎo)體行業(yè)一直在尋找新型特殊材料、介電解決方案和新型器件形狀，以進(jìn)一步、再進(jìn)一步縮小器件尺寸。例如，2D材料的橫向和縱向異質(zhì)結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了新的顛覆性小型低功率電子器件的產(chǎn)生。在為半導(dǎo)體器件電氣特點編制準(zhǔn)確的報告時，比如特殊的NANO-FETs，業(yè)內(nèi)的科研人員、科...
低功率 MOSFET觸摸屏顯示器控制 2021-10-21

特種技術(shù)——芯片改變我們的生活

作者：David Haynes博士，泛林集團(tuán)客戶支持事業(yè)部戰(zhàn)略營銷執(zhí)行總監(jiān)材料創(chuàng)新驅(qū)動了人類文明的重大進(jìn)步，作為一名材料工程師，我對這一點感到非常自豪。石器時代、青銅時代和鐵器時代都是人類發(fā)展至今的重要階段。創(chuàng)新并非沒有缺點，但的確推動了農(nóng)業(yè)、醫(yī)藥、交通和通訊等領(lǐng)域的進(jìn)步。因此，如果說“...
存儲器微處理器硅芯片技術(shù)電源管理系統(tǒng) 2021-10-18

碳化硅時代來臨，各大供應(yīng)商怎么看

各種汽車芯片越來越多地采用碳化硅 (SiC) 技術(shù)，大多數(shù)芯片制造商現(xiàn)在認(rèn)為這是一個相對安全的賭注，爭先恐后地將這種寬帶隙技術(shù)推向主流。碳化硅在許多汽車應(yīng)用中有著廣闊的前景，尤其是電動汽車。與硅相比，它可以延長每次充電的行駛里程，減少電池充電時間，可以通過更低的電池容量和更輕的重量提供相...
SiC碳化硅 2021-10-09

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