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↓在 技術文章 中搜索到 52 條關于“CoolMOS”的信息，用時:0.002 sec.

IGBT和MOSFET該用誰？你選對了嗎？

半導體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關器件，具有開關速度快、易于驅動、損耗低等優勢。IGBT全稱是絕緣柵極型功率管，是由雙極型三極管（BJT）和MOSFET組成的復合全控型電壓驅動式半導體功率器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的...
IGBTMOSFET半導體功率器件 2021-12-16

在圖騰柱 PFC 電路中使用 SiC MOSFET 的優勢

作者：英飛凌科技高級應用工程師David Meneses Herrera，高級產品定義工程師Nico Fontana自2001年以來， EN61000-3-2 作為歐盟“電磁兼容（EMC）指令”的一部分已經正式生效，在歐洲銷售的 AC-DC 電源要求包含有功率因數校正 (PFC)，或更準確地控制“交流線路諧波電流產生”。大多數功率超過75W額定值...
SiC MOSFET圖騰柱PFC 電路AC－DC 2021-09-23

功率轉換器中CoolSiC MOSFET技術解析

功率轉換器中越來越多地使用碳化硅（SiC）晶體管，這對尺寸，重量和/或效率提出了很高的要求。與雙極IGBT器件相反，SiC出色的材料性能使它可以設計快速開關的單極器件。因此，現在僅在低壓環境（<600 V）下才可能使用的解決方案現在也可以在更高的電壓下使用。結果是最高的效率，更高的開關頻率，更...
碳化硅（SiC）晶體管功率轉換器CoolSiC MOSFET技術 2021-09-18

在雙向逆變器應用中采用 CoolSiC TM MOSFET 的優勢

隨著業界不斷轉向可再生能源，人們越來越關注發電和儲能技術，目的是更充分利用風能和太陽能等間歇性的能源供應。電池是常見的儲能解決方案，在電動汽車市場技術進步的不斷驅動下，儲能成本正在下降。這為從家庭到公用事業的所有不同規模儲能應用開辟了道路。隨著能源供應模式轉向可再生，傳統的礦物燃...
雙向逆變器CoolSiC TM MOSFET碳化硅 2021-09-17

電機驅動中氮化鎵技術的應用前景

作者：英飛凌科技AC-DC應用資深首席工程師Eric Persson隨著工業、辦公設備和家庭自動化等領域的不斷發展，電機及其驅動器越來越多地用于從工業機械臂控制到消費級市場的家用洗衣機等各種應用場景。人類應用電機已經有一個多世紀，但是面對未來應用場景中對運動控制更高的靈活性要求，我們需要更加“智能...
電機驅動控制氮化鎵技術電壓源逆變器 2021-04-28

碳化硅如何能夠提升開關電源設計

談起電源轉換器的設計，諸如碳化硅（SiC）等寬禁帶（WBG）技術是當今進行器件選擇時的現實考慮。650V SiC MOSFET的推出使它們對于某些以前從沒有考慮過的應用更具吸引力，這些器件在高效硬開關拓撲結構中表現出非常好的耐用性，因而是實現千瓦級電源解決方案功率因數校正（PFC）應用的理想選擇。而且，...
開關電源設計碳化硅 2021-04-12

在開關電源轉換器中，如何利用SiC器件的性能優勢？

在過去的幾十年中，半導體行業已經采取了許多措施來改善基于硅MOSFET （parasitic parameters），以滿足開關轉換器(開關電源)設計人員的需求。行業效率標準以及市場對效率技術需求的雙重作用，導致了對于可用于構建更高效和更緊湊電源解決方案的半導體產品擁有巨大的需求。這個需求寬帶隙（WBG）技術器...
開關電源轉換器智能電源 2020-12-23

利用雙向電源轉換器和 PFC 來提高 HEV、BEV 和電網的能效

在設計混合動力電動汽車 (HEV) 和電池電動汽車 (BEV) 的動力系統時，設計人員持續面臨著在提高能效和可靠性的同時降低成本的壓力。雖然改用雙 12 伏和 48 伏電源軌，通過減輕底盤布線的重量幫助提高了能效，但設計人員還需要專用的解決方案來改善兩個電源的管理，使其能夠更好地相互支持，同時也使車輛...
HEV電源轉換器電網 2020-11-09

英飛凌傳感器讓樓宇更智慧、更環保、更節能

作者：英飛凌科技股份公司新興應用經理Manuel Hollfelder和Julia Fichte 未來，越來越多的人將生活在城市。據聯合國預測，到2022年，全球56%的人口將是城市居民；到2050年，這一數字將上升至68%。這意味著我們必須更高效地利用現有資源，同時必須減少總體能源消耗和二氧化碳排放。樓宇可以在解決這一...
傳感器樓宇自動化智能樓宇技術 2020-09-22

SiC MOSFET應用技術在雪崩條件下的魯棒性評估

作者：Salvatore La Mantia1,Mario Pulvirenti2, Angelo G. Sciacca2，Massimo Nania2，意法半導體摘要本文將探討如何在雪崩工作條件下評估SiC MOSFET的魯棒性。MOSFET功率變換器，特別是電動汽車驅動電機功率變換器，需要能夠耐受一定的工作條件。如果器件在續流導通期間出現失效或柵...
SiC MOSFET應用技術雪崩條件魯棒性 2020-08-04

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