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↓在 技術文章 中搜索到 574 條關于“GAN”的信息，用時:0.002 sec.

設計基于 GaN 的電源系統的更簡單方法：比較市場上的集成驅動器產品

作者：Vito Prezioso 電源專家現場應用工程師，富昌電子（北歐）氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 為電源系統設計人員提供了一個令人興奮的新選擇。與硅 MOSFET 相比，GaN HEMT 使他們能夠顯著降低開關損耗并提高電源效率，并支持更高的開關頻率，從而減小系統尺寸和重量。...
GaN電源系統集成驅動器 2023-03-28

如何集成 GaN 功率級以實現高效的電池供電 BLDC 電機推進系統

作者：Jens Wallmann電池供電的應用，如協作機器人 (cobot)、電動自行車、工業無人機和電動工具等，都需要體積小、重量輕、功能強大的電機。無刷直流 (BLDC) 電機是一個不錯的選擇，但電機驅動電子元件相當復雜，有許多設計考慮因素。設計人員必須精密調節轉矩、速度和位置，同時還要確保高精度，...
GaN電池供電BLDC電機推進系統 2023-03-16

用于 GaN HEMT 的超快分立式短路保護

當今的行業需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計算機、電動汽車、數據中心和高功率電機驅動等高功率應用中實施。實現這一壯舉的方法是提高電子設備的功率密度。硅基MOSFET具有較低的開關速度和熱效率；因此，如果不增加尺寸并因此影響功率密度，它們就不能用于高功率應用。這就是基于...
GaN HEMT短路保護 2023-03-07

幾個氮化鎵GaN驅動器PCB設計必須掌握的要點

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。之前我們簡單介紹過氮化鎵GaN驅動器的PCB設計策略概要，本文將為大家重點說明利用 NCP51820 設計高性能 GaN 半橋柵極驅動電路必須考慮的 PCB 設計注意事項。本設計文檔其余部分...
氮化鎵GaNPCB設計柵極驅動器 2023-02-23

光隔離探頭應用場景之—— 助力氮化鎵（GaN）原廠FAE解決客戶問題

作為功率半導體廠商，為下游客戶提供典型應用方案似乎成行業內約定俗成的事。也就是說，作為半導體原廠不僅要設計好芯片，還要親自設計和驗證很多應用方案供下游客戶參考或者直接采用，以便讓自己的芯片能快速通過下游客戶的應用而占領市場。但是下游客戶面臨的應用場景復雜多樣，盡管芯片原廠提供了應...
光隔離探頭氮化鎵（GaN） 2023-02-02

一文深入了解 GaN 技術

GaN 是一項久經考驗的化合物半導體技術。自 20 世紀 80 年代以來，化合物半導體一直都是高性能應用中的主導微波集成電路 (IC) 技術。這是因為與簡單的硅基半導體器件相比，它們可實現卓越的速度和功率組合?；衔锇雽w由元素周期表中的兩個或兩個以上不同元素族組成，而簡單的半導體器件則由硅 (Si) ...
GaN 技術晶體管 GaN 2022-12-22

使用機器學習設計復雜形狀的GaN基亞波長光柵反射器

摘要基于機器學習的方法可用于實現和優化GaN基亞波長光柵(SWG)設計。在現代電力電子產品中，GaN等材料在眾多工業應用中發揮著至關重要的作用。在光子應用方面，亞波長光柵具有許多有用的特性，例如可調諧反射率和偏振選擇性，這使得它們非常的通用。由于它提供的眾多好處，這種SWG技術被用于各種元器件...
機器學習設計GaN 2022-12-12

殺入新能源汽車市場的GaN，勝算幾何？

作者：Doctor M在電力電子應用中，為了滿足更高能效和更高開關頻率的要求，功率密度正在成為關鍵的指標之一?；诠瑁⊿i）的技術日趨接近發展極限，高頻性能和能量密度不斷下降，功率半導體材料也在從第一代的硅基材料發展到第二代的砷化鎵后，正式開啟了第三代寬禁帶技術如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN...
新能源汽車GaN 2022-09-21

使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業的熱門話題，因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設計得以實現。在許多應用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統的硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實現的性能，使用 GaN...
氮化鎵(GaN)柵極驅動器 2022-09-15

殺入新能源汽車市場的GaN，勝算幾何？

作者：Doctor M在電力電子應用中，為了滿足更高能效和更高開關頻率的要求，功率密度正在成為關鍵的指標之一?；诠瑁⊿i）的技術日趨接近發展極限，高頻性能和能量密度不斷下降，功率半導體材料也在從第一代的硅基材料發展到第二代的砷化鎵后，正式開啟了第三代寬禁帶技術如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN...
新能源汽車GaN 2022-09-14

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