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UnitedSiC SiC FET用戶指南

作者： Mike Zhu 簡介本SiC FET用戶指南介紹了使用含快速開關SiC器件的RC緩沖電路的實用解決方案和指南。該解決方案經過實驗性雙脈沖測試（DPT）結果驗證。緩沖電路損耗得到精確測量，可協助用戶計算緩沖電路電阻的額定功率。本指南還在UnitedSiC_AN0018《開關含緩沖電路的快速SiC FET應用說明》中分析...
SiC器件SiC FETRC緩沖電路 2022-05-09

邏輯電平位移基礎知識－－在通信和 GPIO 中混合高、低邏輯電平電壓

作者：Don Johanneck最新的數字設備設計得越來越小、越來越快，效率也更高。主流 5V 邏輯電平被越來越低的 3.3V、2.5V、1.8V 甚至更低的電壓標準所取代，因此需要一種方法讓不匹配的系統能夠可靠、有效地進行通信。設計者需要確保邏輯 1 或邏輯 0 可以在這些平臺上以一種可預測的方式實現。二進制或...
邏輯電平位移邏輯電平轉換 2022-05-05

基于MPC860芯片和MlPC860P芯片實現硬件容錯專用計算機的設計

作者：熊建;熊光澤測控設備在信號檢測、工業控制、醫療儀器、航空航天等領域應用十分廣泛。目前測控系統大多是以工業控制計算機作為控制中心。但是這種方法主要有以下缺點：一是工業控制計算機控制通信功能相對比較弱，要增強控制通信功能就必須外加很多電路，從而使系統設計復雜，系統可靠性難以提高；...
MPC860芯片MlPC860P芯片工業控制計算機 2022-04-12

基于STM32F103VCT6處理器和XBee協調實現家庭服務機器人系統的設計

作者：胡振旺；陳益民；李林引言隨著人工智能和傳感器技術的發展，機器人已從工廠的結構化環境進入人們的日常生活環境，機器人不僅能自主完成工作，還能與人共同協作完成任務或在人的指導下完成任務［1］。家庭服務機器人是智能家居系統［2］的一個重要組成部分，在生活中的作用越來越重要。當前，大部...
STM32F103VCT6處理器家庭服務機器人系統傳感器技術 2022-04-07

豪威集團打造高效28V 2A同步降壓轉換器WD1502F

科技改變生活。人工智能與物聯網技術日新月異，在它們的賦能下，智能家居、智慧辦公的應用場景越發豐富，產品也越來越深入人心。掃地機器人就是這樣的產品，能把人們從繁雜的家務中解放出來，在一眾新興家用智能設備中脫穎而出，日益受到大眾的青睞。豪威集團的圖像傳感器在掃地機、掃拖一體機等清掃機...
同步降壓轉換器WD1502F智能家居 2022-03-15

低邊開關關斷時的柵極－源極間電壓的動作

上一篇文章中介紹了LS開關導通時柵極 – 源極間電壓的動作。本文將繼續介紹LS關斷時的動作情況。低邊開關關斷時的柵極 – 源極間電壓的動作下面是表示LS MOSFET關斷時的電流動作的等效電路和波形示意圖。與導通時的做法一樣，為各事件進行了(IV)、(V)、(VI)編號。與導通時相比，只是VDS和ID變化的順序發...
SiC MOSFET低邊開關關斷時的柵極 2022-02-14

SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作

從本文開始，我們將進入SiC功率元器件基礎知識應用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作”。前言MOSFET和IGBT等電源開關元器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。另外，所使用的電路方式也多種多樣，除單獨使用外，還有串聯連接、并聯連接等多種使用方法。其中，在將開關元件...
SiC MOSFET電源開關元器件 2022-02-14

基于CAN總線通訊技術實現汽車四輪獨立驅動控制系統的設計

作者：吳志紅;新贏;朱元;雷達伴隨著電動汽車的發展，CAN總線通訊技術應用越來越廣泛，它可為純電動汽車上四輪獨立驅動控制，以及剎車防抱死系統（ABS）、電子穩定裝置（ESP）等主動安全系統的實現提供便利。在設計CAN總線通信系統時，總要面臨著CAN數據的診斷與分析問題，不能解決該問題，便不能完成設...
CAN總線通訊技術汽車四輪獨立驅動控制... 2022-02-09

橋式電路的開關產生的電流和電壓

在上一篇文章中，對SiC MOSFET橋式結構的柵極驅動電路的導通(Turn-on)/關斷( Turn-off)動作進行了解說。本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開關動作中，SiC MOSFET的VDS和ID的變化會產生什么樣的電流和電壓。下面的電路圖是SiC MOSFET橋式結構的同步式boost電路，LS開關導通時的示例。電路圖中包括SiC MOS...
SiC MOSFET橋式結構柵極驅動電路LS開關導通 2022-01-21

低邊開關導通時的Gate－Source間電壓的動作

上一篇文章中，簡單介紹了SiC MOSFET橋式結構中柵極驅動電路的開關工作帶來的VDS和ID的變化所產生的電流和電壓情況。本文將詳細介紹SiC MOSFET在LS導通時的動作情況。SiC MOSFET低邊開關導通時的Gate-Source間電壓的動作當SiC MOSFET的LS導通時，首先ID會變化（下述波形示意圖T1）。此時LS的ID沿增加方...
SiC MOSFET橋式結構柵極驅動電路低邊開關導通 2022-01-20

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