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應(yīng)用開發(fā)

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殺入新能源汽車市場的GaN，勝算幾何？

圖源：greenbutterfly/stock.adobe.com 在電力電子應(yīng)用中，為了滿足更高能效和更高開關(guān)頻率的要求，功率密度正在成為關(guān)鍵的指標(biāo)之一?；诠瑁⊿i）的技術(shù)日趨接近發(fā)展極限，高頻性能和能量密度不斷下降，功率半導(dǎo)體材料也在從第一代的硅基材料發(fā)展到第二代的砷化鎵后，正式開啟了第三代寬禁帶技術(shù)如碳...
電動汽車GaN車載充電器（OBC） 2022-08-12

GaN是否可靠？

作者：Sandeep Bahl, TI技術(shù)專家氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)正迅速獲得采用，因為它能夠提高效率并縮小電源供應(yīng)器尺寸。不過，在投資這個技術(shù)之前，您可能仍會問自己GaN是否可靠。但令我震驚的是，沒有人問硅(Si)是否可靠。其實仍然有新的硅產(chǎn)品持續(xù)上市，電源設(shè)計人員也同樣關(guān)注硅功率組件的可靠性。...
GaN氮化鎵場效應(yīng)晶體管 2022-07-28

GaN 如何幫助有線電視提供商找到平衡

有線電視提供商在升級網(wǎng)絡(luò)時要把握好分寸。他們需要在不降低性能和可靠性的情況下，滿足客戶對容量的需求。很多提供商借助 GaN 技術(shù)來保持平衡，原因如下。對速度、容量、性能和可靠性的需求隨著視頻、音樂、游戲和在線媒體內(nèi)容消費的普及，人們需要更快電纜速度和更高容量的數(shù)據(jù)傳輸。這讓北美有線電視...
GaN 技術(shù)有源功率器件 2022-07-25

深入解析 GaN 技術(shù)的過去和現(xiàn)在

氮化鎵 (GaN) 晶體管于 20 世紀(jì) 90 年代亮相，目前廣泛應(yīng)用于商業(yè)和國防領(lǐng)域，但工程應(yīng)用可能大相徑庭。不相信？可以理解。但在您閱讀本文之后，可能會成為忠實支持者。GaN 的普及根植于其高電源和高電壓功能。這些特性使其適用于許多應(yīng)用，包括微波射頻 (RF) 和功率開關(guān)應(yīng)用。GaN 獨特的材料屬性使其成...
GaN 技術(shù)射頻 (RF) 2022-07-22

GaN是否具有可靠性？或者說我們能否如此提問？

鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術(shù)之前，您可能仍然會好奇GaN是否具有可靠性。令我驚訝的是，沒有人詢問硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產(chǎn)品不斷問世，電源設(shè)計人員對硅功率器件的可靠性也很關(guān)心。事實上，GaN行業(yè)已經(jīng)在可...
GaN晶體管 2022-07-15

破解SiC、GaN柵極動態(tài)測試難題的魔法棒 — 光隔離探頭

SiC、GaN 作為最新一代功率半導(dǎo)體器件具有遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng) Si 器件的特性，能夠使得功率變換器獲得更高的效率、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。但同時，SiC、GaN極快的開關(guān)速度也給工程師帶來了使用和測量的挑戰(zhàn)，稍有不慎就無法獲得正確的波形，從而嚴(yán)重影響到器件評估的準(zhǔn)確、電路設(shè)計的性能和安全、項目...
SiCGaN光隔離探頭泰克 2022-07-01

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的區(qū)別在哪里？這篇指南送給你

幾十年來，硅一直主導(dǎo)著晶體管世界。但這種情況已在逐漸改變。由兩種或三種材料組成的化合物半導(dǎo)體已被開發(fā)出來，提供獨特的優(yōu)勢和卓越的特性。例如，有了化合物半導(dǎo)體，我們開發(fā)出了發(fā)光二極管(LED)。一種類型是由砷化鎵(GaAs)和磷砷化鎵(GaAsP)組成。其他的則使用銦和磷。問題是，化合物半導(dǎo)體更難制...
GaNSiC發(fā)光二極管 2022-05-23

基于GaN的功率晶體管和集成電路硅分立功率器件

作者：Alex Lidow過去的四十年中，隨著功率MOSFET結(jié)構(gòu)，技術(shù)和電路拓?fù)涞膭?chuàng)新與不斷增長的電力需求保持同步，電源管理效率和成本穩(wěn)步提高。然而，在新的千年中，隨著硅功率MOSFET接近其理論極限，改進(jìn)速度已大大降低。同時，一種新材料氮化鎵（GaN）朝著理論性能極限的方向穩(wěn)步發(fā)展，該性能極限是老化的...
GaN功率晶體管 2022-05-09

經(jīng)濟(jì)型高效率的選擇：功率低于100W的AC－DC轉(zhuǎn)換器中GaN晶體管的出現(xiàn)

作者：David Woodcock，卓越電源系統(tǒng)中心經(jīng)理近幾個月來，一系列新的低成本、緊湊型USB Type-C®充電器已投放市場，它們利用了USB Type-C協(xié)議支持的USB Power Delivery規(guī)范的更高功率能力（高達(dá)100W）。這些新產(chǎn)品的充電速度比早期的USB充電器更快，但都具有較小的外殼 – 對于移動計算設(shè)備的...
AC－DC轉(zhuǎn)換器GaN 晶體管 2022-05-07

使用 GaN 進(jìn)行系統(tǒng)和器件設(shè)計

在本章，我們將介紹設(shè)計氮化鎵 (GaN) 功率放大器 (PA) 以及其他 GaN 應(yīng)用的一些技術(shù)，并描述 GaN 在許多射頻 (RF) 前端中的應(yīng)用。我們還將探討技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者如何在分立式、單芯片微波集成電路 (MMIC) 以及高度集成模塊中使用 GaN 技術(shù)，以滿足許多應(yīng)用領(lǐng)域需求。我們還將說明 GaN 熱建模在應(yīng)用中的一些重要...
GaN 技術(shù)射頻前端GaN PA 2022-05-07

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