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↓在 技術文章 中搜索到 1045 條關于“5G”的信息，用時:0.003 sec.

功率半導體的創新驅動下一代能源網絡建設，構建可持續發展的未來

作者：安森美先進電源分部高級副總裁兼總經理 Asif Jakwani全球變暖是人類面臨的最大挑戰。全球科學家已達成共識，必須將溫室氣體排放足跡減少到 2000 年的水平，將全球氣溫上升限制在 1.5oC 以下，才能擁有一個可持續發展的未來。要實現面向未來的可持續能源網絡，綠色轉型勢在必行，下一代能源基礎設...
功率半導體能源網絡建設能源儲存 2022-04-22

確保關鍵基礎設施精確授時與同步的彈性、冗余和安全性

作者：頻率與時間系統業務部新興產品主管 Eric Colard電信、公用事業、運輸和國防等關鍵基礎設施服務具有國家戰略級重要性。美國網絡安全和基礎設施安全局（CISA）列出了 16 個被認為對安全至關重要的此類部門。第 21 號總統政策指令（PPD-21）：《關鍵基礎設施安全和彈性》提出...
精確授時冗余 2022-04-21

氮化鎵性能卓越，但它并非惟一選擇

作者：Mike Ziehl與之前的砷化鎵（GaAs）和橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）一樣，氮化鎵（GaN）是一項革命性技術，在實現未來的射頻、微波和毫米波系統方面能夠發揮巨大作用。不過，它并不是一劑“靈丹妙藥”，其他技術仍然可以發揮重要作用。當氮化鎵（GaN）射頻功率晶體管于 2000 年代中期在伊拉克...
氮化鎵毫米波系統 2022-04-20

如何贏得一半以上的碳化硅MOSFET市場份額，并將其持續擴大？

✦ 本文轉載自：21ic✦ 作者：劉巖軒ST獲得了全球50%以上的SiC MOSFET市場份額；并且在寬禁帶半導體領域進行了襯底技術收購、產能投資，擁有了全生產鏈條的掌控力。本文分享了ST在SiC領域獲得成功的原因，如何排名市場前列的未來戰略規劃，以及對于整個寬禁帶器件行業的前景解讀...
碳化硅MOSFET寬禁帶器件SiCGaN 2022-04-20

增強現實，虛擬現實，正邁向“超現實”

不管有沒有元宇宙，增強現實（AR）和虛擬現實（VR）都將推動客戶端設備的融合趨勢。人們都在熱議，我們應該在多大程度上，參與到類似元宇宙的虛擬世界中。因此，一位資深行業分析師提出的“超現實”一詞，非常貼切我們正在進入的時代。毋庸置疑，越來越普遍的沉浸式數字化體驗將成為許多人日常生活中的...
增強現實（AR）虛擬現實（VR） 2022-04-19

建立有效的網絡覆蓋以便大規模部署物聯網應用

作者：Ken Lynch，營銷副總裁，Senet通過使用低成本傳感器進行測量，企業、城市和國家正在開始改變創造價值的方式。實現大規模傳感器部署的方法初具雛形。當前，基于傳感器的物聯網 (IoT) 應用在商用和消費者市場上呈現迅猛發展的態勢，它們被用于簡化運營、提高生產力、支持新服務的創建。...
網絡覆蓋物聯網 2022-04-19

從工業和汽車行業，看智能邊緣轉型加速進行時！

隨著數十億臺設備產生的數據和洞察力不斷激增，智能邊緣也隨之崛起。業界已認識到數據處理的重要性，以獲得更好的洞察結果——并非所有應用場景都能承受數據返回云端數據中心進行處理所帶來的延遲和成本，因此智能邊緣也逐漸被視為一種可行的戰略投資。企業逐漸認識到實時數據分析對于預測性維護和工廠...
工業4．0人工智能智能邊緣轉型 2022-04-18

怎樣快速生成“無源電感Pcell”？

前言隨著5G通信、物聯網技術的快速發展，WIFI、藍牙、導航芯片的需求與日俱增。在這些芯片中，無線收發模塊是核心部件。為了滿足低功耗，高帶寬，高信噪比等指標要求，大量的無源器件被廣泛地采用。然而，如何處理好無源電感性能和面積的折中一直是設計者面臨的挑戰：傳統的無源電感開發存在迭代周期長...
電感設計無源電感Pcell 2022-04-14

邊緣AI的“靈魂”，能否跟上Ta飛快腳步？

作者：Doctor M邊緣計算的快速發展使得計算能力加速向邊緣遷移，AI也逐步從中心節點向更貼近數據源和業務現場的邊緣側拓展，邊緣與云的關系已經呈現出既有分工又彼此合作的局面。在邊緣側，當邊緣智能與邊緣計算和人工智能相結合，能有效地執行實時、小數據的處理，開展AI模型的推理，并將結果回傳至云...
邊緣計算人工智能 2022-04-12

恩智浦i．MX RT MCU技術賦能智能手表未來

作者：Eduardo Montanez 隨著處理器性能增強，電池續航時間延長，互聯愈發普遍，傳感、監控和跟蹤更智能以及更友好的用戶界面等方面技術的快速進步，可穿戴設備得到了大力發展，同時產品尺寸更小、成本更低。智能手表設計的演變智能手表已成為我們智能、互聯和運動的生活方式中不可或缺的可穿戴設備...
可穿戴設備智能手表i．MX RT MCU技術 2022-04-11

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