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↓在 技術文章 中搜索到 804 條關于“SiC”的信息，用時:0.003 sec.

采用寬帶隙半導體為下一代系統供電

作者：Paul Lee為貿澤電子撰寫降低能量損耗預計到2020年，全球電能需求將達到30拍瓦（petawatts）峰值[1]，而在那之后還會進一步增加。電能來源可能是化石燃料或可再生能源，但無論如何，功率轉換設備效率對于最大程度地降低成本和電能損耗至關重要。工業馬達消耗了全球50％以上能源，但是數據中心...
寬帶隙半導體可再生能源功率轉換設備 2021-03-05

汽車電氣化的八大難點，德州儀器有答案！

在全球范圍內，無論是幫助汽車制造商減輕內燃機負擔，抑或是過渡到全電動汽車，我們都需共同努力，重新構想汽車業愿景并減少排放。電氣化已被證明是減少排放的較適宜的工具，但隨著車輛內電壓升高，如圖1所示，監測和維護子系統顯得格外重要。圖1：從混合動力到電動汽車的路線圖正是基于監測...
智能汽車汽車電氣化節能減排 2021-03-04

UnitedSiC銀燒結技術，可提高功率半導體導熱系數

作者: UnitedSiC工程副總裁Anup Bhalla雖然電子器件帶來的功能似乎沒有止境，但是數字和模擬器件的集成器件制造商（IDM）仍然不得不在所用材料的物理限制內設計解決方案。由于半導體發展大趨勢和終端市場帶來的需求，隨著時間推移，管理產品的熱密度變得越來越重要。一般而言，熱管理管理的是二極...
功率半導體銀燒結技術 2021-03-03

太全了！射頻功率放大器的一切知識都在這里！

射頻放功率放大器基本概念射頻功率放大器(RF PA)是發射系統中的主要部分，其重要性不言而喻。在發射機的前級電路中，調制振蕩電路所產生的射頻信號功率很小，需要經過一系列的放大（緩沖級、中間放大級、末級功率放大級）獲得足夠的射頻功率以后，才能饋送到天線上輻射出去。為了獲得足夠大的射頻輸出功...
5G功率放大器射頻 2021-03-01

高溫電子設備對設計和可靠性帶來挑戰

簡介許多行業都需要能夠在極端高溫等惡劣環境下可靠工作的電子設備。依照傳統做法，在設計需要在常溫范圍之外工作的電子設備時，工程師必須采用主動或被動冷卻技術，但某些應用可能無法進行冷卻，或是電子設備在高溫下工作時更為有利，可提升系統可靠性或降低成本。這便提出了影響電子系統方方面面的諸...
傳感器運算放大器高溫電子設備 2021-02-20

芯片升級全靠它——光刻技術概述

光刻是集成電路最重要的加工工藝，他的作用，如同金工車間中車床的作用。在整個芯片制造工藝中，幾乎每個工藝的實施，都離不開光刻的技術。光刻也是制造芯片的最關鍵技術，他占芯片制造成本的35%以上。在如今的科技與社會發展中，光刻技術的增長，直接關系到大型計算機的運作等高科技領域。光刻技術...
芯片光刻技術EUV技術 2021-01-27

電動汽車的輪轂馬達及驅動電子設備

摘要輪轂馬達已經開始在電動汽車（EV）中得到應用，這項技術的采用可去除差速器（differential）和傳動軸（driveshaft）等裝置，能夠使電動汽車顯著地節省空間。但是，該方法也帶來了一些技術挑戰，例如增加了簧下重量（unsprung weight）。本文將介紹輪轂馬達的發展狀況，并討論驅動電子設備等一些設計...
電動汽車輪轂馬達 2021-01-20

具有集成式驅動器和自我保護功能的GaN FET如何實現下一代工業電源設計

氮化鎵(GaN)半導體的物理特性與硅器件不相上下。傳統的電源供應器金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲效率、外形尺寸和散熱的前提下才能提高功率密度。使用GaN則可以更快地處理電源電子器件并更有效地為越來越多的高壓應用提供功率。GaN更優的開關能力意味著它可...
GaN FET絕緣柵極雙極晶體管工業電源設計 2021-01-08

汽車行業證明其具有彈性，且隨著我們進入2021年，為更多電動汽車技術準備就緒

作者：安森美半導體全球汽車戰略和業務拓展副總裁Joseph Notaro像所有垂直行業一樣，汽車市場也遭受了新冠肺炎病毒病(COVID-19)的沖擊。但是，與某些領域不同，它表現出顯著的彈性，恢復既快又強勁。也有跡象表明，強制封鎖會對環境產生積極影響。封鎖后，許多工業區的空氣明顯更清潔。這是由于...
安森美半導體智能汽車電動汽車技術自動駕駛 2021-01-08

是時候開始生產基于GaN的RF器件了

翻譯自——EEtimes 5G讓射頻技術發生了全新的變化，近日，Qorvo最近發布的QPA2309 c頻段功率放大器(PA)專為國防和航空航天應用而設計，能為5 – 6 GHz射頻設計提供高功率密度和附加功率效率。它采用了Qorvo自研的QGaN25HV晶圓工藝，即GaN-on-SiC。在過去一年左右的時間里，許多技術正滲透到...
GaN5G 2021-01-06

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